Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ПРИЛАДИ З ЗАРЯДОВИМ ЗВ‘ЯЗКОМ У ЗАСТОСУВАННІ ДО ПРИСТРОЇВ ЗЧИТУВАННЯ З БАГАТОЕЛЕМЕНТНИХ ІЧ ФОТОПРИЙМАЧІВ

ПРИЛАДИ З ЗАРЯДОВИМ ЗВ‘ЯЗКОМ У ЗАСТОСУВАННІ ДО ПРИСТРОЇВ ЗЧИТУВАННЯ З БАГАТОЕЛЕМЕНТНИХ ІЧ ФОТОПРИЙМАЧІВ

Назва:
ПРИЛАДИ З ЗАРЯДОВИМ ЗВ‘ЯЗКОМ У ЗАСТОСУВАННІ ДО ПРИСТРОЇВ ЗЧИТУВАННЯ З БАГАТОЕЛЕМЕНТНИХ ІЧ ФОТОПРИЙМАЧІВ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
16,92 KB
Завантажень:
94
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ
Рева Володимир Павлович
УДК 621.317.7
ПРИЛАДИ З ЗАРЯДОВИМ ЗВ‘ЯЗКОМ У ЗАСТОСУВАННІ ДО ПРИСТРОЇВ ЗЧИТУВАННЯ З БАГАТОЕЛЕМЕНТНИХ ІЧ ФОТОПРИЙМАЧІВ
05.27.06 – технологія, обладнання та виробництво електронної техніки
А В Т О Р Е Ф Е Р А Т
дисертації на здобуття наукового ступеню
кандидата технічних наук
Київ – 2003


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників НАН України.
Науковий керівник: доктор фіз.-мат. наук, професор,
чл.-кор. НАН України
Сизов Федір Федорович,
Інститут фізики напівпровідників НАН України,
завідувач відділом
Офіційні опоненти: доктор технічних наук, професор
Воронов Сергій Олександрович,
Національний технічний
університет України "Київський політехнічний інститут"
Міністерство освіти і науки України, м. Київ
завідувач кафедрою
Доктор фізико-математичних наук, професор
Романюк Борис Миколайович,
Інститут фізики напівпровідників НАН України
Провідний науковий співробітник
Провідна установа: Львівський науково-дослідний інститут матеріалів НВП „КАРАТ”, м. Львів
Захист відбудеться: 30 травня 2003 р. о 1415 на засіданні спеціалізованої вченої ради К26.199.01при Інституті фізики напівпровідників НАН України за адресою: 03028, Київ-28, проспект Науки, 45
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту фізики напівпровідників НАН України: (02028, Київ-28, проспект Науки, 45)
Автореферат розісланий "25" квітня 2003 р.
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради,
канд. фіз.-мат. наук Охріменко О.Б.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Зростаючі потреби використання різного роду систем для пасивного (без використання додаткових джерел підсвічування) прийому і обробки сигналів в інфрачервоній (ІЧ) частині спектру з великою роздільною здатністю в реальному масштабі часу, вимагають застосування багатоелементних та матричних приймачів випромінювання. Реалізація вимог великої роздільної здатності і чутливості фотоприймачів ІЧ випромінювання в найбільш актуальних з прикладних точок зору частинах спектру 3-5 та 8-14 мкм, що стосується у великій мірі і спеціальних прикладних задач, приводить до необхідності їх використання при кріогенних температурах. Попередня обробка великих масивів інформації від багатоелементних і матричних фотоприймачів неможлива без використання пристроїв зчитування та попередньої обробки інформації (так званих, фокальних процесорів). Їх розташовують безпосередньо у фокальній площині біля лінійки або матриці фотоприймачів для забезпечення функцій прийому сигналу, конверсії заряду у напругу, накопичення, підсилення, мультиплексування та ін., і вони повинні ефективно працювати при кріогенних температурах.
В ІЧ технологіях фотоприймальних пристроїв (ФПП) переважають два типи технологій пристроїв зчитування з багатоелементних фотоприймачів: гібридна та монолітна. Остання не має широкого розповсюдження у зв‘язку з проблемами реалізації пристроїв зчитування з високими параметрами. Концепція гібридних технологій, яка активно розвивається останні 10 років, дозволяє окремо оптимізувати як параметри лінійки чи матриці фотоприймачів, так і параметри пристроїв зчитування. Гібридні технології в основному застосовуються для гібридизації чіпів фотодіодів на основі сполук кадмій-ртуть-телур (КРТ) з кремнієвими чіпами приладів з зарядовим зв‘язком (ПЗЗ) або комплементарних метал-діелектрик-напівпровідник (КМДН) транзисторів для зчитування сигналів від фотодіодів, їх підсилення та мультиплексування.
Актуальність роботи обумовлена практичними потребами розробки наукових принципів побудови схем зчитування від багатоелементних ІЧ фотоприймачів на основі кремнієвих ПЗЗ, необхідності експериментального вивчення та оптимізації їх параметрів як при кімнатних, так і кріогенних температурах, практичної реалізації їх у вигляді великих інтегральних схем (ВІС), з‘єднаних з масивами КРТ фотодіодів.
Хоча в цій області досліджень в останні 10-15 років і опубліковано певну кількість робіт, перш за все, авторами з провідних дослідницьких фірм найбільш високорозвинутих країн, ступінь вивченості принципів побудови мікросхем зчитування, особливості процесів переносу заряду та ін.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 



Реферат на тему: ПРИЛАДИ З ЗАРЯДОВИМ ЗВ‘ЯЗКОМ У ЗАСТОСУВАННІ ДО ПРИСТРОЇВ ЗЧИТУВАННЯ З БАГАТОЕЛЕМЕНТНИХ ІЧ ФОТОПРИЙМАЧІВ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок