Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Екстремальні струми в напівпровідникових структурах

Екстремальні струми в напівпровідникових структурах

Назва:
Екстремальні струми в напівпровідникових структурах
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
13,75 KB
Завантажень:
179
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9 
Київський національний університет
імені Тараса Шевченка
Іщук Лариса Вадимівна
УДК 621.315.592:537.311.33
Екстремальні струми в напівпровідникових структурах
Спеціальність
01.04.10 - фізика напівпровідників та діелектриків
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Київ - 2000
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Київському національному
університеті імені Тараса Шевченка
Науковий керівник : доктор фіз.-мат. наук, професор
Добровольський Валентин Миколайович,
Київський національний університет імені Тараса Шевченка,
проф. кафедри напівпровідникової електроніки.
Офіційні опоненти : доктор фіз.-мат. наук
Назаров Олексій Миколайович,
Інститут фізики напівпровідників НАН України, Київ,
провідний науковий співробітник;
канд. фіз.-мат. наук, старший науковий співробітник
Зинець Олег Сергійович,
Науковий центр “Інститут ядерних досліджень”
НАН України, Київ,
старший науковий співробітник.
Провідна установа : Інститут фізики
НАН України, Київ.
Захист відбудеться “23“ жовтня 2000 р. о 1500 год.
в ауд. 46 на засіданні спеціалізованої вченої ради
Д 26.001.31 в Київському національному університеті
імені Тараса Шевченка за адресою :
03127, Київ-127, пр. Глушкова, 2, корп. 5,
радіофізичний факультет.
З дисертацією можна ознайомитись у Науковій бібліотеці
імені М.Максимовича Київського національного
університету імені Тараса Шевченка
(м. Київ, вул. Володимирська, 58).
Автореферат розісланий “20“ вересня 2000 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Шкавро А.Г.
Загальна характеристика роботи
АКТУАЛЬНІСТЬ РОБОТИ. Протіканню струмів великої густини через неоднорідні структури напівпровідникових приладів присвячена велика кількість досліджень. Цікавість до них є зрозумілою, оскільки гранична потужність роботи приладу визначається процесами протікання в ньому струму великої густини та розігріву ним приладу. З іншого боку, великий інтерес становить дослідження протікання струмів великої густини і в однорідних напівпровідникових структурах. Цей інтерес пов‘язаний з тим, що в первісно однорідній біполярній плазмі напівпровідника існують ефекти, при яких малі зміни його властивостей яким-небудь фактором викликають великі зміни концентрації носіїв заряду при протіканні в ньому струму великої густини.
Запропонована дисертація відноситься до робіт другого типу. В ній досліджується протікання через однорідні напівпровідники струмів екстремально великої густини (аж до такої, що руйнує структуру через її розігрів). В якості об‘єктів дослідження були вибрані плівки, оскільки в них велику густину струму можна реалізувати при малому значенні повного струму. Зрозуміло, що ця обставина суттєво спрощує проведення експериментальних досліджень. Дослідження проводились на плівках кремнію структур “кремній на ізоляторі“ (КНІ) та плівках легованого оловом оксиду індію на ізолюючих підкладинках різного типу. Вибір саме таких об‘єктів досліджень зумовлений двома причинами. Перша - це простота їх отримання. Другою причиною було те, що результати проведених досліджень, крім наукової, можуть мати і практичну цінність.
Відмітимо, що в деякому розумінні ці плівки є антиподами. Ширина забороненої зони кремнію становить 1,12 еВ, а легованого оловом оксиду індію - 3,7 еВ. Тому в перших плівках власна провідність виникає до їх руйнування, а в других провідність завжди монополярна.
Крім того, конструкція структур КНІ є такою, що досліджувана плівка кремнію відділена лише тонким шаром SiO2 від масивної кремнієвої підкладинки з великими теплоємністю і теплопровідністю. Охолодження через такий шар відбувається краще, ніж через вільну поверхню. З цієї причини підкладинка є ефективним тепловідводом для кремнієвої плівки. З іншого боку плівки легованого оловом оксиду індію наносять на різні підкладинки: скляні, ситалові, різні полімерні підкладинки. У всіх таких структурах тепло відводиться значно слабше, ніж у структурах КНІ.
В роботі наведено результати досліджень ефектів, пов‘язаних з протіканням струмів великої густини в кремнієвих плівках структур КНІ та в плівках легованого оловом оксиду індію.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9 



Реферат на тему: Екстремальні струми в напівпровідникових структурах

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок