Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ФІЗИЧНІ ОСНОВИ МОДИФІКАЦІЇ ВЛАСТИВОСТЕЙ КРИСТАЛІВ AIIBVI ФОРМУВАННЯМ ПРИРОДНО УПОРЯДКОВАНОЇ ДЕФЕКТНОЇ СТРУКТУРИ

ФІЗИЧНІ ОСНОВИ МОДИФІКАЦІЇ ВЛАСТИВОСТЕЙ КРИСТАЛІВ AIIBVI ФОРМУВАННЯМ ПРИРОДНО УПОРЯДКОВАНОЇ ДЕФЕКТНОЇ СТРУКТУРИ

Назва:
ФІЗИЧНІ ОСНОВИ МОДИФІКАЦІЇ ВЛАСТИВОСТЕЙ КРИСТАЛІВ AIIBVI ФОРМУВАННЯМ ПРИРОДНО УПОРЯДКОВАНОЇ ДЕФЕКТНОЇ СТРУКТУРИ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
27,51 KB
Завантажень:
301
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ЕЛЕКТРОФІЗИКИ І РАДІАЦІЙНИХ ТЕХНОЛОГІЙ
Чугай Олег Миколайович
УДК 621.315.592:[546.47’23+546.48’47’24]
ФІЗИЧНІ ОСНОВИ МОДИФІКАЦІЇ ВЛАСТИВОСТЕЙ КРИСТАЛІВ AIIBVI ФОРМУВАННЯМ ПРИРОДНО УПОРЯДКОВАНОЇ ДЕФЕКТНОЇ СТРУКТУРИ
01.04.07 – фізика твердого тіла
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора технічних наук
Харків – 2007


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Національному аерокосмічному університеті “Харківський авіаційний інститут” ім. М.Є. Жуковського “ХАІ” Міністерства освіти і науки України.
Офіційні опоненти: | член-кор. НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор
Сизов Федір Федорович,
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, завідувач відділенням фізико-технологічних проблем напівпровідникової інфрачервоної техніки;
доктор фізико-математичних наук, професор
Поплавко Юрій Михайлович,
Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”, професор кафедри мікроелектроніки;
доктор технічних наук, професор
Д’яченко Світлана Степанівна,
Харківський національний автомобільно-дорожній університет Міністерства освіти і науки України, професор кафедри технології машинобудування та ремонту машин.
Провідна установа: |
Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України, відділ плівкових матеріалів функціонального призначення, м. Київ
Захист відбудеться “04” червня 7 р. о 14 00 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д .245.01 у Інституті електрофізики і радіаційних технологій НАН України за адресою: 61003, м. Харків, вул. Гамарника, 2, корпус У-3, НТУ “ХПІ”, ауд. .
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту електрофізики і радіаційних технологій НАН України за адресою: 61024, м. Харків, вул. Гуданова, . Відзив на автореферат дисертації надсилати на адресу: 61002, м. Харків, вул. Чернишевського, 28, а/с 8812.
Автореферат розісланий “27” квітня 7 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Д .245.01 |
Пойда А.В.


Актуальність теми. Розвиток фізики кристалів нерозривно пов’язаний з пошуком нових принципів управління їх властивостями. Одним з них є здійснення нелінійних процесів, які характеризуються просторовою та часовою періодичністю, тобто самоорганізацією. Так, створення умов кристалізації за механізмом Странського-Крастанова становить основу сучасної технології формування квантових точок InAs на поверхні GaAs. Разом з тим із літературних джерел відомо про формування інших типів упорядкованих структур в різних кристалічних матеріалах. Виникнення цих структур поєднують істотно нерівноважні умови росту кристала або екстремальний характер зовнішніх впливів на нього. Усе це вказує на перспективність використання синергетичного підходу для управління властивостями широкого класу матеріалів. Важливу роль у реалізації даного підходу відіграють дослідження фізичних властивостей кристалів із природно упорядкованою дефектною структурою, що є основою розробки нових концепцій модифікації вказаних властивостей.
Чільне місце поміж бінарних напівпровідникових сполук займають кристали AIIBVI, які широко використовують в оптоелектроніці, дозиметрії іонізуючих випромінювань та низці інших галузей. Управління фізичними властивостями вказаних матеріалів обмежується притаманними їм самокомпенсацією й утворенням двовимірних дефектів структури. Причому остання особливість є характерною рисою кристалів з кубічними кристалічними ґратками. У зв’язку з цим головною задачею технології одержання зазначених сполук традиційно вважається встановлення умов кристалізації та розробка відповідного устаткування, яке забезпечує ріст бездефектних кристалів. Саме тому більшість досліджень з цієї проблеми присвячені встановленню фізичних властивостей досконалих у структурному відношенні кристалів.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18 



Реферат на тему: ФІЗИЧНІ ОСНОВИ МОДИФІКАЦІЇ ВЛАСТИВОСТЕЙ КРИСТАЛІВ AIIBVI ФОРМУВАННЯМ ПРИРОДНО УПОРЯДКОВАНОЇ ДЕФЕКТНОЇ СТРУКТУРИ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок