Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> реферат безкоштовно: ВПЛИВ ІЗОВАЛЕНТНОЇ ДОМІШКИ ОЛОВА НА ТЕРМІЧНЕ ТА РАДІАЦІЙНЕ ДЕФЕКТОУТВОРЕННЯ В КРЕМНІЇ

ВПЛИВ ІЗОВАЛЕНТНОЇ ДОМІШКИ ОЛОВА НА ТЕРМІЧНЕ ТА РАДІАЦІЙНЕ ДЕФЕКТОУТВОРЕННЯ В КРЕМНІЇ / сторінка 6

Назва:
ВПЛИВ ІЗОВАЛЕНТНОЇ ДОМІШКИ ОЛОВА НА ТЕРМІЧНЕ ТА РАДІАЦІЙНЕ ДЕФЕКТОУТВОРЕННЯ В КРЕМНІЇ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
16,52 KB
Завантажень:
453
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0

Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 

У початковий момент генерації КТД. Це означає, що початкова швидкість генерації не залежить від вмісту олова, що і спостерігається в експерименті (рис.2, кр.2 і 3). Значно менше значення початкових швидкостей генерації КТД в Si<Sn> у порівнянні з контрольним матеріалом може бути зумовлено різним вмістом зародків.
У четвертому розділі представлено результати дослідження радіаційного дефектоутворення в n-типі Si<Sn> при опроміненні високоенергетичними протонами (Н+).
Використовувалися зразки двох груп з концентрацією олова NSn=1,71018 см-3 (Sn-1) і NSn=6,51018 см-3 (Sn-2) (характеристики даних зразків описані вище). В якості контрольних зразків були використані p+n переходи промислових діодів на основі n-Si зонної плавки (n-Si-FZ) без домішки Sn. Генерація радіаційних дефектів (РД) проводилась опроміненням H+ з енергією 61 МеВ і густиною потоку 108 см-2с-1 в інтервалі доз (15)1011 см-2 при кімнатній температурі. Контроль за накопиченням РД здійснювали методом DLTS.
Після опромінення протонами з’являється ряд піків на спектрах як n-Si<Sn> так і n-Si-FZ зразків (рис.4,5).
Рис.4. Спектр DLTS для опроміненого протонами зразка n-Si-FZ.
Рис.5. Спектр DLTS для опроміненого протонами зразка Sn-1.
Позначення дефектів, енергії активації перезарядки Еа, їх концентрації N та швидкості введення наведено в табл.3.
На спектрах FZ діодів спостерігаються три піки добре відомих РД: А-центрів (Е2), двозарядного V2--/- (E3) і однозарядного V2-/0 (E5) станів дивакансій.
Опромінення протонами Чохральського n-Si<Sn> приводить до утворення двох додаткових радіаційних рівнів (Е4 і Е6) з енергією активації перезарядки 0,290.01 і 0,610.02 еВ (табл.3) нижче зони провідності відповідно. Той факт, що вони з’являються тільки в Si<Sn>, може означати, що ці центри включають атоми олова. Це підтверджується і тим, що їх концентрації зростають в матеріалі з більшою концентрацією Sn (табл.3). Крім того, це є комплекси точкових дефектів, які включають також вакансію. Доказом про можливу участь вакансій в складі даних РД є той факт, що дефекти Е4, Е5 і Е6 мають подібні концентраційні профілі (падають в напрямку до поверхні і вирівнюються на глибині декілька мкм, рис.6).
Рис.6. Концентраційні профілі радіаційних дефектів Е4, Е5, Е6 опроміненого зразка Sn-1.
Така поведінка концентраційних профілів спостерігалась при генерації V2 в n-Si і пояснювалась із розгляду профілю дифузії вакансій поблизу поверхні [4]. Встановлено, що температура відпалу даних РД становить приблизно 120 0С. Подібність концентрацій, одночасний відпал цих РД, відсутність польової залежності для положення енергетичних рівнів і більш високе значення n для глибшого (прямі експерименти по визначенню перерізу захоплення для електронів (n) на рівень Е6 дають значення n10-15 см2, а значення n для Е4 на два порядки менше) свідчить про те, що ці два рівні належать одному і тому ж подвійному акцепторному центру.
Виявлено (див. табл.3), що легування Si ізовалентною домішкою Sn приводить до зменшення ефективності утворення основних РД А-центрів і V2, які виникають при протонному опроміненні.
Слід зазначити, що пік Е1, який відповідає глибшому рівню ростових КТД, спостерігається в Sn-1 до і після опромінення Н+ (рис.5). При чому концентрації ростових термодонорів до і після опромінення практично не відрізняються. Це підтверджує дані про відсутність взаємодії між КТД і первинними РД [5].
В п’ятому розділі представлено результати дослідження впливу ІВД Sn на поведінку часу життя нерівноважних носіїв струму (ННС) в n-Si при опроміненні -квантами та подальшому ізохронному відпалі.
Використовувалися ті ж групи зразків, що і при попередніх дослідженнях. Опромінювання проводилось -квантами 60Со при 30 0С з в інтервалі доз (0,16–4,16)1015 см-2. Час життя ННС визначався по релаксації нерівноважної фотопровідності в умовах низького рівня іонізації. З експериментальних дозових залежностей величини ()-1 визначали константу деградації часу життя:
де Ф – доза опромінення; 0 і – час життя ННС до і після опромінення відповідно.

Завантажити цю роботу безкоштовно

Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 
Реферат на тему: ВПЛИВ ІЗОВАЛЕНТНОЇ ДОМІШКИ ОЛОВА НА ТЕРМІЧНЕ ТА РАДІАЦІЙНЕ ДЕФЕКТОУТВОРЕННЯ В КРЕМНІЇ

BR.com.ua © 1999-2019 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок