Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ВЗАЄМОДІЯ InAs, InSb ТА GaAs З БРОМВИДІЛЯЮЧИМИ ТРАВИЛЬНИМИ КОМПОЗИЦІЯМИ

ВЗАЄМОДІЯ InAs, InSb ТА GaAs З БРОМВИДІЛЯЮЧИМИ ТРАВИЛЬНИМИ КОМПОЗИЦІЯМИ

Назва:
ВЗАЄМОДІЯ InAs, InSb ТА GaAs З БРОМВИДІЛЯЮЧИМИ ТРАВИЛЬНИМИ КОМПОЗИЦІЯМИ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
18,53 KB
Завантажень:
140
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 
Львівський національний університет
імені Івана Франка
Кусяк Наталія Володимирівна
УДК 621.794.4:546.681/682'19/86
ВЗАЄМОДІЯ InAs, InSb ТА GaAs З БРОМВИДІЛЯЮЧИМИ ТРАВИЛЬНИМИ КОМПОЗИЦІЯМИ
02.00.01 – неорганічна хімія
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата хімічних наук
Львів – 2003
Дисертацією є рукопис
Робота виконана на кафедрі хімії Житомирського державного педагогічного університету ім. Івана Франка
Науковий керівник: доктор хімічних наук, професор, провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників НАН України Томашик Василь Миколайович
Офіційні опоненти: доктор хімічних наук, професор, завідувач кафедри неорганічної хімії Чернівецького національного університету ім. Юрія Федьковича Панчук Олег Ельпідефорович
доктор хімічних наук, професор кафедри неорганічної хімії Львівського національного університету ім. Івана Франка Павлюк Володимир Васильович.
Провідна установа: Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В. І. Вернадського НАН України, м. Київ
Захист дисертації відбудеться “ 6 ” березня 2003 р. о 14 год. на засіданні спеціалізованої вченої ради Д.35.051.10 у Львівському національному університеті ім. Івана Франка Міністерства освіти і науки України за адресою 79005, м. Львів, вул. Кирила і Мефодія, 6, хімічний факультет, ауд. № 2.
З дисертацією можна ознайомитися в науковій бібліотеці Львівського національного університету ім. Івана Франка (79005, м. Львів, вул. Драгоманова, 5)
Автореферат розісланий “ 23 ” січня 2003 року
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Д 35.051.10 Яремко З.М.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Хімічна обробка поверхні монокристалів та плівок напівпровідникових матеріалів є невід'ємною частиною технології виробництва робочих елементів різноманітних напівпровідникових приладів, при цьому забезпечується надійність і відтворюваність результатів при низьких затратах. Хімічне травлення використовується для відповідної підготовки поверхні підкладок, видалення р- або n-шарів, створення мезаструктур і канавок на пластинах і багатошарових структурах, для витравлювання вікон з заданим нахилом стінок в шарах напівпровідників та діелектриків, а також для оцінки дефектів (виявлення характеру та густини розподілу дислокацій, домішок, p-n-переходів та ін.). За даними статистичного аналізу типів відмов напівпровідникових приладів майже 40% з них пов'язано зі способами обробки та підготовки поверхні, а біля 60% – з дефектами границь розподілу фіз. Отже, одержання високоякісної поверхні напівпровідникових підкладок, максимально досконалих за структурою, геометрією і однорідних за хімічною природою та чистотою є однією з найбільш актуальних проблем сучасного напівпровідникового матеріалознавства.
Для вирішення вказаних проблем, як на окремих етапах технологічного процесу виробництва матеріалів і структур, так і для дослідження реальної поверхні і структури напівпровідників, потрібно застосовувати відповідні травильні композиції, які забезпечують вирівнювання шорсткості поверхні та високу структурну досконалість зразків. Хімічне травлення напівпровідників є відносно простим процесом для практичної реалізації, однак з метою одержання високоякісної, бездефектної поверхні підкладок необхідно проведення чітко керованих процесів хіміко-механічного та хіміко-динамічного полірування. Це в свою чергу потребує знань фізико-хімічних закономірностей, які визначають кінетику процесу розчинення напівпровідникових матеріалів в різноманітних активних середовищах. Важливо також знати роль і вплив основних компонентів травильної композиції, їх взаємодії, участі у формуванні складу та властивостей поверхні напівпровідника, зокрема, границі розподілу фаз, а також ролі і впливу гідродинамічних умов.
Хімічне розчинення напівпровідників базується на взаємодії структурних складових або ділянок кристалів з компонентами травильної суміші і визначається термодинамічними константами матеріалу, кристалографічною орієнтацією поверхні, процесами переносу.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 



Реферат на тему: ВЗАЄМОДІЯ InAs, InSb ТА GaAs З БРОМВИДІЛЯЮЧИМИ ТРАВИЛЬНИМИ КОМПОЗИЦІЯМИ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок