Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> НАДЧИСТІ СТРУКТУРНО ДОСКОНАЛІ МОНОКРИСТАЛИ КРЕМНІЮ ДЛЯ ДЕТЕКТОРІВ І ПРИЙМАЧІВ ВИПРОМІНЮВАННЯ

НАДЧИСТІ СТРУКТУРНО ДОСКОНАЛІ МОНОКРИСТАЛИ КРЕМНІЮ ДЛЯ ДЕТЕКТОРІВ І ПРИЙМАЧІВ ВИПРОМІНЮВАННЯ

Назва:
НАДЧИСТІ СТРУКТУРНО ДОСКОНАЛІ МОНОКРИСТАЛИ КРЕМНІЮ ДЛЯ ДЕТЕКТОРІВ І ПРИЙМАЧІВ ВИПРОМІНЮВАННЯ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
30,07 KB
Завантажень:
438
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18 
На основе кремния полупроводниковой чистоты в настоящее время изгот
авливается более 85% твердотельных электронных устройств различного наз
начения и на ближайшие десятилетия, его позиция будет оставаться неизме
нной


МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ УКРАЇНИ
ХЕРСОНСЬКИЙ ДЕРЖАВНИЙ ТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
ТРУБІЦИН Юрій Васильович
УДК 621.315.592 (088.8)
НАДЧИСТІ СТРУКТУРНО ДОСКОНАЛІ МОНОКРИСТАЛИ КРЕМНІЮ ДЛЯ ДЕТЕКТОРІВ І ПРИЙМАЧІВ ВИПРОМІНЮВАННЯ
05.27.06. – технологія, обладнання та виробництво електронної техніки
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня доктора технічних наук
Херсон - 2001




Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Державному науково-дослідному і проектному інституті титану Міністерства економіки України
Офіційні опоненти: Член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор
Литовченко Володимир Григорович,
Інститут фізики напівпровідників НАН України, зав. відділу;
Доктор технічних наук, професор
Мокрицький Вадим Анатольєвич,
Одеський державний політехнічний університет, зав. кафедрою;
Доктор технічних наук, професор
Шарко Олександр Володимирович,
Херсонський державний технічний університет, зав. кафедрою;
Провідна установа: Інститут проблем матеріалознавства НАН України, м. Київ
Захист відбудеться " 06 " квітня 2001р. о 12 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д67.052.03 при Херсонському державному технічному університеті за адресою: 73008, м. Херсон, Беріславське шосе, 24
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Херсонського державного технічного університету
Автореферат розіслано " 05 "марта 2001 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Литвиненко В.М.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність тими. На основі напівпровідникового кремнію (Si) сьогодні виготовляється більше 85% твердотільних електронних пристроїв різного призначення. За останнє десятиріччя виробництво монокристалічного Si зберігало стійку тенденцію не менш 10%-го щорічного приросту його обсягів.
Монокристали Si, що використовуються для виготовлення детекторів і фотоприймачів випромінювань, одержують винятково методом бестигельной зонної плавки (БЗП). Вони повинні мати питомий електричний опір (ПЭО) не менш 1000 Ом.см, n- чи p-тип електропровідності. Одночасно потрібно забезпечити обмеження по вмісту електричноактивних домішок (В,Р) на рівні не більш 1.1013 см-3, домішок О і С -не більш 5.1016 см-3, домішок важких і лужних металів не більш 5.1013 см-3. Крім того, успіх застосування такого матеріалу в приладах визначається високою однорідністю об'ємного розподілу цих домішок, високим значенням величини часу життя нерівноважних носіїв заряду (н.н.з.), досконалістю кристалічної структури. Умовно такий кремній називають “надчистим” чи “високоомним”.
До 80-х років у країні була відсутня промислова технологія одержання надчистого монокристалічного Si внаслідок вкрай низького виходу в готову продукцію. Потреба в такому матеріалі для спеціального приладобудування за наступні роки зросла більш ніж у 30 разів, а на початку 90-х досягла 1500 т для створення великомасштабних колайдерів .
До моменту початку даних досліджень був відсутній системний науковий підхід до створення промислової технології отримання надчистого детекторного Si методом БЗП і, зокрема, не було чітких уявлень про взаємозв'язок технологічних факторів вирощування з електрофізичними параметрами монокристалів кремнію.
Зв'язок роботи з науковими програмами, планами, темами. В роботі систематизовано результати досліджень автора по одержанню надчистих монокристалів Si на Запорізькому титано-магниєвому комбінаті (ЗТМК) у галузевій лабораторії бестигельної зонної плавки. Роботу з 1994р. було продовжено автором в лабораторії напівпровідникових матеріалів Державного науково-дослідного і проектного інституту титану в рамках Держзамовлень по науково-технічних програмах в якості наукового керівника та відповідального виконавця: Національна програма України "Критичні технології" (Постанова Кабміну України № 310 від 16.03.94.) тема № 10-94-94, № Держрегістрації 0194V040076 "Розробка базових технологій і устаткування великотонажного виробництва сировини і високо чистих напівпровідникових матеріалів для ВОЛЗ, електронної й електротехнічної промисловості України"; “Нові речовини і матеріали” Мінпромполітики і Міннауки України тема 10-94-150, № Держрегістрації 0194V012771 "Розробити Державну програму розвитку виробництва напівпровідникових матеріалів в Україні"; тема 10-95-105, № Держрегістрації 0195V023451 "Розробити промислову технологію одержання монокристалічного кремнію, стійкого до впливу зовнішніх факторів на устаткуванні ЗТМК"; тема 10-95-164, № Держрегістрації 0196V017249 "Розробити технологію виробництва трихлорсилану, полікристалічного і монокристалічного кремнію для одержання об'ємних монокристалів діаметром 150-200 мм і устаткування для виготовлення з них пластин"; "Комплексна програма розвитку кольорової металургії України на період до 2010 року" (Постанова Кабміну України № 1917 від 18.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18 



Реферат на тему: НАДЧИСТІ СТРУКТУРНО ДОСКОНАЛІ МОНОКРИСТАЛИ КРЕМНІЮ ДЛЯ ДЕТЕКТОРІВ І ПРИЙМАЧІВ ВИПРОМІНЮВАННЯ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок