Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Парамагнітні дефекти в оксидах кремнію з нанокристалітами та карбіді кремнію p-типу

Парамагнітні дефекти в оксидах кремнію з нанокристалітами та карбіді кремнію p-типу

Назва:
Парамагнітні дефекти в оксидах кремнію з нанокристалітами та карбіді кремнію p-типу
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
20,61 KB
Завантажень:
165
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 
В четвертому розділі описані результати ЕПР досліджень позитивно за
рядженої вакансіїї вуглецю в кристалах 6H-SiC


НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ ім. В.Є. ЛАШКАРЬОВА
Петренко Тарас Тарасович
УДК 621.315.592
Парамагнітні дефекти в оксидах кремнію
з нанокристалітами та карбіді кремнію p-типу
01.04.07 – фізика твердого тіла
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Київ – 2004


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Науковий керівник: кандидат фізико-математичних наук,
старший науковий співробітник
Братусь Віктор Якович,
Інститут фізики напівпровідників НАН України
імені В.Є. Лашкарьова,
старший науковий співробітник.
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор
Грехов Андрій Михайлович,
Європейський університет фінансів,
інформаційних систем та бізнесу,
проректор з наукової роботи, завідувач кафедри
інформаційних систем і технологій.
доктор фізико-математичних наук
Литовченко Анатолій Степанович
Інститут геохімії, мінералогії та
рудоутворення НАН України,
завідувач відділу радіоспектроскопії
мінеральної речовини.
Провідна установа: Київський національний університет
імені Тараса Шевченка, фізичний факультет, м. Київ.
Захист відбудеться 20 лютого 2004 р. о 1615 годині на засіданні Cпеціалізованої вченої ради
К 26.199.01 при Інституті фізики напівпровідників НАН України ім. В.Є. Лашкарьова за адресою: 03028, Київ-28, пр. Науки, 45.
З дисертацією можна ознайомитися в бібліотеці Інституту фізики напівпровідників НАН України імені В.Є. Лашкарьова (03028, Київ-28, пр. Науки, 45).
Автореферат розісланий 16 січня 2004 р.
Вчений секретар
Cпеціалізованої вченої ради К 26.199.01
кандидат фізико-математичних наук Охріменко О.Б.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальнiсть першого напрямку дисертацiйних дослiджень визначається великим iнтересом до низькорозмiрних твердотiльних систем, якi дозволяють на нових принципах розв'язувати задачi сучасної технiки та технологiї. Зокрема, в останнє десятилiття iнтенсивно вивчаються композитні матеріали, які складаються з вбудованого у діоксид кремнію нанокристалiчного (нк) кремнiю або германiю. Це обумовлено проблемою створення структур, якi випромiнюють у видимiй областi спектру, мають високу стабiльнiсть та надiйнi механiчнi характеристики й можуть бути створенi на базi дешевої кремнiєвої технологiї. Тому значний iнтерес становить вивчення електронної структури та оптичних властивостей нк-Si та нк-Ge.
Досi залишається вiдкритим питання про природу фотолюмiнесценцiї (ФЛ), яка характерна для структур з утвореними нанокристалiтами. Вважається, що у випадку нк-Si у SiO2 одна iз смуг з максимумом поблизу ? = 620 нм має дефектну природу, тодi як червона ФЛ (?=740 нм) безпосередньо пов'язана з появою нанокристалiтiв Si. Проте, остаточне визначення природи рiзних смуг ФЛ потребує подальших додаткових експериментальних i теоретичних підтверджень.
Для отримання нанокристалiв у SiO2 використовуються рiзнi технологiї: iонна iмплантацiя, магнетронне розпилення, реактивне лазерне розпилення напівпровідникової мiшенi з наступними термічними відпалами, молекулярно-променева епiтаксiя та iн. Необхiднiсть проведення дослiджень методом електронного парамагнітного резонансу (ЕПР) шарiв дiоксиду кремнiю, в яких формуються нанокристалiти, викликана тим, що утворені на рiзних стадiях цього процесу дефекти в значнiй мiрi вiдображають характер структурних змiн, якi вiдбуваються у композиті в залежності від способу його отримання. Також, порiвняння з даними оптичних вимiрювань дозволяє встановити роль дефектiв у виникненнi певних смуг ФЛ.
У даній роботі наведені результати досліджень ЕПР шарів SiO2, імплантованих іонами Si+ та Ge+ та плівок SiOx , отриманих за технологією вакуумного термічного випаровування SiO.
Актуальнiсть другого напрямку даного дисертацiйного дослiдження обумовлена тим, що завдяки нещодавнiм досягненням у технологiї вирощування якiсних монокристалiв та епiтаксiйних плівок карбiду кремнiю, використання ряду визначних фiзичних властивостей цього матеріалу викликає пiдвищений iнтерес серед технологiв та дослiдникiв.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 



Реферат на тему: Парамагнітні дефекти в оксидах кремнію з нанокристалітами та карбіді кремнію p-типу

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок