Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> МЕХАНІЗМ УТВОРЕННЯ І ВЛАСТИВОСТІ РОСТОВИХ МІКРОДЕФЕКТІВ У БЕЗДИСЛОКАЦІЙНИХ МОНОКРИСТАЛАХ КРЕМНІЮ

МЕХАНІЗМ УТВОРЕННЯ І ВЛАСТИВОСТІ РОСТОВИХ МІКРОДЕФЕКТІВ У БЕЗДИСЛОКАЦІЙНИХ МОНОКРИСТАЛАХ КРЕМНІЮ

Назва:
МЕХАНІЗМ УТВОРЕННЯ І ВЛАСТИВОСТІ РОСТОВИХ МІКРОДЕФЕКТІВ У БЕЗДИСЛОКАЦІЙНИХ МОНОКРИСТАЛАХ КРЕМНІЮ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
30,39 KB
Завантажень:
202
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21 
ЧЕРНІВЕЦЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
ІМ. ЮРІЯ ФЕДЬКОВИЧА
ТАЛАНІН Ігор Євгенійович
УДК 621.315.592
МЕХАНІЗМ УТВОРЕННЯ І ВЛАСТИВОСТІ РОСТОВИХ МІКРОДЕФЕКТІВ У БЕЗДИСЛОКАЦІЙНИХ МОНОКРИСТАЛАХ КРЕМНІЮ
Спеціальність: 01.04.07 – фізика твердого тіла
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора фізико-математичних наук
Чернівці – 2005
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана на кафедрі фізичної та біомедичної електроніки Запорізької державної інженерної академії Міністерства освіти і науки України, м. Запоріжжя.
Науковий консультант – доктор технічних наук, професор
Левінзон Давид Іделевич,
Гуманітарний університет “Запорізький інститут державного та
муніципального управління”, завідувач кафедри фізичної та
біомедичної електроніки.
Офіційні опоненти: - доктор фізико-математичних наук, професор
Литовченко Петро Григорович,
науковий центр “Інститут ядерних досліджень” Національної
академії наук України, завідувач відділу радіаційної фізики;
- доктор фізико-математичних наук, професор
Раранський Микола Дмитрович,
Чернівецький національний університет імені Юрія
Федьковича, завідувач кафедри фізики твердого тіла;
- доктор фізико-математичних наук, професор
Бабич Вілік Максимович,
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова
Національної академії наук України, головний науковий
співробітник відділу електричних і магнітних
властивостей напівпровідників
Провідна установа – Інститут металофізики імені Г.В. Курдюмова НАН України,
м. Київ.
Захист відбудеться “ 25 ” лютого 2005 р. о 1500 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 76.051.01 в Чернівецькому національному університеті імені Юрія Федьковича, за адресою: 58012, м. Чернівці, вулиця Коцюбинського, 2, тел. (8-0372) 2-52-48.
З дисертацією можна ознайомитися в бібліотеці Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича (вул. Лесі Українки, 23).
Автореферат розіслано “ 04 ” січня 2005 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради М.В. Курганецький
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Розвиток сучасної електронної техніки визначається, в основному, рівнем технології бездислокаційних монокристалів кремнію, що є і залишається в перспективі основним матеріалом у таких найважливіших областях електронної промисловості як мікроелектроніка і наноелектроніка, силова напівпровідникова електроніка, функціональна електроніка та ін.
Прогрес в одержанні особливо чистих бездислокаційних монокристалів кремнію висунув на передній план проблему дослідження особливостей дефектоутворення у цьому структурно досконалому середовищі, що особливо важливо в зв'язку з переходом мікроелектроніки на мегабітні і гігабітні інтегральні схеми із використанням технологій субмікронного рівня. Тому успіх у створенні високоякісних монокристалів і приладових структур із контрольованими і прогнозованими параметрами значною мірою визначається досягненнями в керуванні станом ансамблю точкових дефектів.
Скупчення точкових дефектів (ростові мікродефекти), які утворюються у бездислокаційних монокристалах кремнію, істотно впливають на їхні електрофізичні і механічні властивості, а також на характеристики дискретних приладів і інтегральних мікросхем на основі кремнію. Відомо, що мікродефекти як міжвузловинного (А-мікродефекти), так і вакансійного (мікропори) походження знижують якість і вихід придатних надвеликих інтегральних схем.
Загальна стратегія підвищення структурної досконалості бездислокаційних монокристалів кремнію повинна будуватися, виходячи зі знання та адекватного застосування механізму утворення і трансформації ростових мікродефектів. Але достатньо задовільні якісні уявлення про механізм дефектоутворення у бездислокаційних монокристалах кремнію, вирощених за методами безтигельної зонної плавки і Чохральського, дотепер відсутні. Відомі моделі, такі як рівноважна міжвузловинна модель Фелля, нерівноважна міжвузловинна модель де Кока, краплинна модель Чикави, вакансійна модель ван Вехтена, вакансійно-міжвузловинна модель Ху і рекомбінаційно-дифузійна модель Воронкова, суперечать експериментальним результатам і не можуть пояснити фізику процесів взаємодії точкових дефектів при утворенні ростових мікродефектів.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21 



Реферат на тему: МЕХАНІЗМ УТВОРЕННЯ І ВЛАСТИВОСТІ РОСТОВИХ МІКРОДЕФЕКТІВ У БЕЗДИСЛОКАЦІЙНИХ МОНОКРИСТАЛАХ КРЕМНІЮ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок