Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ОТРИМАННЯ СТРУКТУР З КВАНТОВИМИ ЯМАМИ, ГЕТЕРОСТРУКТУР ТА ТОНКИХ ПЛІВОК НАПІВПРОВІДНИКІВ А4В6 ТА ДОСЛІДЖЕННЯ ЇХ ВЛАСТИВОСТЕЙ

ОТРИМАННЯ СТРУКТУР З КВАНТОВИМИ ЯМАМИ, ГЕТЕРОСТРУКТУР ТА ТОНКИХ ПЛІВОК НАПІВПРОВІДНИКІВ А4В6 ТА ДОСЛІДЖЕННЯ ЇХ ВЛАСТИВОСТЕЙ

Назва:
ОТРИМАННЯ СТРУКТУР З КВАНТОВИМИ ЯМАМИ, ГЕТЕРОСТРУКТУР ТА ТОНКИХ ПЛІВОК НАПІВПРОВІДНИКІВ А4В6 ТА ДОСЛІДЖЕННЯ ЇХ ВЛАСТИВОСТЕЙ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
17,30 KB
Завантажень:
405
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ
ДАВИДЕНКО СЕРГІЙ МИКОЛАЙОВИЧ
 
УДК 621.315.592
ОТРИМАННЯ СТРУКТУР З КВАНТОВИМИ ЯМАМИ, ГЕТЕРОСТРУКТУР ТА ТОНКИХ ПЛІВОК НАПІВПРОВІДНИКІВ А4В6
ТА ДОСЛІДЖЕННЯ ЇХ ВЛАСТИВОСТЕЙ
05.27.06технологія обладнання та виробництво електронної техніки
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата технічних наук
Київ – 2001
Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників Національної академії наук України
Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук, професор,
член-кореспондент НАН України
Сизов Федір Федорович,
завідувач відділенням Інституту фізики напівпровідників НАН України.
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор,
Лашкарьов Георгій Вадимович,
Інститут проблем матеріалознавства НАН України,
завідуючий відділом матеріалів функціональної електроніки та кріогенних досліджень
 
доктор технічних наук, професор
Карачевцева Людмила Анатоліївна,
Інститут фізики напівпровідників НАН України,
завідуюча відділом фотонних напівпровідникових
структур
Провідна установа: Чернівецький національний університет імені
Ю. Федьковича, кафедра мікроелектроніки та напівпровідникових приладів,
м. Чернівці
Захист відбудеться "21" грудня 2001 р. о 16-30 год.
на засіданні спеціалізованої вченої ради К 26.199.01
при Інституті фізики напівпровідників НАН України
(03028 Київ 28, проспект Науки, 45)
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Інституту фізики напівпровідників НАН України (03028 Київ 28, проспект Науки, 45).
Автореферат розісланий "21" листопада 2001 р.
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради Охріменко О.Б.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Важливе місце серед вузькозонних напівпровідників займають сполучення групи А4В6 і тверді розчини на їх основі. Область їхнього застосування — лазери і приймачі випромінювання, що функціонують в інтервалі довжин хвиль 2.5... 30 мкм. Потужність твердотільних джерел когерентного випромінювання на основі даних сполучень в 103.. 107 раз перевищує потужність теплових джерел, що дозволяє використати їх в швидкодіючих спектрометрах високої роздільної здатності для контролю складу атмосфери, в молекулярній спектроскопії, в системах дальнього космічного зв'язку і т. п. Важлива перевага таких джерел і приймачів випромінювання — можливість перестроювання спектральних характеристик при зміні складу, температури, тиску і магнітного поля, що зумовлене залежністю ширини забороненої зони від означених параметрів. Знаючи зонний спектр, володіючи досконалою технологією вирощування напівпровідників можна цілеспрямовано змінювати їх властивості, шукати нові ефекти та розробляти нові прилади. Це в повній мірі відноситься також до вузькощілинних напівпровідників. Хоча вони давно досліджуються і знайшли широке використання в інфрачервоній техніці, ряд факторів зумовлюють підвищений інтерес до них.
Зокрема, на основі вузькощілинних напівпровідників створюються багатоелементні фотоприймачі інфрачервоного випромінювання, число чутливих елементів в яких сягає 106. Це потребує створення нових технологій вирощування якісних монокристалів та епітаксійних структур (гетеропереходів, структур з квантовими ямами та надграток), а також розробки технологій управління і оптимізації матеріалів та приладів. Не дивлячись на те, що в останні роки здійснювались значні зусилля для створення приймачів інфрачервоного випромінювання на основі квантоворозмірних структур напівпровідників А3В5 і твердих розчинів SіGe, основними матеріалами інфрачервоної оптоелектроніки залишаються вузькощілинні напівпровідники. При цьому, хоча основна увага дослідників спрямована на потрійні тверді розчини HgCdTe, бінарним сполукам і потрійним твердим розчинам напівпровідників А4В6, таких як PbSe, PbSnTe, та інші, приділяється значна увага.
Вказані сполуки характеризуються значним відхиленням від стехіометрії (аж до значень d ~ 10-3). Для отримання матеріалів, придатних для створення приймачів інфрачервоного випромінювання, використовується довготривалий ізотермічний відпал, або легування різними домішками.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 



Реферат на тему: ОТРИМАННЯ СТРУКТУР З КВАНТОВИМИ ЯМАМИ, ГЕТЕРОСТРУКТУР ТА ТОНКИХ ПЛІВОК НАПІВПРОВІДНИКІВ А4В6 ТА ДОСЛІДЖЕННЯ ЇХ ВЛАСТИВОСТЕЙ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок