Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> КОМПЕНСАЦІЙНІ ТА НЕРІВНОВАЖНІ ПРОЦЕСИ У ТЕЛУРИДІ КАДМІЮ І ТВЕРДИХ РОЗЧИНАХ НА ЙОГО ОСНОВІ

КОМПЕНСАЦІЙНІ ТА НЕРІВНОВАЖНІ ПРОЦЕСИ У ТЕЛУРИДІ КАДМІЮ І ТВЕРДИХ РОЗЧИНАХ НА ЙОГО ОСНОВІ

Назва:
КОМПЕНСАЦІЙНІ ТА НЕРІВНОВАЖНІ ПРОЦЕСИ У ТЕЛУРИДІ КАДМІЮ І ТВЕРДИХ РОЗЧИНАХ НА ЙОГО ОСНОВІ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
33,22 KB
Завантажень:
262
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20 
ЧЕРНІВЕЦЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
ІМЕНІ ЮРІЯ ФЕДЬКОВИЧА
ПАРФЕНЮК ОРЕСТ АРХИПОВИЧ
УДК 621.325.592
 
КОМПЕНСАЦІЙНІ ТА НЕРІВНОВАЖНІ ПРОЦЕСИ
У ТЕЛУРИДІ КАДМІЮ І ТВЕРДИХ РОЗЧИНАХ
НА ЙОГО ОСНОВІ
01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора фізико-математичних наук
Ч е р н і в ц і – 2007
Дисертацією є рукопис
Робота виконана на кафедрі електроніки і енергетики Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича Міністерства освіти і науки України
Науковий консультант: | доктор фізикоматематичних наук, професор Горлей Петро Миколайович, Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, завідувач кафедри електроніки і енергетики
Офіційні опоненти: | доктор фізико-математичних наук, професор Стахіра Йосип Михайлович, Львівський національний університет імені Івана Франка, завідувач кафедри фізики напівпровідників
доктор фізико-математичних наук, професор Лепіх Ярослав Ілліч, Одеський національний університет імені І.І. Мечнікова, завідувач науково-дослідної лабораторії
доктор фізикоматематичних наук, професор Ковалюк Захар Дмитрович, Чернівецьке відділення Інституту проблем матеріалознавства імені І.М.Францевича, керівник відділення
Провідна установа: | Інститут фізики напівпровідників імені
В.Є.Лашкарьова НАН України, м. Київ
Захист відбудеться “28” вересня 2007 року о 17 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 76.051.01 при Чернівецькому національному університеті імені Юрія Федьковича за адресою: вул. Коцюбинського 2, м. Чернівці, 58012; тел.(8-03722) 52-52-48.
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича за адресою: вул. Лесі Українки 23, м. Чернівці, 58012.
Автореферат розіслано “___” серпня 2007 року.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради М.В.Курганецький
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Одним із основних напрямів прогресу економічно розвинутих держав є розвиток електронної промисловості, основу якої складає електронна компонентна база з високим рівнем технічних характеристик – напівпровідникові та електронні прилади. Це передбачає створення напівпровідникових матеріалів з прогно-зо-ваними властивостями та конкурентноспроможних приладів на їх основі для охорони здоров'я, телекомунікацій, моніторінгу (зокрема ядерного) зовнішнього середовища тощо. Телурид кадмію і тверді розчини Cd1-xMexTe (Me=Zn, Mn, Mg) на його основі належить до числа найперспективніших для такого використання напівпровідників, що зумовлено притаманністю для них багатьох важливих властивостей. Наприклад, для телуриду кадмію це великий атомний номер, широка заборонена зона, можливість володіти електронною та дірковою провідністю у значному діапазоні зміни концентрації носіїв (від ~ 106см-3 до ~ 1016см-3), великі рухливості носіїв заряду (µn 1000cм2/В·с; µр 100cм2/В·с), малий показник заломлення світла (nCdTe = 2,67 при ?=10,6мкм), широка область прозорості, одне з найбільших серед напівпровідникових матеріалів значення електрооптичного коефіцієнта, висока чутливість до дії іонізуючих випромінювань і т.д.
Незважаючи на те, що дослідження з технології отримання та фізичних властивостей CdTe і його твердих розчинів проводяться вже упродовж тривалого проміжку часу, задача отримання монокристалів з мінімально можливими концентраціями рівноважних носіїв і незмінними в часі параметрами залишається актуальною. Складність цієї задачі зумовлена тим, що, зокрема, нелегований телурид кадмію характери-зується малим питомим опором (?=102103Ом·см) і йому властиві низькотемпературні зміни електрофізичних параметрів. Тому для отримання високоомних кристалів CdTe (і його твердих розчинів), необхідних для створення сучасних приладів дозиметрії та моніторінгу, приймачів оптичних ліній передачі інформації тощо, вихідний матеріал потрібно легувати домішками, які створюють глибокі донорні рівні і компенсують власні акцепторні дефекти.
Вивченню механізмів компенсації у телуриді кадмію, легованому атомами домішок, які створюють мілкі донорні рівні (елементи III і VII груп), присвячена значна кількість праць.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20 



Реферат на тему: КОМПЕНСАЦІЙНІ ТА НЕРІВНОВАЖНІ ПРОЦЕСИ У ТЕЛУРИДІ КАДМІЮ І ТВЕРДИХ РОЗЧИНАХ НА ЙОГО ОСНОВІ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок