Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Дослідження процесів утворення та відпалу термодефектів в кремнії

Дослідження процесів утворення та відпалу термодефектів в кремнії

Назва:
Дослідження процесів утворення та відпалу термодефектів в кремнії
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
14,65 KB
Завантажень:
407
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ
ПУЗЕНКО ОЛЕНА ОЛЕКСАНДРІВНА
УДК 621.315.592.
Дослідження процесів утворення та
відпалу термодефектів в кремнії
01.04.07- фізика твердого тіла
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико- математичних наук
Київ -1999


Дисертацією є рукопис
Робота виконана у відділі фізики радіаційних процесів Інституту фізики НАН України
Науковий керівник: | доктор фіз.-мат. наук, Крайчинський Анатолій Миколайович, Інститут фізики НАН України,
в.о. завідувача відділом
Офіційні опоненти : | доктор фіз.-мат. наук, професор, Бабич Вілік Максимович, Інститут фізики напівпровідників НАН України, завідувач відділом.
доктор фіз.-мат. наук, професор, Данильченко Борис Олександрович, Інститут фізики НАН України, провідний науковий співробітник.
Провідна установа: | Київський національний університет ім.Т.Г.Шевченка, радіофізичний факультет, кафедра напівпровідникової електроніки
Захист відбудеться “25” листопада 1999 р. о 16 год. на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 26.159.01 в Інституті фізики НАН України за адресою: 252028, Київ - 28, пр. Науки, № 46.
Автореферат розісланий “25” жовтня 1999 р.
З дисертацією можна ознайомитись в бібліотеці Інституту фізики.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Іщук В.А.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми Oсновним матеріалом сучасної напівпровідникової мікроелектроніки є кремній. Виробництво практично усіх кремнієвих приладів та інтегральних схем тим або іншим чином пов’язане з термічною обробкою. Тому, досить важливо встановити, які зміни відбуваються в Si в процесі термічного впливу, так як прогрівання кремнію (навіть короткочасне і при порівняно невисоких температурах) може суттєво змінити його електричні параметри, створити нові структурні дефекти та призвести до перебудови тих, що вже існують у вихідному матеріалі. Для кремнію, вирощеного методом Чохральського, ця проблема має особливе значення в зв’язку з преципітацією основної фонової домішки - кисню. Перевищуючи в більшості практично важливих випадках за концентрацією всі інші домішки, саме кисень визначає зміну властивостей Si в процесі термообробок (ТО) та під опроміненням. Це зв’язано з тим, що атоми кисню, електрично нейтральні у вихідному стані, входять до складу основних термо- та радіаційних дефектів Si (термодонорів, А-центрів).
Крім того, при вирощуванні кристалів методом Чохральського існує цілий ряд причин, що приводять до появи мікроскопічних флуктуацій домішки кисню (МФК) в їх об’ємі. Існування таких мікроскопічних неоднорідностей небажане, особливо коли МФК стають співрозмірними з розмірами елементів мікросхем. Неоднорідності просторової локалізації кисню в кремнії з розмірами менше 10 мкм (довжина хвилі оптичного поглинання атомами кисню в Si) є недоступними для дослідження традиційними прямими методами. Проте МФК відіграють суттєву роль в процесах утворення, знищення та деяких властивостях кисневмісних термо- та радіаційних дефектів. Цим зумовлено практичний інтерес дослідити залежність темпу їх генерації, дисоціації або перебудови від просторового розподілу та фазового стану кисню, наявності інших домішок, власних структурних та радіаційних дефектів. Особливістю даної роботи є спроба отримати нову інформацію про природу та властивості термодефектів в Si з аналізу впливу попередньої термообробки та опромінення саме на кінетику утворення кисневих дефектів, еволюцію їх властивостей в ході накопичення і знищення. Це і передумовило мету та конкретні напрямки її реалізації в дисертаційній роботі.
Зв’язок роботи з науковими програмами, темами. Дисертаційні дослідження зв’язані з наступними темами науково-дослідної роботи відділу фізики радіаційних процесів Інституту НАН України: “Дослідження фізичних властивостей радіаційних та термічних дефектів в об’ємі і на поверхні неметалевих кристалів перспективної мікро- та оптоелектроніки”, “Дослідження процесів взаємодії радіаційних, технологічних і термічних дефектів в кремнії, германії, сумішах Si-Ge та в мікроелектронних приладах на їх основі”.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8 



Реферат на тему: Дослідження процесів утворення та відпалу термодефектів в кремнії

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок