Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> реферат: ВПЛИВ ІЗОВАЛЕНТНОЇ ДОМІШКИ ОЛОВА НА ТЕРМІЧНЕ ТА РАДІАЦІЙНЕ ДЕФЕКТОУТВОРЕННЯ В КРЕМНІЇ

ВПЛИВ ІЗОВАЛЕНТНОЇ ДОМІШКИ ОЛОВА НА ТЕРМІЧНЕ ТА РАДІАЦІЙНЕ ДЕФЕКТОУТВОРЕННЯ В КРЕМНІЇ / сторінка 2

Назва:
ВПЛИВ ІЗОВАЛЕНТНОЇ ДОМІШКИ ОЛОВА НА ТЕРМІЧНЕ ТА РАДІАЦІЙНЕ ДЕФЕКТОУТВОРЕННЯ В КРЕМНІЇ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
16,52 KB
Завантажень:
453
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0

Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 
Легування кремнію важкими ізовалентними домішками має ряд принципових труднощів. Тому на даний момент відомо відносно мало робіт, присвячених вивченню опроміненого чи термообробленого кремнію з домішкою олова (Si<Sn>). Бажання отримати нову інформацію про вплив Sn на процеси термічного та радіаційного дефектоутворення в Si і передумовило мету та конкретні напрямки її реалізації в дисертаційній роботі.
Зв’язок роботи з науковими програмами, темами. Дисертаційні дослідження пов’язані з наступною темою науково-дослідної роботи відділу фізики радіаційних процесів Інституту фізики НАН України: “Дослідження процесів взаємодії радіаційних, технологічних і термічних дефектів в кремнії, германії, сумішах Si-Ge та в мікроелектронних приладах на їх основі” (№ держ. реєстр. 0198U001977).
Мета роботи і задачі дослідження. Метою даної роботи було отримати нову інформацію про механізм впливу ізовалентної домішки олова на процеси термічного та радіаційного дефектоутворення в кремнії та вияснити природу дефектів, які виникають в Si<Sn> при термообробці або опроміненні.
Основні наукові завдання досліджень:
1. Дослідження впливу ізовалентної домішки олова на кінетику генерації та відпалу низькотемпературних кисневих термодонорів (ТД-І) в монокристалах кремнію.
2. Дослідження впливу ізовалентної домішки олова на процеси радіаційного дефектоутворення в кремнії при протонному опроміненні.
3. Дослідження впливу ізовалентної домішки олова на генерацію та відпал радіаційних дефектів в кремнії при гама-опроміненні.
Наукова новизна одержаних результатів:
1. Вперше експериментально встановлено, що наявність у монокристалах кремнію ізовалентної домішки олова (NSn(26,5)1018 см-3) сповільнює генерацію ТД-І. При цьому ступінь cповільнення корелює із концентрацією домішки Sn. На основі запропонованої і розробленої моделі утворення кисневмісних термодонорів (КТД) у Si запропоновано також модель механізму впливу Sn на кінетику генерації КТД. Передбачається, що сповільнення генерації КТД у Si<Sn> відбувається за рахунок утворення метастабільних комплексів OSn.
2. Вперше експериментально виявлено, що наявність у монокристалах кремнію домішки Sn в концентраціях понад 21018 см-3 приводить до значного зменшення частотного фактора та енергії активації Еа відпалу термодонорів. Показано, що даний ефект послаблюється після попередньої термообробки (ПТО) при 800 0С.
3. Вперше експериментально виявлено, що опромінення протонами n-Si<Sn>, вирощеного методом Чохральського, приводить до утворення додаткового радіаційного дефекту, до складу якого входять вакансії та атоми олова. Показано, що цей дефект є подвійним акцепторним центром. Встановлено температуру його відпалу.
4. Вперше експериментально встановлено, що константа деградації часу життя нерівноважних носіїв заряду k в n-Si<Sn> при гама-опроміненні визначається дефектами VSn, які стають основними рекомбінаційними центрами при кімнатній температурі із збільшенням концентрації олова.
5. Вперше експериментально виявлено, що дефекти, які утворюються при відпалі гама-опромінених зразків, є більш стабільними в n-Si<Sn> в порівнянні з дефектами, які утворюються в зразках без домішки Sn. При збільшенні концентрації домішки олова зростає і концентрація таких стабільніших дефектів.
6. Вперше показано, що наявність піку “від’ємного” відпалу часу життя носіїв струму в інтервалі температур 200–360 0С при ізохронному відпалі зумовлено утворенням і відпалом комплексів V2O (в n-Si без Sn) або одночасним утворенням і відпалом V2O і V2Sn (в n-Si<Sn>). Визначено основні параметри, які характеризують дані дефекти.
Практичне значення одержаних результатів. Отримані результати є перспективними як з точки зору фундаментальної науки, так і прикладної. Результати досліджень можуть бути використані в технології вирощування напівпровідникових кристалів, для вдосконалення радіаційної технології у виробництві напівпровідникових приладів, а також для прогнозування зміни основних параметрів кремнію і мікроелектронних приладів на його основі в реальних умовах експлуатації при термо- та радіаційних впливах.

Завантажити цю роботу безкоштовно

Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 
Реферат на тему: ВПЛИВ ІЗОВАЛЕНТНОЇ ДОМІШКИ ОЛОВА НА ТЕРМІЧНЕ ТА РАДІАЦІЙНЕ ДЕФЕКТОУТВОРЕННЯ В КРЕМНІЇ

BR.com.ua © 1999-2019 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок