Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ДОСЛІДЖЕННЯ ВЗАЄМОДІЇ ВІСМУТУ ТА ВОДНЮ З ПОВЕРХНЯМИ Si(111) та Si(100) МЕТОДОМ СКАНУЮЧОЇ ТУНЕЛЬНОЇ МІКРОСКОПІЇ

ДОСЛІДЖЕННЯ ВЗАЄМОДІЇ ВІСМУТУ ТА ВОДНЮ З ПОВЕРХНЯМИ Si(111) та Si(100) МЕТОДОМ СКАНУЮЧОЇ ТУНЕЛЬНОЇ МІКРОСКОПІЇ

Назва:
ДОСЛІДЖЕННЯ ВЗАЄМОДІЇ ВІСМУТУ ТА ВОДНЮ З ПОВЕРХНЯМИ Si(111) та Si(100) МЕТОДОМ СКАНУЮЧОЇ ТУНЕЛЬНОЇ МІКРОСКОПІЇ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
20,17 KB
Завантажень:
232
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 
КИЇВСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
ІМ. ТАРАСА ШЕВЧЕНКА
Булавенко Сергій Юрійович
УДК 621.385.833
ДОСЛІДЖЕННЯ ВЗАЄМОДІЇ ВІСМУТУ ТА ВОДНЮ З ПОВЕРХНЯМИ Si(111) та Si(100) МЕТОДОМ СКАНУЮЧОЇ ТУНЕЛЬНОЇ МІКРОСКОПІЇ
01.04.04 – фізична електроніка
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата
фізико-математичних наук
Київ –2002


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Київському національному університеті ім. Тараса Шевченка, місто Київ.
Науковий керівник: кандидат фізико-математичних наук,
професор Мельник Павло Вікентійович
Київський національний університет
ім. Тараса Шевченка,
заступник декана радіофізичного факультету
з наукової роботи
Офіційні опоненти: доктор фіз.-мат. наук,
Федорус Олексій Григорович
Інститут фізики
НАН України
доктор фіз.-мат. наук,
Клюй Микола Іванович
Інститут фізики напівпровідників
НАН України
Провідна установа:
Харківський національний університет імені В.Н.Каразіна
Захист відбудеться _23 травня 2002р._ о _1430____ годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д.26.159.01 у інституті фізики НАН України за адресою: 03650, Київ-39, пр. Науки, 46.
З дисертацією можна ознайомитися в бібліотеці інституту фізики НАН України.
Автореферат розісланий ___23__ квітня 2002 року.
Вчений секретар Іщук В.А.
спеціалізованої вченої ради
ВСТУП
Актуальність теми. Електронні прилади на основі контактів метал-напівпровідник, метал-діелектрик-напівпровідник, напівпровідник-напівпровідник знайшли широке застосування в мікроелектроніці. Характеристики цих приладів визначаються властивостями перехідного шару, і в свою чергу залежать від його структури. Тому дослідження структури поверхні та процесів формування різних контактів на мікрорівні з метою управління їх властивостями відкривають можливості контрольованого створення мікроелектронних приладів з наперед заданими характеристиками. Крім того, поступовий перехід від мікроелектроніки до наноелектроніки ставить задачі не тільки по вдосконаленню існуючих приладів, але і створенню нових, основаних на квантових ефектах в низькорозмірних наноструктурах. Прикладами таких структур є квантові точки, дроти. При цьому актуальним стає дослідження динамічних характеристик нанооб'єктів та інтерфейсів, як характеристик, що визначають деградацію та самоорганізацію наноструктур.
Перспективними з точки зору створення приладів мікроелектроніки є, зокрема, кремній-германієві гетероструктури, на основі яких створюються лазери, транзистори з рекордними значеннями швидкодії та ін.. Однак на чистій поверхні Si не вдається виростити епітаксійну плівку Ge, тому для створення кремній-германієвих гетероструктур почали використовувати речовини, здатні покращити умови росту. До таких речовин, що носять назву поверхнево-активних, або сурфактантів, належать елементи V групи (As,Sb,Bi). Для більш глибокого розуміння процесів, що відбуваються при гетероепітаксії за участю сурфактантів, необхідні відомості про властивості системи адсорбат / сурфактант / напівпровідник на атомному рівні. Найбільш придатним методом для таких досліджень є Скануюча Тунельна Мікроскопія (СТМ).
В даній дисертаційній роботі основна увага була сконцентрована на одному з представників 5 групи періодичної таблиці елементів - вісмуті. З одного боку він, як і всі інші елементи 5 групи, є поверхнево-активною речовиною при вирощуванні кремній-германієвих гетероструктур. З іншого боку, для системи Bi/Si спостерігалася самоорганізація майже ідеальних 1-вимірних структур.
Важливою для досліджень є система водень-кремній, що широко застосовується в сучасній мікроелектроніці, зокрема при газофазній гомоепітаксії та для пасивації поверхні. Водень також є сурфактантом (антисурфактантом) і суттєво змінює характеристики росту плівок різних речовин на поверхні. Тому представляє інтерес дослідження не тільки властивостей взаємодії водню з поверхнями кремнію, але і його коадсорбції з вісмутом.
Зв'язок роботи з науковими програмами, планами, темами. Робота виконана в Київському національному університеті ім. Тараса Шевченка.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 



Реферат на тему: ДОСЛІДЖЕННЯ ВЗАЄМОДІЇ ВІСМУТУ ТА ВОДНЮ З ПОВЕРХНЯМИ Si(111) та Si(100) МЕТОДОМ СКАНУЮЧОЇ ТУНЕЛЬНОЇ МІКРОСКОПІЇ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок