Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> САМОУЗГОДЖЕНІ ЕЛЕКТРОН-ДЕФОРМАЦІЙНО-ДИФУЗІЙНІ ЕФЕКТИ В ШИРОКОЗОННИХ НАПІВПРОВІДНИКАХ ТА ГЕТЕРОСИСТЕМАХ ІЗ САМООРГАНІЗОВАНИМИ ТОЧКОВИМИ ДЕФЕКТАМИ

САМОУЗГОДЖЕНІ ЕЛЕКТРОН-ДЕФОРМАЦІЙНО-ДИФУЗІЙНІ ЕФЕКТИ В ШИРОКОЗОННИХ НАПІВПРОВІДНИКАХ ТА ГЕТЕРОСИСТЕМАХ ІЗ САМООРГАНІЗОВАНИМИ ТОЧКОВИМИ ДЕФЕКТАМИ

Назва:
САМОУЗГОДЖЕНІ ЕЛЕКТРОН-ДЕФОРМАЦІЙНО-ДИФУЗІЙНІ ЕФЕКТИ В ШИРОКОЗОННИХ НАПІВПРОВІДНИКАХ ТА ГЕТЕРОСИСТЕМАХ ІЗ САМООРГАНІЗОВАНИМИ ТОЧКОВИМИ ДЕФЕКТАМИ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
16,84 KB
Завантажень:
371
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 
ЧЕРНІВЕЦЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
ІМЕНІ ЮРІЯ ФЕДЬКОВИЧА
КУЗИК ОЛЕГ ВАСИЛЬОВИЧ
УДК 539.3+530.182+537.222.22
САМОУЗГОДЖЕНІ ЕЛЕКТРОН-ДЕФОРМАЦІЙНО-ДИФУЗІЙНІ ЕФЕКТИ
В ШИРОКОЗОННИХ НАПІВПРОВІДНИКАХ
ТА ГЕТЕРОСИСТЕМАХ ІЗ САМООРГАНІЗОВАНИМИ ТОЧКОВИМИ ДЕФЕКТАМИ
01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Чернівці – 2008


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана на кафедрі загальної фізики Інституту фізики, математики та інформатики Дрогобицького державного педагогічного університету імені Івана Франка.
Науковий керівник:  доктор фізико-математичних наук, професор, Пелещак Роман Михайлович, Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка, завідувач кафедри загальної фізики.
Офіційні опоненти:    доктор фізико-математичних наук, професор, Лев Богдан Іванович, Інститут теоретичної фізики ім.М.М.Боголюбова НАН України, завідувач відділу синергетики,
доктор фізико-математичних наук, професор, Головацький Володимир Анатолійович, Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, професор кафедри теоретичної фізики.
Захист відбудеться 30 травня 2008 року о 1300 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д .051.01 Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича за адресою: 58012, Чернівці, вул. Коцюбинського, 2.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича за адресою: 58012, Чернівці, вул. Лесі Українки, 23.
Автореферат розісланий 24 квітня 2008 року.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради М.В.Курганецький


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Реальні напівпровідникові кристали та напружені гетеросистеми (InAs/GaAs, CdTe/ZnTe) при температурах T > 0 містять певне число точкових дефектів. Додаткові дефекти генеруються під впливом зовнішніх факторів: нагрівання, деформації, опромінення частинками і ін. Вказаний вплив може здійснюватися цілеспрямовано на певних етапах технологічного циклу створення напівпровідникового приладу (опромінення [1], введення домішкових атомів [2–4], керування співвідношенням потоків компонент сполук у процесі епітаксійного росту [2, 5, 6]) або бути небажаним, наприклад, при роботі в умовах підвищеної радіації. Взаємодія точкових дефектів із самоузгодженим полем деформації, яке може виникати як за рахунок наявності цих дефектів, так і неоднорідності кристалічної системи (наприклад, гетеромежа), призводить до просторового перерозподілу дефектів і, при певних умовах, до утворення самоорганізованих дефектно-деформаційних структур [7] (кластерів і періодичних структур).
Дослідження самоузгодженим чином морфологічної та електронної структури опромінених напівпровідникових матеріалів із самоорганізованими точковими дефектами є важливим для створення мікро- і нанооптоелектронних приладів (датчиків іонізованого випромінювання та резонансних тунельних діодів). Знаючи закономірності самоузгодженої зміни просторового розподілу самоорганізованих точкових дефектів, електронів та деформації кристалічної ґратки, можна прогнозовано керувати параметрами цих приладів. Зокрема, інформація про самоузгоджений просторовий перерозподіл точкових дефектів, електронів та параметра деформації кристалічної ґратки в напівпровідникових матеріалах є необхідною для розуміння проблем їх стійкості та деградації нанооптоелектронних приладів, що працюють в умовах інтенсивного опромінення.
На сьогодні теоретичні дослідження самоузгодженого просторового перерозподілу точкових дефектів, деформації кристалічної ґратки та формування самоорганізованих дефектно-деформаційних структур були проведені в роботі [7] в межах пружного континууму без врахування електрон-деформаційної взаємодії, яка є суттєвою в напівпровідникових кристалах і в напружених гетеросистемах з високим ступенем заповнення зони провідності.
Тому теоретичні дослідження самоузгоджених електрон-деформаційно-дифузійних ефектів є актуальними і представляють як науковий, так і практичний інтерес у плані створення p-n-структур на базі об’ємних напівпровідникових матеріалів і напружених гетеросистем із самоорганізованими точковими дефектами.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 



Реферат на тему: САМОУЗГОДЖЕНІ ЕЛЕКТРОН-ДЕФОРМАЦІЙНО-ДИФУЗІЙНІ ЕФЕКТИ В ШИРОКОЗОННИХ НАПІВПРОВІДНИКАХ ТА ГЕТЕРОСИСТЕМАХ ІЗ САМООРГАНІЗОВАНИМИ ТОЧКОВИМИ ДЕФЕКТАМИ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок