Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ВПЛИВ ЕЛЕКТРОН-ДЕФОРМАЦІЙНОЇ ВЗАЄМОДІЇ НА ЕЛЕКТРОННІ СТАНИ ТА ПЕРЕРОЗПОДІЛ ЕЛЕКТРОННОЇ ГУСТИНИ В ШИРОКОЗОННИХ НАПІВПРОВІДНИКАХ З ДИСЛОКАЦІЯМИ

ВПЛИВ ЕЛЕКТРОН-ДЕФОРМАЦІЙНОЇ ВЗАЄМОДІЇ НА ЕЛЕКТРОННІ СТАНИ ТА ПЕРЕРОЗПОДІЛ ЕЛЕКТРОННОЇ ГУСТИНИ В ШИРОКОЗОННИХ НАПІВПРОВІДНИКАХ З ДИСЛОКАЦІЯМИ

Назва:
ВПЛИВ ЕЛЕКТРОН-ДЕФОРМАЦІЙНОЇ ВЗАЄМОДІЇ НА ЕЛЕКТРОННІ СТАНИ ТА ПЕРЕРОЗПОДІЛ ЕЛЕКТРОННОЇ ГУСТИНИ В ШИРОКОЗОННИХ НАПІВПРОВІДНИКАХ З ДИСЛОКАЦІЯМИ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
14,31 KB
Завантажень:
413
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
ЧЕРНІВЕЦЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
ІМЕНІ ЮРІЯ ФЕДЬКОВИЧА
БАРАН МАР’ЯНА МИХАЙЛІВНА
УДК 53.01.043.+538.9
ВПЛИВ ЕЛЕКТРОН-ДЕФОРМАЦІЙНОЇ ВЗАЄМОДІЇ НА
ЕЛЕКТРОННІ СТАНИ ТА ПЕРЕРОЗПОДІЛ ЕЛЕКТРОННОЇ
ГУСТИНИ В ШИРОКОЗОННИХ НАПІВПРОВІДНИКАХ
З ДИСЛОКАЦІЯМИ
01.04.10 Фізика напівпровідників і діелектриків
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Чернівці 2005


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана на кафедрі загальної фізики Інституту фізики, математики та інформатики Дрогобицького державного педагогічного університету імені Івана Франка.
Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук, професор,
Пелещак Роман Михайлович, Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка, завідувач кафедри загальної фізики.
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор,
Ваврух Маркіян Васильович, Львівський національний університет імені Івана Франка, завідувач кафедри астрофізики,
доктор фізико-математичних наук, професор,
Паранчич Степан Юрійович, Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, професор кафедри фізики напівпровідників і наноструктур.
Провідна установа: Інститут фізики НАН України, відділення теоретичної фізики, м. Київ.
Захист відбудеться „_01__” _липня 2005 року о 15.00 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 76.051.01 Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича за адресою: 58012, Чернівці, вул. Коцюбинського, 2.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича за адресою: 58012, Чернівці, вул. Коцюбинського, 2.
Автореферат розісланий „ 30” травня 2005 року.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради М.В. Курганецький


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Подальший прогрес у створенні сучасних опто-мікроелектронних пристроїв залежить від вивчення фізичної природи закономірностей структури електронних рівнів та їх перебудови взаємопов’язаної з просторовим перерозподілом електронів провідності у напівпровідниках з точковими, плоскими, лінійними дефектами та дефектами деформаційного походження. Ці дефекти виникають при стандартних технологічних операціях (механічна обробка поверхні, термообробка, іонна імплантація та епітаксія), які виконуються з напівпровідниковими матеріалами, що використовуються при побудові цих приладів. Особливо це стосується легованих напівпровідникових матеріалів з високим ступенем пластичності (CdTe:Cl; ZnSe:Al, Ga; Sm1-xCdxS, 0.15<x?0.22), в яких проявляється самоузгодженим чином сильний електрон-деформаційний зв’язок. Періодично розміщені лінійні дефекти (стінка дислокацій невідповідності) виникають також при отриманні епітаксійних шарів з неузгодженими параметрами граток підкладки та нарощуваного шару (наприклад, ZnSe/GaAs (001)) за рахунок релаксації напружень.
Знаючи закономірності перебудови електронних рівнів, взаємопов’язаної з просторовим розподілом електронної густини у напівпровідниках з дислокаціями, можна прогнозовано керувати деградаційними ефектами, які зумовлені як “розмиттям” носіїв заряду в енергетичному вікні порядку kT, так і наявністю точкових дефектів. Просторовий розподіл останніх визначається глибиною локальних електрон-деформаційних ям поблизу дислокацій.
Як правило, теоретичні дослідження енергетичного спектру електронів, локалізованих на дислокаціях, проводяться тільки або в рамках моделі екранованого дебаївського (рідовського) потенціалів [1-3], або механіко-деформаційного [4-7] без самоузгодженого врахування взаємодії деформації гратки з електронною підсистемою кристалу. В рамках зонного підходу цей взаємозв’язок може по-різному впливати на дислокаційні електронні рівні, на енергію зв’язку домішки з крайовою дислокацією, просторовий перерозподіл електронів провідності як в околі окремої дислокації, так і в околі стінки дислокацій, а також на діодні властивості дислокаційного бар’єру в залежності від ступеня заповнення зони провідності.
Тому теоретичні дослідження впливу електрон-деформаційної взаємодії на електронні стани та їх заповнення у напівпровідниках та гетеросистемах з дислокаціями є актуальними і обґрунтованими як з наукової, так і практичної сторін.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: ВПЛИВ ЕЛЕКТРОН-ДЕФОРМАЦІЙНОЇ ВЗАЄМОДІЇ НА ЕЛЕКТРОННІ СТАНИ ТА ПЕРЕРОЗПОДІЛ ЕЛЕКТРОННОЇ ГУСТИНИ В ШИРОКОЗОННИХ НАПІВПРОВІДНИКАХ З ДИСЛОКАЦІЯМИ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок