Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> МЕХАНІЗМИ ПЕРЕНОСУ ЗАРЯДУ ТА ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ПРОЦЕСИ В ДІОДНИХ СТРУКТУРАХ НА ОСНОВІ Hg3In2Te6

МЕХАНІЗМИ ПЕРЕНОСУ ЗАРЯДУ ТА ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ПРОЦЕСИ В ДІОДНИХ СТРУКТУРАХ НА ОСНОВІ Hg3In2Te6

Назва:
МЕХАНІЗМИ ПЕРЕНОСУ ЗАРЯДУ ТА ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ПРОЦЕСИ В ДІОДНИХ СТРУКТУРАХ НА ОСНОВІ Hg3In2Te6
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
16,34 KB
Завантажень:
108
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 
ЧЕРНІВЕЦЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
ІМЕНІ ЮРІЯ ФЕДЬКОВИЧА
Герман
ІВАННА ІВАНІВНА
УДК: 538.9;
621.383
МЕХАНІЗМИ ПЕРЕНОСУ ЗАРЯДУ
ТА ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ПРОЦЕСИ В ДІОДНИХ
СТРУКТУРАХ НА ОСНОВІ Hg3In2Te6
01.04.10 - фізика напівпровідників і діелектриків
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Чернівці – 2007
Дисертацією є рукопис
Робота виконана на кафедрі оптоелектроніки Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича Міністерства освіти і науки України
Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук, професор Косяченко Леонід Андрійович, Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, завідувач кафедри оптоелектроніки
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор Лашкарьов Георгій Вадимович, Інститут проблем матеріалознавства імені І.М. Францевича НАН України, завідувач відділу матеріалів функціональної електроніки та кріогенних досліджень
доктор фізико-математичних наук, професор Мар’янчук Павло Дмитрович, Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, професор кафедри електроніки і енергетики
Захист відбудеться 26 жовтня 2007 р. о 1500 год. на засіданні спеціалізованої вченої ради Д76.051.01 при Чернівецькому національному університеті імені Юрія Федьковича за адресою: 58012, м. Чернівці, вул. Коцюбинського, 2.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича (вул. Лесі Українки, 23).
Автореферат розісланий ____ вересня 2007 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради М.В. Курганецький


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми
Упродовж останніх десятиліть набули швидкого розвитку волоконно-оптичні лінії зв’язку – на сьогодні найдосконаліший засіб телекомунікацій. Функціювання цих систем передбачає наявність відповідної елементної бази, зокрема високочутливих швидкодіючих детекторів оптичного випромінювання. Особливо важлива для дальнього зв’язку спектральна ділянка в околі довжини хвилі 1,55 мкм, яка відповідає найменшим втратам у кварцовому склі – основному матеріалі для виготовлення оптичного волокна. Ця ділянка спектра знаходиться за межами фундаментального поглинання кремнію, оскільки порогова довжина хвилі, що відповідає його ширині забороненої зони, менша за 1,55 мкм. Порогова довжина хвилі германію перевищує 1,55 мкм, проте у Ge, як у напівпровіднику з непрямими міжзонними переходами, коефіцієнт поглинання на цій ділянці спектра відносно малий. Через це для належної ефективності фотодіода товщина активної області повинна бути доволі велика, час прольоту носіїв заряду через неї стає значним, а отже, швидкодія приладу погіршується. Проблему можна подолати, ускладнюючи фотодіодну структуру, наприклад, створюючи оптичний резонатор. Для фотодетекторів на довжину хвилі 1,55 мкм (як і для 1,3 мкм, де хроматична дисперсія у кварці найменша) застосовуються складні напівпровідникові тверді розчини, в основному InxGa1–xAs і InxGa1–xAsyP1–y з відповідним вмістом компонент. Ведеться активний пошук інших шляхів розв‘язання проблеми.
У 1990 році була описана придатна для роботи в обговорюваній області спектру фотодіодна структура на основі Hg3In2Te6 [1]. Цей напівпровідник є хімічною сполукою з шириною забороненої зони 0,73 еВ (300 К), оптимальною для детектування випромінювання на довжині хвилі
1,55 мкм. Специфічною особливістю матеріалу є висока концентрація електрично нейтральних катіонних вакансій, що зумовлює малу чутливість його властивостей до багатьох домішок і дефектів, а також радіаційну стійкість, яка для подібних напівпровідників принаймні на 2-3 порядки вища порівняно з ресурсом Ge, CdTe, ZnSe [2]. Проблема забезпечення радіаційної стійкості матеріалів, зокрема напівпровідників, актуальна впродовж декількох десятиліть. Такі матеріали необхідні для довготривалої експлуатації вимірювальної апаратури за умов високих доз та інтенсивностей іонізуючого випромінювання, при дефектоскопії металів, усередині ядерних реакторів і сховищ радіоактивних відходів, у промислових прискорювачах, при тривалому перебуванні апаратури в космосі.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 



Реферат на тему: МЕХАНІЗМИ ПЕРЕНОСУ ЗАРЯДУ ТА ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ПРОЦЕСИ В ДІОДНИХ СТРУКТУРАХ НА ОСНОВІ Hg3In2Te6

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок