Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ІНЖЕКЦІЙНО-ТЕРМІЧНІ ТА РЕКОМБІНАЦІЙНІ ПРОЦЕСИ В БАГАТОБАРґЄРНИХ А3В5 - НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ВИПРОМІНЮВАЧАХ ІНФРАЧЕРВОНОГО ДІАПАЗОНУ

ІНЖЕКЦІЙНО-ТЕРМІЧНІ ТА РЕКОМБІНАЦІЙНІ ПРОЦЕСИ В БАГАТОБАРґЄРНИХ А3В5 - НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ВИПРОМІНЮВАЧАХ ІНФРАЧЕРВОНОГО ДІАПАЗОНУ

Назва:
ІНЖЕКЦІЙНО-ТЕРМІЧНІ ТА РЕКОМБІНАЦІЙНІ ПРОЦЕСИ В БАГАТОБАРґЄРНИХ А3В5 - НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ВИПРОМІНЮВАЧАХ ІНФРАЧЕРВОНОГО ДІАПАЗОНУ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
20,96 KB
Завантажень:
121
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ ім. В.Є. ЛАШКАРЬОВА
НАЦІОНАЛЬНОЇ АКАДЕМІЇ НАУК УКРАЇНИ
Богословська Алла Борисівна
УДК 621.315.592
ІНЖЕКЦІЙНО-ТЕРМІЧНІ ТА РЕКОМБІНАЦІЙНІ ПРОЦЕСИ В
БАГАТОБАРґЄРНИХ А3В5 - НАПІВПРОВІДНИКОВИХ
ВИПРОМІНЮВАЧАХ ІНФРАЧЕРВОНОГО ДІАПАЗОНУ
01.04.01 – фізика приладів, елементів і систем
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Київ – 2005


Дисертацією є рукопис
Робота виконана у відділі фізики оптоелектронних приладів Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України.
Науковий керівник : доктор фізико-математичних наук,
професор Сукач Георгій Олексійович,
Державний університет інформаційно-комунікаційних технологій,
проректор з наукової роботи
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук,
професор Глінчук Костянтин Давидович,
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова
НАН України,
головний науковий співробітник
доктор фізико-математичних наук,
професор Тартачник Володимир Петрович,
Інститут ядерних досліджень НАН України,
провідний науковий співробітник
Провідна установа :
Інститут фізики НАН України, відділ оптики та спектроскопії кристалів, м. Київ.
Захист відбудеться „ 21 „ жовтня 2005 р. о 1415 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради К26.199.01 при Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України за адресою: 03028, Київ-28, проспект Науки, 45.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України за адресою: 03028, м. Київ, проспект Науки, 45.
Автореферат розісланий „ 16 „ вересня 2005р.
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради
кандидат фізико-математичних наук Охріменко О.Б.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. В наш час велика увага приділяється проблемі охорони навколишнього середовища, для вирішення якої створюються численні прилади, у тому числі напівпровідникові газоаналізатори для визначення наявності промислових газів, що отруюють атмосферу. Одним із основних елементів газоаналізаторів є напівпровідникове джерело випромінювання, спектральна характеристика якого збігається зі смугою поглинання газу, що контролюється. Відомо, що в середній інфрачервоній (ІЧ) області спектра розташовані сильні фундаментальні смуги поглинання багатьох шкідливих газів, наприклад, метану, вуглекислого газу, ацетону, амонію та інших канцерогенних неорганічних і органічних сполук. Використання напівпровідникових ІЧ-випромінювачів в приладах прикладної спектроскопії дозволяє значно підвищити їх селективність, швидкодію, стійкість до дії агресивного зовнішнього середовища. Необхідність підвищення потужності випромінювання ставить питання пошуку нових матеріалів та розробки приладових структур. Перспективними матеріалами для таких ІЧ - випромінювачів є вузькозонні напівпровідники на основі багатокомпонентних твердих розчинів А3В5, зокрема, потрійні (, GaАlAs, GaInAs) і четверні (, ) тверді розчини на основі бінарних сполук і . Більш глибоке розуміння фізики процесів в цих матеріалах та приладових структурах на їх основі може привести до створення напівпровідникових сполук з наперед заданими оптичними, фотоелектричними, кінетичними й електричними властивостями, і, як наслідок, ефективних приладів ІЧ діапазону.
Знання тенденцій зміни функціональних параметрів напівпровідникових приладів дозволяє правильно та економно експлуатувати їх в різних режимах роботи. Невід'ємним етапом конструкторсько-технологічного проектування сучасних напівпровідникових приладів оптоелектроніки є тепловий аналіз. Теплові перевантаження можуть стати причиною термічної втоми матеріалів, теплових відхилень параметрів, появи локальних областей перегріву та інших форм теплових ушкоджень, які, в решті решт, можуть повністю або частково вивести прилад з ладу. Питання дослідження і розрахунку теплових параметрів напівпровідникових діодів, транзисторів і тиристорів широко висвітлені в науковій літературі. Що стосується інжекційно-термічних процесів у багатошарових оптоелектронних структурах з гомо- і гетеропереходами, то їх дослідження проводилося епізодично і, в основному, для стаціонарних режимів роботи, що явно недостатньо при роботі в імпульсних режимах, коли температура перегріву приладу стає функцією не тільки відстані від джерела тепла, але й параметрів імпульсного струму.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 



Реферат на тему: ІНЖЕКЦІЙНО-ТЕРМІЧНІ ТА РЕКОМБІНАЦІЙНІ ПРОЦЕСИ В БАГАТОБАРґЄРНИХ А3В5 - НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ВИПРОМІНЮВАЧАХ ІНФРАЧЕРВОНОГО ДІАПАЗОНУ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок