Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ФОТОПРИЙМАЧІ ІЧ ВИПРОМІНЮВАННЯ НА ОСНОВІ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ HgMnTe, HgCdMnTe та HgCdZnTe

ФОТОПРИЙМАЧІ ІЧ ВИПРОМІНЮВАННЯ НА ОСНОВІ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ HgMnTe, HgCdMnTe та HgCdZnTe

Назва:
ФОТОПРИЙМАЧІ ІЧ ВИПРОМІНЮВАННЯ НА ОСНОВІ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ HgMnTe, HgCdMnTe та HgCdZnTe
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
19,90 KB
Завантажень:
68
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 
Національна академія наук України та Міністерство освіти і науки Укр
аїни


Національна академія наук України та Міністерство освіти і науки України
Інститут термоелектрики
МАРКОВ АНДРІЙ ВОЛОДИМИРОВИЧ
УДК 621.315.592
ФОТОПРИЙМАЧІ ІЧ ВИПРОМІНЮВАННЯ НА ОСНОВІ
ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ HgMnTe, HgCdMnTe
та HgCdZnTe
(01.04.01. - фізика приладів, елементів і систем)
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Чернівці-2002
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана на кафедрі напівпровідникової мікроелектроніки Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича.
Науковий керівник: Офіційні опоненти: Провідна установа: доктор фізико-математичних наук, професор Раренко Іларій Михайлович, Чернівецький національний університет, завідувач кафедри напівпровідникової мікроелектроніки Доктор фізико-математичних наук, професор, Ковалюк Захар Дмитрович, керівник Чернівецького відділення Інституту проблем матеріалознавства НАН України. Доктор технічних наук, професор, Дружинін Анатолій Олександрович, національний університет “Львівська політехніка”, професор кафедри напівпровідникової електроніки Інститут фізики напівпровідників НАН України Микола
Захист відбудеться ''17'' травня 2002 р. о 1500 год. на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 76.244.01 в Інституті термоелектрики, м.Чернівці, 58027, вулиця Дубінська, 9А.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту термоелектрики, вулиця Дубінська, 9А
Автореферат розісланий ''8'' квітня 2002 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Охрем О.А.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Вдосконалення елементної бази приймачів інфрачервоного (ІЧ) випромінювання є основою підвищення технічного рівня існуючих та створення нових пристроїв та систем теплобачення. Найширше застосування для виробництва фотоприймачів ІЧ випромінювання знайшли вузькощілинні напівпровідники. Вони володіють унікальними властивостями, які відкрили широке їх практичне застосування – це висока рухливість носіїв заряду і, відповідно, чутливість до електромагнітного випромінювання у важливому для теплобачення діапазоні ІЧ спектра l=0,75-50 мкм. Оскільки на всі довжини хвиль цього діапазону немає окремих напівпровідників, використовуються тверді розчини напівпровідникових сполук, у яких зміною співвідношення компонент можна регулювати ширину забороненої зони і, відповідно, спектральний максимум фоточутливості. Серед таких напівпровідників найширшого використання набув твердий розчин Hg1-xCdxTe, в якому зміною співвідношення кадмію і ртуті можна перекрити діапазон ширин заборонених зон від 0 до 1.46 еВ, тобто одержати фоточутливі матеріали для спектральної області від одного і до десятків і навіть сотень мікрон. Для одержання максимальної фоточутливості у важливих діапазонах ІЧ спектра l=3-5 мкм та l=8-15 мкм достатньо охолоджувати ці фотоприймачі до температури рідкого азоту (77K). За однакових робочих температур і теоретичної межі виявної здатності технологічно зручнішими є фотоприймачі на p-n переходах, тобто фотодіоди. Вони зручні для мініатюрізації, оскільки для їх створення використовуються, крім об'ємних матеріалів, епітаксійні шари, іонна імплантація, спільний електрод, простіше конструктивне з'єднання багатоелементних лінійок і матриць з кремнієвими мультиплексорами для накопичення і обробки сигналу.
Однак, незважаючи на вагомі успіхи, досягнуті у вивченні фізичних властивостей та розвитку технології отримання об'ємних і плівкових структур Hg1-xCdxTe, залишаються нерозв'язаними принципові проблеми цих сплавів, пов'язані з їх специфічними фізико-хімічними та механічними властивостями, які безпосередньо впливають на фотоелектричні параметри цих кристалів. Це, насамперед, нестабільність основних фізичних властивостей – зміна їх з часом, чутливість до підвищеної температури і, особливо, до різких її змін, які часто мають місце при використанні приладів з указаного матеріалу. Крім цього, такі зовнішні впливи на поверхню Hg1-xCdxTe, як механічна обробка та нанесення металу для електричних контактів, просвітлюючих і захисних покрить призводять до значної міграції та втрати атомів ртуті і, відповідно, зміни властивостей матеріалу.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 



Реферат на тему: ФОТОПРИЙМАЧІ ІЧ ВИПРОМІНЮВАННЯ НА ОСНОВІ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ HgMnTe, HgCdMnTe та HgCdZnTe

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок