Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ВПЛИВ РОЗМІРНИХ ЕФЕКТІВ НА ЕЛЕКТРОФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ АРСЕНІДГАЛІЙОВИХ СТРУКТУР З ГЛИБОКИМИ ЦЕНТРАМИ

ВПЛИВ РОЗМІРНИХ ЕФЕКТІВ НА ЕЛЕКТРОФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ АРСЕНІДГАЛІЙОВИХ СТРУКТУР З ГЛИБОКИМИ ЦЕНТРАМИ

Назва:
ВПЛИВ РОЗМІРНИХ ЕФЕКТІВ НА ЕЛЕКТРОФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ АРСЕНІДГАЛІЙОВИХ СТРУКТУР З ГЛИБОКИМИ ЦЕНТРАМИ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
15,71 KB
Завантажень:
293
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
ДНІПРОПЕТРОВСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
КОВАЛЕНКО ЮРІЙ АНАТОЛІЙОВИЧ
УДК 539.216 .311.33
ВПЛИВ РОЗМІРНИХ ЕФЕКТІВ НА ЕЛЕКТРОФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ АРСЕНІДГАЛІЙОВИХ СТРУКТУР З ГЛИБОКИМИ ЦЕНТРАМИ
01.04.07 – фізика твердого тіла
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Дніпропетровськ – 2000


Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Інституті технічної механіки
Національної академії наук України і
Національного космічного агентства України
Науковий керівник: кандидат фізико-математичних наук,
старший науковий співробітник
ГОРЄВ Микола Борисович,
Інститут технічної механіки НАН України і
НКА України, старший науковий співробітник,
м. Дніпропетровськ
Офіційні опоненти:
д.ф.-м.н., проф., Кудзін Аркадій Юрійович, кафедра електрофізики фізичного факультету Дніпропетровського національного університету, професор м. Дніпропетровськ
д.ф.-м.н., с.н.с, Ямпольський Валерій Олександрович, відділ теорії твердого тіла Інституту радіофізики та електроніки ім. О.Я. Усикова НАНУ, провід. наук. співр., м. Харків
Провідна установа:
Харківський національний університет ім. В.Н. Каразіна, м. Харків
Захист відбудеться ” 12 ” січня  2001 р. о ” 13.30 ” годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д .051.02 при Дніпропетровському національному університеті за адресою:
49050, Дніпропетровськ, пров. Науковий, 13
З дисертацією можна ознайомитися в бібліотеці
Дніпропетровського національного університету.
Автореферат розісланий ” 12 ” грудня  2000 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради
доктор технічних наук Спиридонова І.М.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. В сучасному виробництві напівізолюючі арсенідгалійові підкладки одержують шляхом компенсації фонових донорів глибокими акцепторними центрами, використовуючи для цього, наприклад, домішку хрому. Причому, для одержання високих ізолюючих властивостей концентрацію глибокої домішки вибирають аж до межі розчинності (порядку 1017 см-3 для хрому). Завдяки такій високій концентрації глибоких центрів у тонкоплівкових арсенідгалійових структурах виникають своєрідні розмірні ефекти, пов'язані з тим що, товщина об'ємного заряду переходу плівка–підкладка стає порівняною з товщиною плівки. Такі розмірні ефекти, часом, приводять до якісних змін електрофізичних властивостей тонкоплівкових арсенідгалійових структур. Неурахування цих розмірних ефектів ставить під сумнів коректність трактування результатів вимірювань параметрів глибоких центрів, проведених за методиками, які розроблені для об'ємних матеріалів.
Особливого значення набувають прояви розмірних ефектів у арсенідгалійових структурах в сильних електричних полях, при яких працюють реальні електронні прилади. Внаслідок особливостей зонної структури в арсенідгалійових приладах в сильних електричних полях з'являються домени сильного поля, що приводить до виникнення потоків носіїв, нормальних до поверхні розділу. Такі носії, подолав бар'єр плівка–підкладка, можуть бути захоплені глибокими центрами підкладки. В тонкоплівкових структурах це обумовлює значну модуляцію ефективної товщини плівки об'ємним зарядом носіїв, захоплених на глибокі центри підкладки. Це приводить до ряду негативних явищ (розкид параметрів елементів по пластині, гістерезис вольт–амперних характеристик, довгочасовий дрейф параметрів пристроїв), які стримують широке використання арсеніду галію в промисловості. На цей час існує модель захоплення для двошарової структури плівка–підкладка. Ця модель описує захоплення з домену, локалізованого на прикатодній неоднорідності легування, і її не можна використовувати для структур польових транзисторів з бар'єром Шоткі, де домен сильного поля утворюється під затвором. Крім того, в сучасному виробництві все ширше використовуються тришарові структури плівка – буферній шар – підкладка, тому інтерес становить розробка моделі захоплення саме для таких структур.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: ВПЛИВ РОЗМІРНИХ ЕФЕКТІВ НА ЕЛЕКТРОФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ АРСЕНІДГАЛІЙОВИХ СТРУКТУР З ГЛИБОКИМИ ЦЕНТРАМИ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок