Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> КІНЕТИКА ФОРМУВАННЯ НАНОКОМПОЗИТНИХ ПЛІВОК Si-SiOx ТА ЇХ СВІТЛОВИПРОМІНЮЮЧІ ХАРАКТЕРИСТИКИ

КІНЕТИКА ФОРМУВАННЯ НАНОКОМПОЗИТНИХ ПЛІВОК Si-SiOx ТА ЇХ СВІТЛОВИПРОМІНЮЮЧІ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Назва:
КІНЕТИКА ФОРМУВАННЯ НАНОКОМПОЗИТНИХ ПЛІВОК Si-SiOx ТА ЇХ СВІТЛОВИПРОМІНЮЮЧІ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
20,49 KB
Завантажень:
286
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ ім. В.Є. ЛАШКАРЬОВА
Майданчук Іван Юрійович
УДК: 539.213; 539.217; 621.382
КІНЕТИКА ФОРМУВАННЯ НАНОКОМПОЗИТНИХ ПЛІВОК
Si-SiOx ТА ЇХ СВІТЛОВИПРОМІНЮЮЧІ ХАРАКТЕРИСТИКИ
01.04.07 – фізика твердого тіла
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Київ – 2006
Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України
Науковий керівник: | доктор фізико-математичних наук,
професор,
Індутний Іван Захарович,
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України (м. Київ), завідувач відділом
Офіційні опоненти: |
доктор фізико-математичних наук, професор,
Вакуленко Олег Васильович,
Київський національний університет імені Тараса Шевченка, професор кафедри оптики
доктор фізико-математичних наук,
провідний науковий співробітник,
Євтух Анатолій Антонович,
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова
Провідна установа: |
Інститут фізики НАН України (м. Київ), відділ фотонних процесів
Захист відбудеться ” ” січня 2007 р. о __ годині на засіданні спеціалізованої вченої ради К 26.199.01 при Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України за адресою: 03028, м. Київ, пр. Науки, 41.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України (м. Київ, пр. Науки, 45).
Автореферат розісланий ” ” грудня 2006 р.
Вчений секретар
Спеціалізованої вченої ради К 26.199.01
кандидат фізико-математичних наук О.Б. Охріменко


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. На сьогоднішній день кремній залишається основним матеріалом електроніки. Кремній – непрямозонний напівпровідник, тому його використання в оптоелектронних приладах обмежене через слабку фотолюмінесценцію (ФЛ) при кімнатній температурі. Можливість отримати ФЛ в видимій області на основі кремнію була показана у 90-ті роки минулого століття. Випромінювання було отримане на структурах поруватого кремнію та пов’язане з обмеженням розмірів кремнієвих кристалітів до нанометрового масштабу. Протягом 90-х років поруватий кремній вважався одним з найбільш перспективних об’єктів досліджень в даній області. Недоліками даного матеріалу є його нестійкість по відношенню до термічних та хімічних впливів, крихкість, погана стабільність властивостей та складний контроль технологічних параметрів.
В середині 90-х років було запропоновано нові методи формування наночастинок кремнію (nc-Si), що базуються на стандартних кремнієвих технологіях, серед них – термічне осадження у вакуумі, плазмохімічне осадження, лазерне осадження, магнетронне розпилення та ін. Формування кремнієвих наночастинок відбувається в два етапи: 1) виготовлення оксидної плівки, 2) високотемпературний відпал, що призводить до виділення фази кремнію в оксидній матриці. Склад оксидної матриці та кількість кремнію залежить від технологічних параметрів виготовлення плівки. Різні методи дозволяють контролювати розміри частинок, впливаючи, таким чином, на спектри їх фотолюмінесценції.
Серед методів формування nc-Si одним з найбільш простих та технологічних є метод термічного вакуумного осадження тонких плівок SiOx з подальшим їх відпалом. Перевагами цього методу є можливість осадження плівок великої площі, контроль за товщиною, однорідність плівок та можливість змінювати їх склад. Метод осадження плівок SiOx з подальшим їх відпалом дозволяє формувати наночастинки кремнію розмірами 3-5 нм, з ФЛ в області 700-950 нм. Можливість отримання контрольованої ФЛ в більш широкій області спектра є важливою задачею, що не вирішена в повній мірі до цього часу.
Процес термостимульованого розділення фаз та утворення наночастинок кремнію також недостатньо вивчений. Існуючі моделі не дозволяють пояснити процеси формування наночастинок протягом відпалу плівок SiOx. Досі невідомі механізми дифузії в плівці SiOx, коефіцієнти дифузії, що приводяться в літературі, відрізняються на порядки величини.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 



Реферат на тему: КІНЕТИКА ФОРМУВАННЯ НАНОКОМПОЗИТНИХ ПЛІВОК Si-SiOx ТА ЇХ СВІТЛОВИПРОМІНЮЮЧІ ХАРАКТЕРИСТИКИ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок