Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ПРИРОДА ТА СТРУКТУРА ПАРАМАГНІТНИХ ДЕФЕКТІВ У КРИСТАЛАХ GaAs, SiC І КРЕМНІЄВИХ МАТЕРІАЛАХ З НАНОСТРУКТУРАМИ

ПРИРОДА ТА СТРУКТУРА ПАРАМАГНІТНИХ ДЕФЕКТІВ У КРИСТАЛАХ GaAs, SiC І КРЕМНІЄВИХ МАТЕРІАЛАХ З НАНОСТРУКТУРАМИ / сторінка 15

Назва:
ПРИРОДА ТА СТРУКТУРА ПАРАМАГНІТНИХ ДЕФЕКТІВ У КРИСТАЛАХ GaAs, SiC І КРЕМНІЄВИХ МАТЕРІАЛАХ З НАНОСТРУКТУРАМИ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
29,96 KB
Завантажень:
315
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17 
S., Kuznetsov N.I., Nikitina I.P., Tregubova A.S., Shcheglov M.P., Bratus' V.Ya. Structural, electrical and optical properties of bulk 4H and 6H p-type SiC // Materials Science Forum. 2000. V. 338-342. P. 497-500.
17. Kalinina E., Kossov V., Shchukarev A., Bratus’ V., Pensl G., Rendakova S., Dmitriev V., Hallen A. Material quality improvements for high voltage 4H-SiC diodes // Materials Science and Engineering B. 2001. V. 80, N. 1-3. P. 337-341.
18. Братусь В.Я., Юхимчук В.А., Бережинский Л.И., Валах М.Я., Ворона И.П., Индутный И.З., Петренко Т.Т., Шепелявый П.Е., Янчук И.Б. Структурные превращения и образование нанокристаллитов кремния в пленках SiOx // ФТП. 2001. Т. 35, вып. 7. С.854-860.
19. Валах М.Я., Братусь В.Я., Индутный И.З., Юхимчук В.А., Янчук И.Б. Формирование нанокристаллитов Si в пленках SiOx: оптические и ЭПР исследования // Материалы совещания “Нанофотоника”. Нижний Новгород, Россия, 2001. С. 15-18.
20. Родіонов В.М., Братусь В.Я. Вплив домішки азоту на процеси випромінювальної та безвипромінювальної рекомбінації в кубічному карбіді кремнію // УФЖ. 2001. T. 46, №9 C. 979-984.
21. Валах М.Я., Юхимчук В.О., Братусь В.Я., Гулє Є.Г. Оптичні властивості SiO2-плівок, імплантованих іонами кремнію та вуглецю // УФЖ. 2001. Т. 46, №10. С. 1065-1069.
22. Bratus' V.Ya., Makeeva I.N., Okulov S.M., Petrenko T.L., Petrenko T.T., von Bardeleben H.J. EPR study of carbon vacancy-related defects in electron-irradiated 6H-SiC // Materials Science Forum. 2001. V. 353-356. P. 517-520.
23. Bratus' V.Ya., Makeeva I.M., Okulov S.M., Petrenko T.L., Petrenko T.T., von Bardeleben H.J. Positively charged carbon vacancy in 6H-SiC: EPR study // Physica B 2001. V. 308-310. P. 621-624.
24. Bratus' V.Ya., Petrenko T.T., von Bardeleben H.J., Kalinina E.V., Hallen A. Vacancy-related defects in ion-beam and electron irradiated 6H-SiC // Applied Surface Science. 2001. V. 184, N. 1-4. P. 229-236.
25. Petrenko T.T., Petrenko T.L., Bratus’ V.Ya., Monge J.L. Calculation of hyperfine parameters of positively charged carbon vacancy in SiC // Physica B. 2001. V. 308-310. P. 637-640.
26. Petrenko T.T., Petrenko T.L., Bratus' V.Ya., Monge J.L. Symmetry, spin state and hyperfine parameters of vacancies in cubic SiC // Applied Surface Science. 2001. V. 184, N. 1-4. P. 273-277.
27. Petrenko T.T., Petrenko T.L., Bratus' V.Ya. The carbon <100> split interstitial in SiC // Journal of Physics: Condensed Matter. 2002. V. 14, N. 47. P. 12433-12440.
28. Братусь В.Я., Родіонов В.М. Вплив термообробок на рекомбінаційні властивості кубічного карбіду кремнію // УФЖ. 2002. Т. 47, №6. С. 588-591.
29. Bratus’ V.Ya. Paramagnetic defects in silicon structures with nanocrystallites // Журнал фізичних досліджень. 2003. Т. 7, №.4. С. 413-418.
30. Братусь В.Я., Окулов С.М., Каганович Э.Б., Кизяк И.М., Манойлов Э.Г. Исследования методом электронного парамагнитного резонанса пленок нанокристаллического кремния, полученных импульсным лазерным осаждением // ФТП. 2004. Т. 38, вып. 5. С. 621-625.
31. Bratus’ V.Ya., Petrenko T.T., Okulov S.M., Petrenko T.L. Positively charged carbon vacancy in three inequivalent lattice sites of 6H-SiC: combined EPR and density functional theory study // Physical Review B. 2005. V. 71, N. 12 125202 (22 pp.).
32. Братусь В.Я., Валах М.Я., Гулє Є.Г., Окулов С.М., Юхимчук. ЕПР та оптичні дослідження плівок SiO2, імплантованих іонами германію // УФЖ. 2005. Т. 50, №6. С. 610-617.
Анотація
Братусь В.Я. Природа та структура парамагнітних дефектів у кристалах GaAs, SiC і кремнієвих матеріалах з наноструктурами. – Рукопис.
Дисертація на здобуття наукового ступеня доктора фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 - фізика напівпровідників і діелектриків. – Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Київ, 2006.
Дисертацію присвячено вирішенню проблеми з’ясування природи та структури домішкових і власних парамагнітних дефектів у кристалах GaAs, SiC і кремнієвих матеріалах, в яких утворюються нанокристаліти.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17 



Реферат на тему: ПРИРОДА ТА СТРУКТУРА ПАРАМАГНІТНИХ ДЕФЕКТІВ У КРИСТАЛАХ GaAs, SiC І КРЕМНІЄВИХ МАТЕРІАЛАХ З НАНОСТРУКТУРАМИ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок