Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ЕФЕКТИ КЛАСТЕРИЗАЦІЇ РАДІАЦІЙНИХ ДЕФЕКТІВ В АТОМАРНИХ І БІНАРНИХ НАПІВПРОВІДНИКАХ

ЕФЕКТИ КЛАСТЕРИЗАЦІЇ РАДІАЦІЙНИХ ДЕФЕКТІВ В АТОМАРНИХ І БІНАРНИХ НАПІВПРОВІДНИКАХ

Назва:
ЕФЕКТИ КЛАСТЕРИЗАЦІЇ РАДІАЦІЙНИХ ДЕФЕКТІВ В АТОМАРНИХ І БІНАРНИХ НАПІВПРОВІДНИКАХ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
42,14 KB
Завантажень:
219
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22  23  24  25  26  27  28  29 
КИЇВСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
ІМЕНІ ТАРАСА ШЕВЧЕНКА
ДОЛГОЛЕНКО ОЛЕКСАНДР ПЕТРОВИЧ
УДК 621.315.592
ЕФЕКТИ КЛАСТЕРИЗАЦІЇ РАДІАЦІЙНИХ ДЕФЕКТІВ В АТОМАРНИХ
І БІНАРНИХ НАПІВПРОВІДНИКАХ
01.04.07 – фізика твердого тіла
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора фізико_математичних наук
Київ – 
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Інституті ядерних досліджень НАН України.
Науковий консультант: доктор фізико-математичних наук, професор
Литовченко Петро Григорович
Інститут ядерних досліджень НАН України,
заступник директора, завідувач відділу радіаційної фізики
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор
Лашкарьов Георгій Вадимович
Інститут проблем матеріалознавства НАНУ,
провідний науковий співробітник
доктор фізико-математичних наук, професор
Данильченко Борис Олександрович
Інститут фізики НАН України,
завідувач відділу фізики радіаційних процесів
доктор фізико-математичних наук, професор
Скришевський Валерій Антонович
Київський національний університет імені Тараса Шевченка,
професор кафедри напівпровідникової електроніки
Захист відбудеться 24.06.2008 р. о 14 год. хв. на засіданні спеціалізованої вченої ради Д .001.23 в Київському національному університеті імені Тараса Шевченка за адресою: 03680, м. Київ, просп. Глушкова, , корпус , фізичний факультет, ауд. .
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Київського національного університету імені Тараса Шевченка за адресою: 01033, м. Київ, вул. Володимирська, 58.
Автореферат розісланий 22.05.2008 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Д 26.001.23,
доктор фізико-математичних наук, професор Л. В. Поперенко 


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Кремній, завдяки своїм унікальним властивостям, необмеженим природним запасам вихідної сировини, є основним матеріалом мікроелектронної техніки, застосовується у виробництві детекторів ядерного випромінювання, є основним компонентом сполук, які використовуються для прямого перетворення ядерної енергії в електричну.
Бурхливий розвиток ядерної енергетики, широке застосування напівпровідникових приладів на основі кремнію привело до того, що виробництво кремнію високої чистоти неухильно зростає у світі. Широке використання різних методів дослідження, у тому числі ЕПР, DLTS, електронної мікроскопії дозволило розшифрувати природу багатьох простих дефектів, що висунуло кремній на позицію модельного напівпровідника. Багато напівпровідникових приладів на основі кремнію, які працюють у полях ядерного випромінювання в атомній та космічній техніці, змінюють свої властивості. Передбачити їх термін дії, а тим паче продовжити його, – цими питаннями займається вже п'ять десятиліть радіаційна фізика.
Радіаційна фізика, досліджуючи вплив ядерних випромінювань на електрофізичні властивості напівпровідників та металів, що мають велике прикладне значення, неухильно розвивається. У ядерній фізиці використовується все більш жорстке ядерне випромінювання, під впливом якого у напівпровідниках утворюються не тільки точкові дефекти, але й складні пошкодження структури ґратки у вигляді скупчень дефектів. Кластеризація радіаційних дефектів приводить до утворення областей стабільних радіаційних дефектів, оточених просторовим зарядом. Ці області ефективно зменшують рухливість носіїв заряду і геометрично блокують їх потоки. Ефекти кластеризації вакансійних та міжвузлового типу дефектів приводять до їх просторового розділення. Існуючі моделі кластерів дефектів не дають можливості передбачити зміну електрофізичних властивостей напівпровідників при зниженні температури.
Використання напівпровідникових приладів у полях ядерних випромінювань і необхідність продовження терміну їх служби змушує шукати шляхи підвищення радіаційної стійкості таких приладів за цілеспрямованої зміни електрофізичних властивостей матеріалу. Так, використання ядерних детекторів у системах суперколайдерів (світлосила 1035 см_ • с_) потребує підвищення їх радіаційної стійкості до 1016o • см_.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22  23  24  25  26  27  28  29 



Реферат на тему: ЕФЕКТИ КЛАСТЕРИЗАЦІЇ РАДІАЦІЙНИХ ДЕФЕКТІВ В АТОМАРНИХ І БІНАРНИХ НАПІВПРОВІДНИКАХ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок