Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> МОДИФІКАЦІЯ СТРУКТУРНИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОВЕРХНІ (001) КРЕМНІЮ В МІКРОЕЛЕКТРОННІЙ ТЕХНОЛОГІЇ

МОДИФІКАЦІЯ СТРУКТУРНИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОВЕРХНІ (001) КРЕМНІЮ В МІКРОЕЛЕКТРОННІЙ ТЕХНОЛОГІЇ

Назва:
МОДИФІКАЦІЯ СТРУКТУРНИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОВЕРХНІ (001) КРЕМНІЮ В МІКРОЕЛЕКТРОННІЙ ТЕХНОЛОГІЇ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
14,42 KB
Завантажень:
227
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9 
ОДЕСЬКИЙ ДЕРЖАВНИЙ ПОЛІТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
Максимова Тетяна Іванівна
УДК 621.539.211
МОДИФІКАЦІЯ СТРУКТУРНИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОВЕРХНІ (001) КРЕМНІЮ В МІКРОЕЛЕКТРОННІЙ ТЕХНОЛОГІЇ
01.04.01 – фізика приладів, елементів і систем
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Одеса – 2000


Дисертація є рукописом.
Робота виконана в Криворізькому державному педагогічному університеті Міністерства освіти і науки України.
Науковий керівник - доктор фізико-математичних наук, професор
Соловйов Володимир Миколайович, завідуючий кафедрою інформатики та прикладної математики Криворізького державного педагогічного університету.
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор
Новіков Віталій Володимирович, завідуючий кафедрою вищої математики № 1 Одеського державного політехнічного університету;
доктор фізико-математичних наук, професор
Гохман Олександр Рафаїлович, професор кафедри загальної фізики Південноукраїнського педагогічного університету ім. К.Д. Ушинського.
Провідна установа - Інститут фізики напівпровідників НАН України, відділ
фізичних основ інтегральної мікроелектроніки.
Захист відбудеться “26” жовтня 2000 р. о 1400 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 41.052.06 в Одеському державному політехнічному університеті за адресою: 65044, м. Одеса, пр. Шевченка, 1.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Одеського державного політехнічного університету за адресою: 65044, м. Одеса, пр. Шевченка, 1.
Автореферат розісланий “24” вересня 2000 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Т.М. Зеленцова


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Подальша мікромініатюризація електронної техніки, виробництва приладів на рівні наношарів обумовлюють необхідність ретельного врахування впливу поверхневих ефектів на параметри транзисторів, мікросхем тощо.
В останні роки в мікроелектронних технологіях перевага віддається використанню поверхні (001) Si. Це обумовлено меншою висотою сходинок на поверхні (001) Si при порівнянні, наприклад, із природною поверхнею сколу (111) Si (висоти моноатомних сходинок на гранях (111) і (001) відносяться як 3.1350 / 1.3575 Hahn P.O., Henzler M. The Si – SiO2 interface: correlation of atomic structure and electrical properties // J. Vac. Sci. and Technol. A. – 1984. – V.2, N 2. – C. 574- 583.). Має місце відповідне зменшення густини поверхневих станів при переході від орієнтації (111) до (001).
Одержання технологічної (001) поверхні Si є важливим етапом виробництва мікроелектронних приладів. (001) Si не являється поверхнею сколу або природного росту кристалу. Її ідеальній структурі відповідають два обірвані зв'язки на кожний поверхневий атом, замість одного зв’язку, як на інших поверхнях Si.
Розгляд існуючих даних про перебудову приповерхневих атомних шарів (001) Si виявляє певну невідповідність між експериментальними та теоретичними результатами. Одна з причин цих розходжень пов’язана з надмірною ідеалізацією моделей поверхні в теоретичних розрахунках.
Для формування (001) поверхні Si застосовується різка злитків Si, одержаних, головним чином, за технологією Чохральского. Процес різки викликає підвищення температури поверхневих шарів і приводить до появи структурних дефектів. Для їх усунення використовують цикли “іонне бомбардування – відпал”. Температура відпалу становить 1000 – 1200 К. При опроміненні найчастіше використовують іони Ar+ з енергіями від одиниць та десятків кеВ.
Технологія виготовлення багатьох структур мікроелектроніки передбачає створення на поверхні Si окислу відповідної якості та товщини. Характеристики окисних шарів обумовлюються мікроструктурою поверхневих шарів Si.
У розрахунках параметрів поверхні (001) Si не враховується її релаксація в достатньо великому об’ємі (розрахунки ab initio). В інших випадках використовуються алгоритми молекулярної динаміки, в яких реальні умови формування поверхні (001) Si враховуються не повністю. Це призводить до неточної інформації про реальну релаксацію поверхні і дає завищенні оцінки ступеня симетрії поверхні (001) Si в теоретичних результатах.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9 



Реферат на тему: МОДИФІКАЦІЯ СТРУКТУРНИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОВЕРХНІ (001) КРЕМНІЮ В МІКРОЕЛЕКТРОННІЙ ТЕХНОЛОГІЇ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок