Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> РАДІАЦІЙНО-ІНДУКОВАНі ДЕФЕКТИ монокристалів Li2B4O7:Ln (Ln=Tm, Eu, Ce)

РАДІАЦІЙНО-ІНДУКОВАНі ДЕФЕКТИ монокристалів Li2B4O7:Ln (Ln=Tm, Eu, Ce)

Назва:
РАДІАЦІЙНО-ІНДУКОВАНі ДЕФЕКТИ монокристалів Li2B4O7:Ln (Ln=Tm, Eu, Ce)
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
19,81 KB
Завантажень:
235
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
Інститут монокристалів
Гринь Леонід Олексійович
УДК 535.34
РАДІАЦІЙНО-ІНДУКОВАНі ДЕФЕКТИ
монокристалів Li2B4O7:Ln (Ln=Tm, Eu, Ce)
01.04.07 - фізика твердого тіла
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Харків-2003
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Інституті монокристалів НАН України.
Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук, професор
Толмачов Олександр Володимирович,
Інститут монокристалів НАН України,
завідуючий відділом
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор
Милославський Володимир Костянтинович,
Харківський національний університет
ім. В.Н. Каразіна, кафедра фізичної оптики,
професор
кандидат фізико-математичних наук,
старший науковий співробітник
Гальчинецький Леонід Павлович,
Науково-технологічний Центр
радіаційного приладобудування,
НТК “Інститут монокристалів” НАН України,
провідний науковий співробітник
 
Провідна установа: Київський національний університет
iмені Тараса Шевченка, м. Київ, фізичний факультет
 
Захист відбудеться ” грудня 2003 р. о 14-00 на засіданні спеціалізованої вченої ради K 64.169.02 при Інституті монокристалів НАН України за адресою: 61001, м. Харків, пр. Леніна, 60.
З дисертацією можна ознайомитись в науковій бібліотеці Науково-технологічного комплексу “Інститут монокристалів” НАН України (пр. Леніна, 60).
Автореферат розісланий “ 14 ” листопада 2003 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради
кандидат фізико-математичних наук Притула І. М.
Загальна характеристика роботИ
Актуальність теми. Відмітною рисою макробудови кристалів кисневих сполук бору являється її існування у вигляді борокисневої сітки з елементарних структурних одиниць. Як і всі оксиди, ці кристали характеризуються значною делокалізацією електронної щільності, великою поляризованістю аніонів, мають велике електростатичне поле кристалічної гратки в області вакансії. Кристалічна структура боратів відзначається щільним пакуванням борокисневого аніонного каркасу і, відповідно, наявністю жорстких направлених міжатомних і міжблочних зв’язків.
Особливості будови і електронної структури кристалічної гратки боратів обумовлені просторовим розмежуванням аніонної і катіонної підграток. Ця характена риса боратних кристалів дуже яскраво проявляється, зокрема, в відомому ефективному п’єзоелектрику – тетрабораті літію Li2B4O7 (ТБЛ). В його каркасній структурі просторове компонування борокисневих одиниць має порожнини, які формують впорядковані канали іонної провідності (канали одновимірної міграції іонів Li+). Радіаційна стійкість кристалів ТБЛ обумовлена характером В-О зв’язків та щільною упаковкою аніонної підгратки, а відносна "пухкість" підгратки літію підвищує імовірність дефектоутворення в кристалічній гратці ТБЛ, що робить цей кристал перспективним матеріалом для вивчення пострадіаційних ефектів.
На початок виконання цієї роботи в літературі було відомо про прояв в інтервалі ?77?290К термостимульованої люмінесценції і термостимульованої провідності монокристалів ТБЛ (від кімнатної температури до ?550 К). Висловлювались припущення щодо наявності катіонних і аніонних вакансій, які виникають в процесі росту кристалів і внаслідок радіаційного впливу, а також щодо можливого зв’язку термосцинтиляцій з п’єзоелектричною природою ТБЛ. Більш детально вивчались монокристали ТБЛ:Сu+, в яких було встановлено існування високотемпературного активаторного піку ТСЛ при ?550-570 К і суттєве запасання світлосуми. Але в цілому відомості про природу і енергетичний стан радіаційно-індукованих дефектів у кристалах ТБЛ були малочисельні і дещо суперечливі. Повністю була відсутньою інформація про вирощування і характеристики монокристалів ТБЛ, активованих рідкісноземельними елементами.
Фізика радіаційних дефектів діелектричних кристалів являє собою одну з найважливіших складових фізики твердого тіла. Тому необхідність розширення наукових уявлень стосовно природи радіаційної стійкості і механізмів радіаційного дефектоутворення у кристалах боратів, зокрема у п’єзоелектричних монокристалах лужних боратів ТБЛ:Ln, в поєднанні з практичними потребами розробки нових матеріалів для реєстрації іонізуючого випромінювання, і визначили напрямок досліджень даної роботи.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 



Реферат на тему: РАДІАЦІЙНО-ІНДУКОВАНі ДЕФЕКТИ монокристалів Li2B4O7:Ln (Ln=Tm, Eu, Ce)

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок