Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> СТРУКТУРНІ ЗМІНИ В КРИСТАЛАХ КРЕМНІЮ, ОПРОМІНЕНИХ ВИСОКОЕНЕРГЕТИЧНИМИ ЧАСТКАМИ, ЗА ДАНИМИ Х-ПРОМЕНЕВОЇ ДИФРАКТОМЕТРІЇ ТА ВНУТРІШНЬОГО ТЕРТЯ

СТРУКТУРНІ ЗМІНИ В КРИСТАЛАХ КРЕМНІЮ, ОПРОМІНЕНИХ ВИСОКОЕНЕРГЕТИЧНИМИ ЧАСТКАМИ, ЗА ДАНИМИ Х-ПРОМЕНЕВОЇ ДИФРАКТОМЕТРІЇ ТА ВНУТРІШНЬОГО ТЕРТЯ

Назва:
СТРУКТУРНІ ЗМІНИ В КРИСТАЛАХ КРЕМНІЮ, ОПРОМІНЕНИХ ВИСОКОЕНЕРГЕТИЧНИМИ ЧАСТКАМИ, ЗА ДАНИМИ Х-ПРОМЕНЕВОЇ ДИФРАКТОМЕТРІЇ ТА ВНУТРІШНЬОГО ТЕРТЯ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
19,48 KB
Завантажень:
156
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 
ЧЕРНIВЕЦЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНIВЕРСИТЕТ
iмені Юрія Федьковича
ГУЦУЛЯК
БОГДАН ІВАНОВИЧ
УДК 548.734
СТРУКТУРНІ ЗМІНИ В КРИСТАЛАХ КРЕМНІЮ, ОПРОМІНЕНИХ
ВИСОКОЕНЕРГЕТИЧНИМИ ЧАСТКАМИ, ЗА ДАНИМИ
Х-ПРОМЕНЕВОЇ ДИФРАКТОМЕТРІЇ ТА ВНУТРІШНЬОГО ТЕРТЯ
Спеціальність 01.04.07 - фізика твердого тіла
Автореферат
дисертацiї на здобуття наукового ступеня
кандидата фiзико-математичних наук
Чернiвцi – 2005


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана на кафедрі фізики твердого тіла Чернівецького
національного університету імені Юрія Федьковича.
Міністерство освіти і науки України
Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук, професор
Фодчук Ігор Михайлович,
Чернівецький національний університет
імені Юрія Федьковича,
професор кафедри фізики твердого тіла
Офiцiйнi опоненти: доктор фізико-математичних наук, ст.наук.співробітник
Кладько Василь Петрович,
Інститут фізики напівпровідників
імені В.Є. Лашкарьова НАН України
м. Київ, завідувач відділом
доктор технічних наук, професор
Годованюк Василь Миколайович,
ЦКБ “Ритм”
м. Чернівці, голова правління
Провідна організація: Iнститут металофізики імені Г.В. Курдюмова НАН України, м. Київ.
Захист відбудеться “ 25 “ листопада 2005р. о 1500 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 76.051.01 при Чернівецькому національному університеті імені Юрія Федьковича за адресою: 58012, м. Чернівці, вул. Коцюбинського, 2.
З дисертацією можна ознайомитися в науковій бібліотеці Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича (вул. Лесі Українки, 23).
Автореферат розісланий “ 25 “ жовтня 2005р.
Вчений секретар
спецiалiзованої вченої ради Курганецький М.В.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми досліджень.
Дисертація присвячена дослідженню методами Х- променевої дифрактометрії та внутрішнього тертя структурних змін в кристалах кремнію опромінених високоенергетичними частками.
Найбільшою проблемою, яка виникає в процесі використання напівпровідникових пристроїв є зміна їх параметрів з часом та під дією зовнішніх чинників, таких як температура та жорстке опромінення. Процеси, які протікають у напівпровіднику при термообробках та опроміненні, супроводжуються утворенням нових і взаємодією вже існуючих дефектів, які в основному і впливають на його фотоелектричні властивості. Тож будь-яка зміна дефектно - домішкової структури та розподілом напруг по кристалу в цілому буде впливати на фотоелектричні властивості кристалу, а отже і на параметри приладу. Тому аналіз зміни структурної досконалості напівпровідникових матеріалів і встановлення її взаємозв’язку з характеристиками приладів має важливе наукове і практичне значення.
Опромінення високоенергетичними частками напівпровідникових кристалів приводить до генерування радіаційних дефектів. Первинні радіаційні дефекти є термічно нестабільними та достатньо рухливими. У процесі міграції по кристалу такі дефекти можуть анігілювати або утворювати більш стабільні комплекси як один з одним, так і з атомами домішок. Ступінь пошкодження опроміненого матеріалу в значній мірі визначається вторинними процесами, які залежать від ряду внутрішніх (початкова досконалість кристалів, склад домішок, спосіб отримання і т.д.) та зовнішніх (енергія і вид частинок, якими бомбардують матеріал, доза опромінення, температура і т.д.) факторів. Внаслідок різноманітності вторинних процесів, сучасний стан теорії зіткнень не дозволяє на основі лише одних розрахунків зробити висновок про природу та всі типи радіаційних дефектів. Отже, основну роль у вирішенні такої проблеми відіграють експериментальні дослідження.
Тому важливого значення набуває розширення можливостей неруйнівних Х-променевих дифрактометричних методів по визначенню параметрів, що характеризують структурні зміни в опромінених високоенергетичними частками напівпровідникових кристалах. Окрім вивчення закономірностей впливу дефектної структури на формування кривих дифракційного відбивання Х- променів та повну інтегральну відбивну здатність їх кристалами, які містять, як правило, досить складні деформаційні поля, значний інтерес представляють також дослідження розсіяння Х- променів в акустично збуджених кристалах.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 



Реферат на тему: СТРУКТУРНІ ЗМІНИ В КРИСТАЛАХ КРЕМНІЮ, ОПРОМІНЕНИХ ВИСОКОЕНЕРГЕТИЧНИМИ ЧАСТКАМИ, ЗА ДАНИМИ Х-ПРОМЕНЕВОЇ ДИФРАКТОМЕТРІЇ ТА ВНУТРІШНЬОГО ТЕРТЯ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок