Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Сучасні підходи у визначенні параметрів глибоких рівнів в напівпровідниках методом релаксаційної спектроскопії

Сучасні підходи у визначенні параметрів глибоких рівнів в напівпровідниках методом релаксаційної спектроскопії

Назва:
Сучасні підходи у визначенні параметрів глибоких рівнів в напівпровідниках методом релаксаційної спектроскопії
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
11,81 KB
Завантажень:
388
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7 
Київський Університет імені Тараса Шевченка
Бойко Юрій Володимирович
УДК 621.382
Сучасні підходи у визначенні параметрів
глибоких рівнів в напівпровідниках методом
релаксаційної спектроскопії
Спеціальність
01.04.10 – фізика напівпровідників та діелектриків
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Київ – 1999
Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Київському університеті імені Тараса Шевченка.
Науковий керівник: Третяк Олег Васильович
доктор фіз.-мат. наук, професор, зав.кафедрою,
Київський університет імені Тараса Шевченка.
Офіційні опоненти: Комащенко Валерій Миколайович,
доктор фіз.-мат. наук, ст. н. співробітник,
зав. відділом,
Інститут фізики напівпровідників НАН України.
Крайчинський Анатолій Миколайович,
доктор фіз.-мат. наук, ст. н. співробітник,
т.в.о. зав. відділом,
Інститут фізики НАН України.
Провідна установа: Ужгородський державний університет.
Захист відбудеться ‘24’ травня 1999 р. о 16.00 годині в ауд. №46 на засіданні спеціалізованої вченої ради Д26.001.31 в Київському університеті імені Тараса Шевченка за адресою: 252127, Київ-127, пр. Глушкова, 6, радіофізичний факультет.
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Київського універси-те-ту імені Тараса Шевченка (м. Київ, вул. Володимирська, 58)
Автореферат розісланий 23 квітня 1999р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради А.Г. Шкавро
Загальна характеристика роботи
Актуальність теми. Вивчення характеристик матеріалу відіграє важливу роль в технології виробництва напівпровідникових приладів. Глибокі рівні у забороненій енергетичній зоні напівпровідника впливають на па-ра-метри напівпровідникових приладів. Цей вплив може бути як позитивним (наприклад, в разі введення домішки золота в кремній для зменшення часу життя носіїв заряду в швидкодіючих діодах), так і негативним (як у разі зменшення ефективності випромінення в світлодіодах та лазерах через наявність безвипромінюваль-них рекомбінаційних вловлювачів). В обох випадках існує необхідність контролю наявності глибоких рівнів та визначення їх електрофізичних параметрів.
Якщо порівнювати всі наявні методи контролю параметрів глибоких рівнів, то виявиться, що найбільші переваги надає релаксаційна спектроскопія глибоких рівнів, скорочено РСГР. Метод дозволяє розрізняти вловлювачі для основних і неосновних носіїв, реєструвати глибокі центри при концентрації, що складає одну десятитисячну від концентрації вільних носіїв (при цьому однаково добре реєструються як випромінювальні, так і безвипромінювальні центри). Метод має високу роздільну здатність, дозволяє досить просто інтерпретувати дані експери-мен-ту, дає змогу визначити такі параметри: розташування глибо-ких рівнів в забороненій зоні в широкому діапазоні енергій, профіль концентрації глибоких рівнів, переріз захоплення для електронів та дірок.
Дослідження параметрів глибоких рівнів методом РСГР базується на експоненціальній залежності ємності досліджуваної структури від часу при зміні температури під час дії збіднюючих імпульсів напруги. Тоді для знаходження величини сигналу та сталої часу релаксації використовується часовий дискримінатор із запропонованою Ленгом кореляційною функцією (такий підхід відомий як метод “вузьких стробів”). Вико-ристан-ня іншого методу “широких стробів” дозволяє добитися підвищення спів-відношення сигнал/шум, але вимагає ускладнення розрахункової частини через складнішу залежність форми РСГР-спектру від часових параметрів кореля-цій-ної функції.
Існує цілий комплекс питань актуальний для розробки багатьох сучасних напівпровідникових приладів, відповідь на які вимагає значної модифікації стандартного методу РСГР. Серед цих питань слід відзначити: а) проблему зменшення розмірів напівпровіднико-вих елементів, що зазвичай викликає і зменшення їх ємності; б) дослідження характеристик глибоких рівнів, що релаксують з близькими часовими сталими; в) визначення параметрів поверхне-вих та об’ємних рівнів у ви-пад-ку їх квазі-не-пе-рер-вного розподілу за енергією.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7 



Реферат на тему: Сучасні підходи у визначенні параметрів глибоких рівнів в напівпровідниках методом релаксаційної спектроскопії

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок