Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> КВАЗІХІМІЧНІ РЕАКЦІЇ МІЖ ДЕФЕКТАМИ В CdTe, ЛЕГОВАНОМУ МЕТАЛАМИ ІІІА-ПІДГРУПИ

КВАЗІХІМІЧНІ РЕАКЦІЇ МІЖ ДЕФЕКТАМИ В CdTe, ЛЕГОВАНОМУ МЕТАЛАМИ ІІІА-ПІДГРУПИ

Назва:
КВАЗІХІМІЧНІ РЕАКЦІЇ МІЖ ДЕФЕКТАМИ В CdTe, ЛЕГОВАНОМУ МЕТАЛАМИ ІІІА-ПІДГРУПИ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
16,92 KB
Завантажень:
164
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ПРОБЛЕМ МАТЕРІАЛОЗНАВСТВА ІМЕНІ І.М. ФРАНЦЕВИЧА
КОРОВ’ЯНКО ОЛЕКСАНДРА ОЛЕКСАНДРІВНА
УДК 546.48’24:544.022.384.2
КВАЗІХІМІЧНІ РЕАКЦІЇ МІЖ ДЕФЕКТАМИ В CdTe,
ЛЕГОВАНОМУ МЕТАЛАМИ ІІІА-ПІДГРУПИ
Спеціальність: 02.00.21 – хімія твердого тіла
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата хімічних наук
Київ – 2003
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана на кафедрі неорганічної хімії Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича Міністерства освіти і науки України.
Науковий керівник: кандидат хімічних наук, доцент Фочук Петро Михайлович, доцент кафедри неорганічної хімії, Чернівецький національний університет
імені Юрія Федьковича.
Офіційні опоненти:  | доктор хімічних наук, професор, Томашик Василь Миколайович, Інститут фізики напівпровідників НАН України, провідний науковий співробітник, м. Київ;
доктор хімічних наук, професор
Фреїк Дмитро Михайлович
Прикарпатський університет ім. В.С. Стефаника,
завідувач кафедри фізики твердого тіла,
м. Івано-Франківськ.
Провідна установа: | Науково-технологічний концерн “Інститут монокристалів” НАН України, м. Харків.
Захист дисертації відбудеться "_____" ________________ 2003 р. о ______ год. на засіданні спеціалізованої ради Д 26.207.02 в Інституті проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України за адресою: 03142, м. Київ, вул. Кржижанівського, 3.
З дисертацією можна ознайомитися в бібліотеці Інституту проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України (м. Київ, вул. Кржижанівського, 3)
Автореферат розісланий "____"_____________ 2003 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради
д.х.н. Куліков Л.М.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Телурид кадмію – один з найважливіших напівпровідників типу AIIBVI, який вже знайшов практичне застосування для виготовлення елементів інфрачервоної оптики, спектрометричних детекторів іонізуючого випромінювання, підкладок епітаксіальних шарів CdхHg1-хTe, засобів нелінійної оптики. Крім того, він є перспективним для виготовлення перетворювачів сонячної енергії в електричну, фотоелектролізу води, елементів голографічної апаратури тощо. Тому вивчення цього матеріалу має не тільки теоретичне, але й практичне значення.
Одним з найбільш важливих аспектів є аналіз хімічної взаємодії різних домішок з кристалами CdTe. Фізичні властивості як легованого, так і нелегованого матеріалу кардинально залежать від спектру точкових дефектів, що формується в результаті перебігу квазіхімічних реакцій дефектоутворення. Поява в гратці власних та домішкових точкових дефектів змінює стехіометричні співвідношення між компонентами і, фактично визначає хімічний склад CdTe.
Важливими домішками в CdTe є елементи III-A підгрупи, які звичайно виступають в ролі донорів. Опубліковані експериментальні дані про властивості як легованого домішками ІІІ-А підгрупи, так і нелегованого CdTe, є неповними внаслідок використання для визначення концентрації електронних дефектів не точного методу вимірювання сталої Хола, а вивчення питомої електропровідності кристалів. Для прогнозування електрофізичних властивостей кристалів дуже важливим є метод побудови моделей структури точкових дефектів.
В ранніх роботах Нобеля використано наближений метод так званої апроксимації рівняння електронейтральності. В пізніших роботах Черна хоча й застосовано точні комп’ютерні розрахунки на основі повного РЕН, проте їх результати частково або зовсім не узгоджуються з експериментальними даними. Це свідчить про неадекватність принаймні частини використаних констант рівноваги квазіхімічних реакцій дефектоутворення.
В результаті сьогодні для CdTe не існує надійної методики теоретичного прогнозування концентрації точкових дефектів (в першу чергу, електронних) як функції термодинамічних параметрів процесу приготування матеріалу. Сказане відноситься як до високотемпературної рівноваги дефектів, так і до охолоджених кристалів при експлуатаційних температурах. Все це гальмує створення технології отримання легованих кристалів CdTe з необхідними властивостями.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 



Реферат на тему: КВАЗІХІМІЧНІ РЕАКЦІЇ МІЖ ДЕФЕКТАМИ В CdTe, ЛЕГОВАНОМУ МЕТАЛАМИ ІІІА-ПІДГРУПИ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок