Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Скачати безкоштовно: ВПЛИВ ІЗОВАЛЕНТНОЇ ДОМІШКИ ОЛОВА НА ТЕРМІЧНЕ ТА РАДІАЦІЙНЕ ДЕФЕКТОУТВОРЕННЯ В КРЕМНІЇ

ВПЛИВ ІЗОВАЛЕНТНОЇ ДОМІШКИ ОЛОВА НА ТЕРМІЧНЕ ТА РАДІАЦІЙНЕ ДЕФЕКТОУТВОРЕННЯ В КРЕМНІЇ / сторінка 7

Назва:
ВПЛИВ ІЗОВАЛЕНТНОЇ ДОМІШКИ ОЛОВА НА ТЕРМІЧНЕ ТА РАДІАЦІЙНЕ ДЕФЕКТОУТВОРЕННЯ В КРЕМНІЇ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
16,52 KB
Завантажень:
453
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0

Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 

Експериментально показано, що константа деградації часу життя k в n-кремнії при гама-опроміненні має складну залежність від концентрації домішки олова (рис.7). Значення k, а також вихідні концентрації електронів n0 вказано в табл.4.
Проведені оцінки показали, що основними рекомбінаційними дефектами при кімнатній температурі в -опромінених зразках кремнію n-типу, як легованих оловом (NSn1,71018 см-3), так і нелегованих оловом, є Е-центри. Тільки при концентрації олова NSn=6,51018 см-3 основними рекомбінаційними дефектами є комплекси VSn. З цієї точки зору стає зрозумілим менше значення k в зразку з меншою концентрацією Sn. Атоми олова, будучи ефективним стоком для V, створють конкуренцію утворенню основних центрів рекомбінації Е-центрів.
Встановлено (рис.8), що відпал -опромінених зразків n-Si без Sn до 360 0С приводить до відновлення часу життя носіїв струму майже до вихідного значення. В той же час відпал зразків n-Si<Sn> до тієї ж температури показує, що відпалюються не всі дефекти, які обумовлюють зміну при гама-опроміненні. В Sn-1 (кр.2) на 55 60 %, а в Sn-2 (кр.3) стає навіть трохи меншим, ніж після опромінення. Відпал Е-центрів і VSn-центрів в n-Si не приводить до зміни часу життя носіїв струму при кімнатній температурі. Це свідчить про те, що в результаті їх відпалу утворюються РД з подібними рекомбінаційними характеристиками.
Рис.7. Залежності величини ()-1 в зразках Sn-1 (1) i Sn-2 (2) від дози опромінення -квантами.
Рис.8. Залежності функції невідпаленої частини рекомбінаційних РД f від температури ізохронного (10 хв) відпалу після -опромінення: 1–n-Si без Sn; 2–Sn-1; 3–Sn-2.
Показано, що наявність піку “від’ємного” відпалу часу життя носіїв струму (рис.8, де Тчас життя ННС після кожного кроку відпалу) в інтервалі температур 200–360 0С при ізохронному відпалі зумовлено утворенням і відпалом комплексів V2O (в n-Si без Sn) або одночасним утворенням і відпалом V2O і V2Sn (в n-Si<Sn>). Визначено основні параметри, які характеризують дані дефекти. Комплекси V2O і V2Sn утворюються при відпалі дивакансій, які самі дають незначний вклад в рекомбінацію через малий переріз захоплення дірок. При цьому перерізи захоплення нерівноважних дірок цими центрами відповідно дорівнюють 310-13 і 210-13 см2.
В заключній частині наведено перелік головних результатів досліджень та загальні висновки.
ВИСНОВКИ
1.
Експериментально встановлено, що наявність у монокристалах електронного кремнію, вирощеного методом Чохральського, ізовалентної домішки олова (NSn(26,5)1018 см-3) приводить до наступного:
-
сповільнює генерацію КТД-І. При цьому ступінь сповільнення корелює із концентрацією домішки олова;
-
значно зменшує частотний фактор та енергію активації відпалу КТД-І (NSn21018 см-3). Зменшення даних параметрів може означати прискорення дифузії атомів кисню під дією внутрішніх пружних напружень у кристалі, викликаних домішкою олова. Вплив олова на енергію активації відпалу ТД значно послаблюється після ПТО при 800 0С. Однією з причин цього може бути корельований розподіл в кристалі атомів домішок олова і кисню;
-
зменшує ефективність утворення основних вакансійних дефектів при опроміненні зразків протонами з енергією 61 МеВ, що зумовлено утворенням додаткового радіаційного дефекту, до складу якого входять вакансії та атоми олова. Цей дефект є подвійним акцептором з енергіями активації перезарядки 0,290,01 і 0,610,02 еВ. Температура його відпалу становить приблизно 120 0С;
-
константа деградації часу життя k в n-кремнії при гама-опроміненні має складну залежність від концентрації домішки олова. Це пояснюється тим, що радіаційні дефекти VSn, які утворюються при гама-опроміненні зразків, стають основними рекомбінаційними центрами при кімнатній температурі із збільшенням концентрації олова;
-
дефекти, які утворюються при відпалі гама-опромінених зразків, є більш стабільними в порівнянні з дефектами, які утворюються в контрольних (без домішки олова) зразках. Із збільшенням концентрації олова зростає і концентрація таких стабільніших дефектів.

Завантажити цю роботу безкоштовно

Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 
Реферат на тему: ВПЛИВ ІЗОВАЛЕНТНОЇ ДОМІШКИ ОЛОВА НА ТЕРМІЧНЕ ТА РАДІАЦІЙНЕ ДЕФЕКТОУТВОРЕННЯ В КРЕМНІЇ

BR.com.ua © 1999-2019 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок