Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ПЕРЕНОС ЗАРЯДУ В КРИСТАЛАХ СИЛЕНІТІВ

ПЕРЕНОС ЗАРЯДУ В КРИСТАЛАХ СИЛЕНІТІВ

Назва:
ПЕРЕНОС ЗАРЯДУ В КРИСТАЛАХ СИЛЕНІТІВ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
16,61 KB
Завантажень:
125
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 
ДНІПРОПЕТРОВСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
ПЛЯКА СЕРГІЙ МИКОЛАЙОВИЧ
УДК 539.2:548
ПЕРЕНОС ЗАРЯДУ В КРИСТАЛАХ
СИЛЕНІТІВ
01.04.07 – фізика твердого тіла
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук.
Дніпропетровськ – 2001


Дисертацією є рукопис
Робота виконана на кафедрі фізики твердого тіла Дніпропетровського національного університету Міністерства освіти і науки України.
Науковий керівник кандидат фізико математичних
наук, доцент Соколянський
Григорій Харитонович,
Дніпропетровський національний
університет, доцент кафедри фізики твердого тіла.
Офіційні опоненти:
Доктор фізико-математичних наук, професор Глот Олександр Борисович, кафедра радіоелектроніки радіофізичного факультету Дніпропетровського національного університету, професор, м. Дніпропетровськ
Кандидат фізико-математичних наук, доцент Точилін Сергій Дмитрович, кафедра твердотільної електороніки та мікроелектроніки Запорізького державного університету, доцент, м. Запоріжжя
Провідна установа: Інститут фізики НАН України, м. Київ
Захист відбудеться 1 червня 2001 р. о 14.00 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 08.051.02 при Дніпропетровському національному університеті за адресою: 49050, м. Дніпропетровськ, пер. Науковий 13, корпус 11, ауд. 300.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Дніпропетровського національного університету, м. Дніпропетровськ
Автореферат розісланий 25 квітня 2001 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Спиридонова І.М.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Відомо багато цікавих з наукової точки зору та важливих для практичного використання кристалів активних діелектриків, яскравими представниками яких є силеніти. Маючи досить високу фоточутливість та значний електрооптичний ефект, вони знаходять застосування в просторово-часових модуляторах світла, приладах запису голограм тощо. Формування внутрішніх полів безпосередньо пов’язане з процесами генерації, переносу, захвату та рекомбінації носіїв заряду. Істотний вплив на ці процеси мають ймовірні домішки в кристалах. У ряді праць вивчалась можливість зміни оптичних, електричних та фотоелектричних властивостей силенітів шляхом легування іонами Al, Ga, Mn, Cr тощо. Однак про механізм модифікування властивостей легуванням існують суперечливі думки. У більшості випадків при трактуванні результатів досліджень не береться до уваги той факт, що наявність дефектів у кристалах силенітів може приводити до виникнення флуктуацій електростатичного потенціалу, що значно впливає на процеси переносу носіїв заряду.
Більшість досліджень переносу заряду проводилась в основному на об’ємних кристалах силенітів. Однак в останні роки діелектричні та напівпровідникові плівки знаходять все більш різноманітне застосування (активні та пасивні елементи мікросхем, нелінійні електрооптичні прилади тощо). Дослідження фізичних процесів, які протікають в плівках, являють собою великий наукових інтерес, оскільки за своєю структурою тонкі плівки можуть дещо відрізнятися від об’ємних матеріалів. Наявність підвищеної, у порівнянні з об’ємним матеріалом, густини дефектів у плівках є однією з причин, яка утруднює розробку технології, що забезпечила б високу відтворюваність їх фізичних властивостей.
Вище перераховане дозволяє вважати завдання комплексного дослідження електрофізичних параметрів кристалів та плівок силенітів актуальним.
Зв’язок роботи з науковими програмами. Робота є частиною комплексних досліджень фізичних властивостей кристалів активних діелектриків, які проводяться на кафедрі електрофізики Дніпропетровського національного університету за держбюджетними темами: ДБ 06-87-98 “Дослідження процесів переносу в діелектричних плівках” та ДБ 06-15-97 “Структурні особливості та фізичні властивості матеріалів функціональної електроніки”.
Мета і завдання дослідження. Метою досліджень є визначення закономірностей переносу заряду в кристалах та плівках силенітів. Для досягнення поставленої мети було необхідно розв’язати наступні задачі:
- провести експериментальні дослідження електричних, оптичних та фотоелектричних властивостей номінально чистих та легованих ванадієм кристалів Bi12GeO20;
- отримати тонкі плівки Bi12SiO20, використовуючи золь-гель метод;
- експериментально вивчити закономірності переносу заряду в тонких плівках силікосиленіта;
- якісно проаналізувати придатність моделі легованих компенсованих напівпровідників для пояснення одержаних експериментальних результатів.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 



Реферат на тему: ПЕРЕНОС ЗАРЯДУ В КРИСТАЛАХ СИЛЕНІТІВ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок