Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> реферат українською мовою: ПРИРОДА ТА СТРУКТУРА ПАРАМАГНІТНИХ ДЕФЕКТІВ У КРИСТАЛАХ GaAs, SiC І КРЕМНІЄВИХ МАТЕРІАЛАХ З НАНОСТРУКТУРАМИ

ПРИРОДА ТА СТРУКТУРА ПАРАМАГНІТНИХ ДЕФЕКТІВ У КРИСТАЛАХ GaAs, SiC І КРЕМНІЄВИХ МАТЕРІАЛАХ З НАНОСТРУКТУРАМИ / сторінка 13

Назва:
ПРИРОДА ТА СТРУКТУРА ПАРАМАГНІТНИХ ДЕФЕКТІВ У КРИСТАЛАХ GaAs, SiC І КРЕМНІЄВИХ МАТЕРІАЛАХ З НАНОСТРУКТУРАМИ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
29,96 KB
Завантажень:
315
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17 
Зразки другого (II) типу мали більш заглиблений рівномірний розподіл атомів германія в оксидній плівці з тим же значенням NGe. У зразки третього (III) типу іони Ge+ з енергією 430 кеВ імплантувалися в плівку SiO2 товщиною 1000 нм до дози DІІІ = 4.11016 см-2, утворивши близький до гауссового профіль розподілу введеної домішки Ge з концентрацією у максимумі розподілу близько 4 ат%.
Рис. 9.
Домінуючою у спектрах ЕПР невідпалених зразків усіх трьох типів є майже симетрична лінія з g = 2.0005 0.0002, характерним для центрів Е’. На крилах спектра дефекту E’ у зразках І та ІІ типу виразно спостерігаються лінії меншої інтенсивності (рис. 9), які можуть бути ідентифікованими відповідно до параметрів як центри Ge E’ та Ge(2). Характерною особливістю лінії германієвого пероксидного радикала Ge PR є те, що вона не насичується зі збільшенням мікрохвильової потужності до 100 мВт та зростає майже вдвічі після відпалу зразка при 300 ОС (рис. 9b). Спостереження пов’язаних із германієм дефектів у спектрах ЕПР невідпалених імплантованих структур Si/SiO2/Ge+ вказує на те, що атоми Ge вбудовуються у значній кількості в матрицю замість атомів Si без термічної активації.
Було визначено, що концентрація дефектів має майже на порядок більше значення у зразках ІІІ типу порівняно зі зразками ІІ типу при майже вдвічі меншій повній дозі імплантованих іонів та близьких значеннях доз високоенергетичних іонів. Цей аспект якісно пояснено процесом динамічного відпалу дефектів при проведенні багатоступеневої імплантації з метою створення рівномірного профілю.
Кореляція при відпалі зразків для інтенсивностей спектрів ЕПР та смуг ФЛ з максимумами 1.94, 2.00 та 2.20 еВ вказує на те, що ці смуги мають дефектну природу. У той же час смуга ФЛ з максимумом 2.32 еВ, яка з’являється після відпалу при 900ОС, пов’язується з утворенням нанокристалітів Ge в SiO2.
ВИСНОВКИ
У дисертації вирішено наукову проблему з’ясування природи та структури домішкових і власних парамагнітних дефектів у кристалах GaAs, SiC і кремнієвих матеріалах, в яких утворюються нанокристаліти. У проведених дослідженнях розроблена фізична основа для радіоспектроскопічного діагностування різноманітних структур на основі кремнію з нанокристалітами.
Виходячи з аналізу проведених досліджень можна сформулювати такі основні результати та висновки роботи:
1. Виявлено, що в умовах реєстрації ЕПР лінії спінового резонансу нейтральної акцепторної домішки марганцю, яка має структуру (Mn2++h), обумовлені електродипольними спіновими переходами. Це є першим надійним спостереженням електродипольних спінових переходів на мілкому акцепторі з інтенсивністю, яка значно перевищує типову інтенсивність ЕПР.
2. З’ясовано, що центру “мілкого” бору у 3C-SiC відповідає група точкової симетрії C3V, пониження симетрії від кубічної до тригональної зумовлене ефектом Яна-Теллера.
3. У температурному інтервалі 4 300 К визначені параметри спін-гамільтоніану спостережених вперше трьох основних дефектів Ку1, Ку2 та Ку3, які утворюються в результаті електронного опромінення кристалів 6H-SiC р-типу. Порівняння визначених експериментально параметрів надтонкої взаємодії із розрахованими з застосуванням методів теорії функціонала густини дозволило ідентифікувати ці дефекти як позитивно заряджену вакансію вуглецю у трьох кристалографічно нееквівалентних позиціях ґратки 6H-SiC.
4. За результатами розрахунків симетрії та параметрів надтонкої взаємодії для розщепленого у напрямку <100> вуглецевого міжвузля у кубічному SiC відомі центри Т5 та ЕІ3 було ідентифіковано відповідно як його позитивно заряджений та нейтральний зарядовий стан.
5. У поруватому кремнії вперше зареєстровано та описано спектри ПЕЯР на ядрах водню для центра Pb, що дозволило обґрунтувати розширену модель цього дефекту.
6. У широкому колі кремнієвих композитів, які було отримано методами вакуумного термічного розпилення SiO, імпульсного лазерного осадження кремнію та ерозії кристалічного Si іскровим розрядом, вперше спостережено та ідентифіковано парамагнітні дефекти.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17 



Реферат на тему: ПРИРОДА ТА СТРУКТУРА ПАРАМАГНІТНИХ ДЕФЕКТІВ У КРИСТАЛАХ GaAs, SiC І КРЕМНІЄВИХ МАТЕРІАЛАХ З НАНОСТРУКТУРАМИ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок