Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ВПЛИВ АТОМНИХ І СТРУКТУРНИХ ДЕФЕКТІВ НА ЕЛЕКТРОННІ ПРОЦЕСИ В ЕПІТАКСІЙНИХ ПЛІВКАХ ТЕЛУРИДІВ ОЛОВА І СВИНЦЮ

ВПЛИВ АТОМНИХ І СТРУКТУРНИХ ДЕФЕКТІВ НА ЕЛЕКТРОННІ ПРОЦЕСИ В ЕПІТАКСІЙНИХ ПЛІВКАХ ТЕЛУРИДІВ ОЛОВА І СВИНЦЮ

Назва:
ВПЛИВ АТОМНИХ І СТРУКТУРНИХ ДЕФЕКТІВ НА ЕЛЕКТРОННІ ПРОЦЕСИ В ЕПІТАКСІЙНИХ ПЛІВКАХ ТЕЛУРИДІВ ОЛОВА І СВИНЦЮ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
17,88 KB
Завантажень:
258
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
Міністерство освіти і науки України
Прикарпатський університет імені Василя Стефаника
Пиц Михайло Васильович
УДК 539.216.2:621315592
ВПЛИВ АТОМНИХ І СТРУКТУРНИХ ДЕФЕКТІВ НА
ЕЛЕКТРОННІ ПРОЦЕСИ В ЕПІТАКСІЙНИХ ПЛІВКАХ
ТЕЛУРИДІВ ОЛОВА І СВИНЦЮ
Спеціальність 01.04.18 фізика і хімія поверхні
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Івано-Франківськ – 2001
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана на кафедрі фізики твердого тіла Прикарпатського університету імені Василя Стефаника Міністерства освіти і науки України.
Науковий керівник: заслужений діяч науки і техніки України, доктор
хімічних наук, професор
Фреїк Дмитро Михайлович,
директор Фізико-хімічного інституту, завідувач
кафедри фізики твердого тіла, Прикарпатський
університет ім. Василя Стефаника, Міністерство
освіти і науки України,
м. Івано-Франківськ.
Офіційні опоненти: заслужений діяч науки і техніки України,
доктор фізико-математичних наук, професор
Раренко Іларій Михайлович,
завідувач кафедри напівпровідникової
мікроелектроніки, Чернівецький національний
університет ім. Юрія Федьковича, Міністерство
освіти і науки України,
м. Чернівці;
доктор фізико-математичних наук, професор
Берченко Микола Миколайович,
професор кафедри напівпровідникової електроніки,
Національний університет "Львівська політехніка",
Міністерство освіти і науки України,
м. Львів.
Провідна організація: Інститут фізики НАН України
м. Київ.
Захист дисертації відбудеться “1” червня 2001 року о 1100 год. на засіданні спеціалізованої вченої ради К .051.03 при Прикарпатському університеті імені Василя Стефаника за адресою: 76025, м. Івано-Франківськ, вул. Шевченка, 57, ауд. 211 (зал засідань).
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Прикарпатського університету імені Василя Стефаника (76025, м. Івано-Франківськ, вул. Шевченка, 57).
Автореферат розісланий “28” квітня 2001 року.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради В.М. Кланічка


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Телуриди олова і свинцю є базовими матеріалами у термоелектриці, а також при створенні приладових структур, що функціонують в інфрачервоній області оптичного спектру [1]. Особливу увагу при цьому привертає суттєва відмінність їх фізико-хімічних властивостей, що і визначає широкий спектр практичного використання.
Телурид олова характеризується значною областю гомогенності (~ ат.яка повністю зміщена на боці телуру. Це і обумовлює велику концентрацію носіїв заряду (~ 21 см-3) і тільки р-тип провідності матеріалу [1, 2]. Тому і p-SnTe є незамінним при створенні позитивної вітки термогенераторів.
Телурид свинцю, як гомогенна фаза, існує як із надлишком металу відносно стехіометричного складу, так і надлишком халькогену. Максимальна протяжність області гомогенності відмічена при 1048 К від 49,994 до 50,013атомного вмісту телуру [1]. PbTe може бути як електронної так і діркової провідності. Велике значення рухливості носіїв у n-PbTe і значна термо-е.-р.-с., а також сприятливе відношення рухливості носіїв до граткової теплопровідності визначають високу термоелектричну добротність матеріалу [3].
Для потреб опто- і мікроелектроніки важливим є реалізація всього комплексу властивостей у тонкоплівковому варіанті. Зауважимо, що високі значення оптичного коефіцієнта поглинання (103-104 см-1) та статичної діелектричної проникності (декілька сотень) дають можливість використовувати тонкі плівки сполук AIVBVI для створення багатоелементних матриць [4, 5]. При цьому основними факторами, що визначають робочі характеристики приладових структур, є стан атомної дефектної кристалічної структури матеріалу [6].
Не дивлячись на достатньо великі за обсягом і широкі за змістом публікації, до цього часу ще недостатньо вивчені і тим більше несистематизовані результати комплексного впливу як власних атомних дефектів, так і дефектів кристалічної структури на електронні процеси у епітаксійних плівках телуридів олова і свинцю. Це у значній мірі здержує перспективу отримання конденсату із наперед заданими властивостями, необхідними для практичних потреб.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: ВПЛИВ АТОМНИХ І СТРУКТУРНИХ ДЕФЕКТІВ НА ЕЛЕКТРОННІ ПРОЦЕСИ В ЕПІТАКСІЙНИХ ПЛІВКАХ ТЕЛУРИДІВ ОЛОВА І СВИНЦЮ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок