Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ВПЛИВ ІЗОВАЛЕНТНОЇ ДОМІШКИ ОЛОВА НА ТЕРМІЧНЕ ТА РАДІАЦІЙНЕ ДЕФЕКТОУТВОРЕННЯ В КРЕМНІЇ

ВПЛИВ ІЗОВАЛЕНТНОЇ ДОМІШКИ ОЛОВА НА ТЕРМІЧНЕ ТА РАДІАЦІЙНЕ ДЕФЕКТОУТВОРЕННЯ В КРЕМНІЇ

Назва:
ВПЛИВ ІЗОВАЛЕНТНОЇ ДОМІШКИ ОЛОВА НА ТЕРМІЧНЕ ТА РАДІАЦІЙНЕ ДЕФЕКТОУТВОРЕННЯ В КРЕМНІЇ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
16,52 KB
Завантажень:
453
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ
КРАСЬКО Микола Миколайович
УДК 621.315.592
ВПЛИВ ІЗОВАЛЕНТНОЇ ДОМІШКИ ОЛОВА НА
ТЕРМІЧНЕ ТА РАДІАЦІЙНЕ ДЕФЕКТОУТВОРЕННЯ
В КРЕМНІЇ
01.04.07 - фізика твердого тіла
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Київ – 2000


Дисертацією є рукопис
Робота виконана у відділі фізики радіаційних процесів
Інституту фізики НАН України
Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук
Крайчинський Анатолій Миколайович,
провідний науковий співробітник Інституту фізики НАН України
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор
Бабич Вілік Максимович,
завідувач відділу Інституту фізики напівпровідників НАН України
доктор фізико-математичних наук, професор
Литовченко Петро Григорович,
завідувач відділу НЦ ”Інститут ядерних досліджень” НАН України
Провідна установа: Київський національний університет імені Тараса Шевченка,
фізичний факультет, кафедра радіаційної фізики
Захист відбудеться “26” жовтня 2000 р. о 1430 год. на засіданні
спеціалізованої вченої ради Д 26.159.01 в Інституті фізики НАН України за адресою:
03650, МПС, Київ-39, просп. Науки, 46.
З дисертацією можна ознайомитись в бібліотеці Інституту фізики НАН України за адресою:
03650, МПС, Київ-39, просп. Науки, 46.
Автореферат розісланий “26” вересня 2000 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Іщук В.А.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Основним матеріалом сучасної і перспективної твердотільної мікроелектроніки є кремній (Si). На даний момент встановлено, що зміна електрофізичних властивостей кремнію при опроміненні або термообробці (ТО) зумовлена утворенням стабільних радіаційних або термічних дефектів. Присутність цих дефектів приводить до деградації електричних та рекомбінаційних параметрів Si і визначає поведінку приладів на його основі в реальних умовах експлуатації. Тому дослідження процесів взаємодії різних за походженням дефектів в кремнії є актуальним і перспективним як з точки зору розкриття природи процесів, так і для застосування результатів дослідження на практиці.
Дослідження впливу радіаційних і термічних дефектів на властивості Si постійно поглиблюються і розширюються. Так, детально вивчено характер змін електрофізичних параметрів Si в залежності від його домішкового складу, умов опромінення та характеру термообробок. Ідентифіковані рівні основних термічних і радіаційних дефектів, вивчена їх термічна стабільність. Досягнуто значних успіхів в розумінні будови та властивостей даних дефектів, зв’язку з вихідним домішковим фоном. Результати цих досліджень використовуються для ціленаправленої зміни властивостей напівпровідникових матеріалів і приладів. Але проблема радіаційної і термічної стабільності Si все ще далека від свого остаточного вирішення. Це пов’язано з тим, що залишаються невиясненими багато факторів, які впливають на утворення електрично активних термічних і радіаційних дефектів. В числі таких факторів – легування кремнію ізовалентними домішками (ІВД).
Хоча ІВД в напівпровідникових кристалах не є електрично активними центрами, їх вплив на властивості Si може визначатися полями пружних напружень, які виникають внаслідок невідповідності ковалентних радіусів атомів матриці Si і легуючої домішки. Останні, в свою чергу, можуть суттєво впливати на стан ансамблю точкових дефектів кристалу та процеси дефектно-домішкової взаємодії при опроміненні та ТО. Тим самим відкриваються нові можливості для використання легування ІВД як одного з методів керування властивостями Si, особливо такими важливими при виробництві та експлуатації приладів характеристиками, як термічна та радіаційна стійкість.
Незважаючи на значну кількість проведених досліджень, до цього часу процеси радіаційного і термічного дефектоутворення в кремнії з ізовалентними домішками вивчені недостатньо. Більш того, відсутнє однозначне трактування процесів, які відбуваються при опроміненні чи ТО Si, легованого ІВД. В повній мірі сказане відноситься до легування кремнію оловом (Sn).

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 



Реферат на тему: ВПЛИВ ІЗОВАЛЕНТНОЇ ДОМІШКИ ОЛОВА НА ТЕРМІЧНЕ ТА РАДІАЦІЙНЕ ДЕФЕКТОУТВОРЕННЯ В КРЕМНІЇ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок