Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Скачати реферат безкоштовно: ПРИРОДА ТА СТРУКТУРА ПАРАМАГНІТНИХ ДЕФЕКТІВ У КРИСТАЛАХ GaAs, SiC І КРЕМНІЄВИХ МАТЕРІАЛАХ З НАНОСТРУКТУРАМИ

ПРИРОДА ТА СТРУКТУРА ПАРАМАГНІТНИХ ДЕФЕКТІВ У КРИСТАЛАХ GaAs, SiC І КРЕМНІЄВИХ МАТЕРІАЛАХ З НАНОСТРУКТУРАМИ / сторінка 8

Назва:
ПРИРОДА ТА СТРУКТУРА ПАРАМАГНІТНИХ ДЕФЕКТІВ У КРИСТАЛАХ GaAs, SiC І КРЕМНІЄВИХ МАТЕРІАЛАХ З НАНОСТРУКТУРАМИ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
29,96 KB
Завантажень:
315
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17 
Як було з’ясовано, експериментальні параметри СГ, виявлені з вимірювань при Т = 77 К для центра Ky2 та при Т= 100 К для центра Ky1, збігаються з відповідними величинами, отриманими шляхом теоретичного усереднення параметрів СГ, визначених при низьких температурах (T = 4.2 K). Це засвідчує справедливість припущень щодо характеру усереднення параметрів СГ, а також підтверджує вірогідність їхнього визначення з експериментів, виконаних при низьких та високих температурах.
Центр Ky3 спостерігається у спектрах ЕПР тільки при T 15 K й має аксіальну симетрію в усьому дослідженому інтервалі температур 15300 K. При довільній орієнтації магнітного поля спектр Ky3 характеризується наявністю семи дублетів від надтонкої взаємодії з атомами першої сфери. Показано, що найбільші надтонкі розщеплення у спектрі походять від двох розташованих у першій координаційній сфері вакансії вуглецю кремнієвих тетраедрів, які повернуті один відносно одного на 180. На відзнаку від центрів Ky1 та Ky2, дефект Ky3 характеризується значною відмінністю у розподілі спінової густини на атомах кремнію першої сфери, а також яскраво вираженою температурною залежністю параметрів СГ (таблиця 2).
 
Таблиця 2
Температурна залежність параметрів спін-гамільтоніана центра Ку3
g-фактор | Параметри надтонкої взаємодії (10-4 см-1) | Si1 | Si2 Si3 | Si4
T, K | g | g | aiso | b | aiso | b | bn | bl | l
15 | 2.0020 | 2.0046 | 116.9 | 15.2 | 12.7 | -2.2 | -1.9 | 4.1 | 100O
30
40
50
77
293 | 2.0021
2.0022
2.0023
2.0025
2.0026 | 2.0045
2.0045
2.0045
2.0045
2.0044 | 115.8
114.8
113.3
108.5
94.3 | 15.2
15.1
15.0
14.3
12.2 | 13.2
13.5
14.1
16.0
21.1 | -2.2
-2.3
-2.3
-2.5
-3.0 | -2.0
-2.0
-2.1
-2.4
-3.0 | 4.2
4.3
4.4
4.9
6.0 | 100O
100O
100O
101O
104O | в h-позиції (розрахунок) 111.9 15.4 13.8 -2.5 -2.5 5.0 99О |
Хороший збіг розрахованих за допомогою методів ТФГ та експериментально визначених параметрів НТВ для атомів кремнію першої сфери свідчить про адекватність запропонованої моделі для центра Ky3 – вакансії у квазігексагональній позиції ґратки 6H-SiC.
В імплантованих іонами Al+ кристалах 6H-SiC було визначено дозові залежності ширини лінії ЕПР та густини генерованих дефектів. Характер залежності пояснено достатньо високими концентраціями дефектів у пошкодженому шарі та переходом від диполь-дипольного розширення до обмінного звуження лінії ЕПР. Досліджено вплив термічного відпалу зразків на концентрацію парамагнітних дефектів. Наявність області “від’ємного” відпалу в околі 200 0С, в якій спостерігалось зростання кількості дефектів, пояснено трансформацією частини дефектів у парамагнітний стан. Стисло обговорюється походження спостереженої лінії ЕПР з g = 2.0028 0.0003, яка пов’язується з обірваними зв’язками атомів вуглецю у SiC.
Четвертий розділ присвячено розрахункам з перших принципів симетрії та параметрів надтонкої взаємодії, виконаних у кластерному наближенні для можливих дефектів в SiC, оточених чотирма атомами Si, з метою однозначної ідентифікації центрів Ку1, Ку2 та Ку3.
На початку розділу зроблено стислий огляд квантово-хімічних методів розрахунку дефектів та описано методику обчислення параметрів НТВ у рамках теорії функціонала густини. Для моделювання вакансії вуглецю у кубічному SiC використовувались кубічні кластери Si4H12, Si4C12H36, Si16C18H36 та Si44C42H76 а у квазігексагональній позиції гексагональні кластери Si20C18H40 та Si44C42H76. У більшості випадків у розрахунках застосовувався обмінно-кореляційний гібридний трипараметричний функціонал B3LYP. Ізотропна та анізотропна частини тензора надтонкої взаємодії з ядром N обчислювались згідно із співвідношеннями:
(2),
де , – спінова густина, RN – рівноважне положення ядра, інші позначення є загальноприйнятими.
Оптимізація рівноважної геометрії атомів Si першої сфери засвідчила складний характер поверхні потенціальної енергії для дефекту . Для кубічних позицій ґратки було знайдено мінімуми з точковими симетріями C3V, C2V та D2d, яким відповідають близькі значення повної енергії, але істотно різні розподіли спінової густини та, відповідно, параметри НТВ.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17 



Реферат на тему: ПРИРОДА ТА СТРУКТУРА ПАРАМАГНІТНИХ ДЕФЕКТІВ У КРИСТАЛАХ GaAs, SiC І КРЕМНІЄВИХ МАТЕРІАЛАХ З НАНОСТРУКТУРАМИ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок