Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ПРИРОДА ТА СТРУКТУРА ПАРАМАГНІТНИХ ДЕФЕКТІВ У КРИСТАЛАХ GaAs, SiC І КРЕМНІЄВИХ МАТЕРІАЛАХ З НАНОСТРУКТУРАМИ

ПРИРОДА ТА СТРУКТУРА ПАРАМАГНІТНИХ ДЕФЕКТІВ У КРИСТАЛАХ GaAs, SiC І КРЕМНІЄВИХ МАТЕРІАЛАХ З НАНОСТРУКТУРАМИ

Назва:
ПРИРОДА ТА СТРУКТУРА ПАРАМАГНІТНИХ ДЕФЕКТІВ У КРИСТАЛАХ GaAs, SiC І КРЕМНІЄВИХ МАТЕРІАЛАХ З НАНОСТРУКТУРАМИ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
29,96 KB
Завантажень:
314
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17 
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ ім. В.Є. ЛАШКАРЬОВА
НАЦІОНАЛЬНОЇ АКАДЕМІЇ НАУК УКРАЇНИ
БРАТУСЬ ВІКТОР ЯКОВИЧ
УДК 621.315.592; 537.635
ПРИРОДА ТА СТРУКТУРА ПАРАМАГНІТНИХ ДЕФЕКТІВ
У КРИСТАЛАХ GaAs, SiC І КРЕМНІЄВИХ МАТЕРІАЛАХ
З НАНОСТРУКТУРАМИ
01.04.10 - фізика напівпровідників і діелектриків
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора фізико-математичних наук
Київ - 2006


Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова
Національної академії наук України
Офіційні опоненти:
доктор фізико-математичних наук, професор
член-кореспондент Національної академії наук України
Рябченко Сергій Михайлович
Інститут фізики НАН України, завідувач відділу
доктор фізико-математичних наук, професор
член-кореспондент Національної академії наук України
Глинчук Майя Давидівна
Інститут матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України,
завідувач відділу
доктор фізико-математичних наук, професор
Скришевський Валерій Антонович
Київський національний університет ім. Тараса Шевченка,
професор кафедри
Провідна установа:
Дніпропетровський національний університет,
кафедра радіоелектроніки
Захист відбудеться 26 травня 2006 р. о 1415 на засіданні спеціалізованої вченої ради Д26.199.02 при Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України за адресою: проспект Науки, 45, Київ, 03028.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України за адресою: проспект Науки, 45 Київ, 03028.
Автореферат розісланий 22 квітня 2006 р.
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради
доктор фізико-математичних наук, професор Іщенко С.С.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми.
Завдяки широкому практичному застосуванню напівпровідникових приладів у сучасній техніці нинішній стан розвитку фізики напівпровідників характеризується все більш поглибленим вивченням властивостей кристалів та структури їх дефектів. Рушійним принципом напівпровідникової технології є створення певних недосконалостей у майже ідеальному кристалі з метою досягнення необхідних властивостей. Для широкого кола практичних задач використання приладів на основі найбільш досконалої на сьогодні кремнієвої технології наражається на принципові обмеження. У плані добору матеріалів з оптимальними властивостями для конкретного застосування останнім часом намітилися два основні напрямки. У першому до великої кількості напівпровідникових сполук з досить розмаїтими та унікальними властивостями застосовується традиційний підхід, який передбачає отримання структурно досконалих чистих кристалів з їх наступним легуванням. У другому напрямку впроваджуються квантово-розмірні явища, які полягають у зміні властивостей напівпровідників при формуванні у діелектричній або напівпровідниковій матриці нанорозмірних частинок. До складу останніх, окрім атомів власних компонент, можуть входити як атоми домішок так і точкові власні дефекти.
Кристали GaAs вже на протязі багатьох років використовується для створення різноманітних приладів електронної техніки, які мають перевагу над кремнієвими у швидкодії. Леговані Mn на рівні NMn=10171018 см-3 кристали GaAs застосовуються у якості фотоприймачів у інфрачервоній області спектра. Для таких NMn була знайдена сильна обмінна антиферомагнітна взаємодія між дірками та електронами 3d-оболонки Mn. Підвищення концентрації Mn в епітаксійних плівках (Ga,Mn)As до 5 ат.% дозволило нещодавно виявити феромагнетизм з температурою Кюрі Тс > 110 К, що робить їх надзвичайно перспективними у якості матеріалу елементів спінтроніки.
Нинішній інтерес до швидкого розвитку технології карбіду кремнію як напівпровідникового матеріалу для високотемпературних, високопотужних, високочастотних та радіаційно-стійких приладів передусім пов’язаний з широким колом можливостей їх використання. Важливою передумовою застосування SiC є його впровадження у технологію сучасних планарних структур. У напрямку підвищення відсотку виходу приладів надзвичайно важливими є необхідність у ретельному визначенні електричних і оптичних властивостей вихідного матеріалу та пов’язаного з цим розумінням природи дефектів на атомарному рівні.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17 



Реферат на тему: ПРИРОДА ТА СТРУКТУРА ПАРАМАГНІТНИХ ДЕФЕКТІВ У КРИСТАЛАХ GaAs, SiC І КРЕМНІЄВИХ МАТЕРІАЛАХ З НАНОСТРУКТУРАМИ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок