Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Гетероструктури на основі монокристалічних та поруватих сполук А2В6 та А3В5, отриманІ методом радикало-променевої епітаксії

Гетероструктури на основі монокристалічних та поруватих сполук А2В6 та А3В5, отриманІ методом радикало-променевої епітаксії

Назва:
Гетероструктури на основі монокристалічних та поруватих сполук А2В6 та А3В5, отриманІ методом радикало-променевої епітаксії
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
34,22 KB
Завантажень:
80
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22 
ОДЕСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ імені І. І. МЕЧНИКОВА
КІДАЛОВ ВАЛЕРІЙ ВІТАЛІЙОВИЧ
УДК 621.315.592; 537.529; 541.013
Гетероструктури на основі монокристалічних та поруватих сполук А2В6 та А3В5, отриманІ методом
радикало-променевої епітаксії
 
01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора фізико-математичних наук
Одеса – 2006


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана на кафедрі фізики
Бердянського державного педагогічного університету,
Міністерство освіти і науки України
Науковий консультант:
доктор фізико – математичних наук, професор
СУКАЧ Георгій Олексійович
Державний університет інформаційно-комунікаційних технологій, проректор з наукової роботи.
Офіційні опоненти:
доктор фізико – математичних наук, професор
ВІКУЛІН Іван Михайлович,
Одеська національна академія зв’язку ім.О.С.Попова,
завідувач кафедри фізики оптичного зв’язку,
вице-презідент Академії зв`язку України;
доктор фізико – математичних наук, професор
ДЕЙБУК Віталій Григорович,
Чернівецький національний університет
імені Юрія Федьковича, професор
кафедри комп’ютерних систем і мереж;
доктор фізико – математичних наук, професор
ПТАЩЕНКО Олександр Олександрович,
Одеський національний університет
імені І. І. Мечникова, завідувач кафедри
фізики твердого тіла і твердотільної електроніки.
Провідна установа: Інститут фізики НАН України
Захист відбудется “_31_ “____03____2006 р. о 14 годині на засіданні cпеціалізованої вченої ради Д 41.051.01 при Одеському національному університеті імені I. I. Мечникова за адресою: 65026, м. Одеса, вул. Дворянська буд. 2, Велика фізична аудиторія.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Одеського національного університету імені I. I. Мечникова за адресою: 65026, м. Одеса, вул. Дворянська буд. 2
Автореферат розісланий ”_23_” ____02____2006 p.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Федчук О.П.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми визначається широким використанням гетероструктур на основі сполук А3В5 та А2В6 у промисловому виробництві приладів оптоелектроніки (над`яскраві світловипромінюючі діоди, лазерні діоди, фотодетектори та ін.) і високочастотної та силової електроніки (діоди, біполярні та польові гетеро-транзистори тощо).
Для масового застосування бажаним є здешевлення виробництва таких приладів, що можливо шляхом заміни дорогих сапфірових і карбід-кремнієвих підкладок на більш дешеві й такі, що легко обробляються, зокрема на основі широко розповсюджених напівпровідників Si та GaAs. Разом з тим, розробка дешевих технологій масового виробництва приладів електроніки гальмується через те, що ряд фундаментальних фізичних питань залишаються не вирішеними, в першу чергу, одна із серйозних проблем, що виникає при епітаксійному нарощуванні (наприклад, GaN на GaAs) полягає в значному розходженні постійних граток і температурних коефіцієнтів розширення плівки GaN і підкладки GaAs. Така ситуація вимагає застосування, наприклад, поруватих підкладок GaAs. При цьому очікується отримання шарів GaN з мінімальними механічними напруженнями. Використання гетероструктур на основі таких підкладок дозволить у перспективі збільшити термін служби приладів оптоелектроніки та надвисокочастотної техніки.
Вирішення проблеми створення економічних та надійних світлодіодів та лазерів на основі сполук А3В5 та А2В6 залежить від розробки надійних способів управління складом точкових дефектів. Одним із способів цілеспрямованого керування ансамблем власних дефектів для підвищення стехіометрії по металоїду є відпал в активованому парі металоїдного компонента (так званий метод радикало-променевої епітаксії).
Таким чином, актуальність наукової проблеми, яка вирішується в даному дисертаційному дослідженні, обумовлена необхідністю розвитку наукових знань про фізико-технологічні процеси цілеспрямованого керування складом власних дефектів, а також практичними потребами підвищення ефективності використання гетероструктур з мінімальними механічними напруженнями за рахунок застосування поруватих підкладок на основі сполук А3В5 та А2В6.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22 



Реферат на тему: Гетероструктури на основі монокристалічних та поруватих сполук А2В6 та А3В5, отриманІ методом радикало-променевої епітаксії

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок