Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Скачати реферат: ВПЛИВ ІЗОВАЛЕНТНОЇ ДОМІШКИ ОЛОВА НА ТЕРМІЧНЕ ТА РАДІАЦІЙНЕ ДЕФЕКТОУТВОРЕННЯ В КРЕМНІЇ

ВПЛИВ ІЗОВАЛЕНТНОЇ ДОМІШКИ ОЛОВА НА ТЕРМІЧНЕ ТА РАДІАЦІЙНЕ ДЕФЕКТОУТВОРЕННЯ В КРЕМНІЇ / сторінка 4

Назва:
ВПЛИВ ІЗОВАЛЕНТНОЇ ДОМІШКИ ОЛОВА НА ТЕРМІЧНЕ ТА РАДІАЦІЙНЕ ДЕФЕКТОУТВОРЕННЯ В КРЕМНІЇ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
16,52 KB
Завантажень:
453
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0

Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 
Охолодження зразків проводилось загартуванням на азбесті.
Вимірювання спектрів ІЧ-поглинання проводились на спектрометрі UR-20; часу життя нерівноважних носіїв струму – по релаксації нерівноважної фотопровідності; концентрацій носіїв струму – чотиризондовим методом й із вольтфарадних характеристик бар’єрів Шоткі; енергій перезарядки глибоких рівнів, їх концентрацій і перерізів захоплення ними носіїв заряду – методом ємнісної спектроскопії глибоких рівнів (DLTS); концентрацій домішки олова – методом вторинної іонної масспектроскопії (SIMS).
В третьому розділі представлено результати дослідження особливостей кінетики генерації і відпалу кисневих термодонорів (КТД) в n-кремнії, легованому оловом (n-Si<Sn>).
Використовувались зразки n-Si (вихідна концентрація вільних електронів n0 = (610)1013 см-3, леговані Sn в процесі вирощування із розплаву) двох груп з концентрацією олова NSn=1,71018 см-3 (Sn-1) і NSn=6,51018 см-3 (Sn-2). Концентрації фонових домішок кисню NO для Sn-1 становили (6,57)1017 см-3, для Sn-2 (66,5)1017 см-3; вуглецю NC – менше 51016 см-3 для обох груп зразків. В якості контрольних були використані зразки промислового n-Si, вирощеного методом Чохральського, з подібними характеристиками.
В експерименті реєструвалися залежності зміни концентрації вільних електронів n у зразках досліджуваних матеріалів від тривалості ізотермічної термообробки (ТО) при 450 0С (під час генерації КТД), а потім від температури при ізохронній ТО (під час відпалу КТД). Концентрація вільних електронів n визначалася з вимірювань питомого електроопору зразків чотиризондовим методом при кімнатній температурі. Значення величини рухливості електронів приймали рівним 1350 см2/Вс. Частину досліджуваних кристалів піддавали після вирощування попередній ТО (ПТО) при 800 0С протягом 30 хвилин.
На рис.1 наведено залежності сумарної концентрації КТД NТД від часу t ТО при 4500С. Сумарну концентрацію усіх видів КТД, що формуються при 450 0С в зразках з різною концентрацією домішки олова, визначали із співвідношення NТД = nТО n0, де n0 різниця концентрацій всіх донорів і акцепторів (у тому числі і ростових КТД) у вихідних зразках, а nТО значення після чергового етапу ТО. Як видно з рисунка, генерація КТД у Si <Sn> істотно сповільнена в порівнянні з контрольним матеріалом. При цьому ступінь сповільнення корелює з концентрацією домішки Sn. Попередня ТО при 800 0С пригнічує генерацію КТД у всіх зразках.
Результат комп’ютерного диференціювання цих залежностей наведено на рис.2. Тут показано залежності швидкостей генерації КТД (dNТД/dt ) від часу термообробки. З рис.2 видно, що, по-перше, темп генерації КТД в Si <Sn> вже в початковий момент нижчий, ніж у контрольному Si, а, по-друге, в Si <Sn> якісно відрізняється кінетика генерації КТД на самих ранніх етапах ТО. Саме ці етапи найбільш чутливі до присутності в кристалі так званих зародків КТД [1,2]. На рис.2 спостерігається три типи поведінки dNТД/dt після початку ТО: 1) зменшення з виходом на стаціонарне значення (Sn-2); 2) збільшення з виходом на стаціонарне значення (Sn-1); 3) різке збільшення, потім плавний спад із виходом на стаціонарне значення, близьке до початкового (NSn = 0). Попередня ТО при 800 0С, поряд із значним зменшенням початкового темпу генерації КТД, приводить залежності dNТД/dt(t) в усіх зразках до другого типу.
Рис.1. Залежності концентрації термодонорів від часу термообробки при 450 0С: 1-3 без ПТО-800, 1-3 із ПТО-800; 1, 1NSn= 0; 2,2–Sn-1; 3,3–Sn-2.
Рис.2. Залежності швидкості введення термодонорів від часу термообробки при 450 0С: 1-3 без ПТО-800, 1-3 із ПТО-800; 1, 1NSn= 0; 2,2–Sn-1; 3,3–Sn-2.
Для вивчення впливу домішки Sn на кінетику відпалу КТД-450 реєструвалися залежності NТД = nТО – n0 від температури ізохронного відпалу, де nТО концентрація вільних електронів у зразках після чергового етапу ізохронного відпалу протягом 5 хвилин в інтервалі температур 500570 0С із кроком 5 0С. Результати наведено на рис.

Завантажити цю роботу безкоштовно

Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 
Реферат на тему: ВПЛИВ ІЗОВАЛЕНТНОЇ ДОМІШКИ ОЛОВА НА ТЕРМІЧНЕ ТА РАДІАЦІЙНЕ ДЕФЕКТОУТВОРЕННЯ В КРЕМНІЇ

BR.com.ua © 1999-2019 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок