Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ДОСЛІДЖЕННЯ ВПЛИВУ РАДІАЦІЙНИХ ДЕФЕКТІВ НА ЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ НЕЙТРОННО ТРАНСМУТАЦІЙНО ЛЕГОВАНОГО ГЕРМАНІЮ

ДОСЛІДЖЕННЯ ВПЛИВУ РАДІАЦІЙНИХ ДЕФЕКТІВ НА ЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ НЕЙТРОННО ТРАНСМУТАЦІЙНО ЛЕГОВАНОГО ГЕРМАНІЮ

Назва:
ДОСЛІДЖЕННЯ ВПЛИВУ РАДІАЦІЙНИХ ДЕФЕКТІВ НА ЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ НЕЙТРОННО ТРАНСМУТАЦІЙНО ЛЕГОВАНОГО ГЕРМАНІЮ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
15,57 KB
Завантажень:
136
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ НАНУ
КАРАСЬ МИКОЛА ІВАНОВИЧ
УДК 621.315.592
ДОСЛІДЖЕННЯ ВПЛИВУ РАДІАЦІЙНИХ ДЕФЕКТІВ НА ЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ НЕЙТРОННО ТРАНСМУТАЦІЙНО ЛЕГОВАНОГО ГЕРМАНІЮ
(01.04.07-фізика твердого тіла)
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Київ-2000
Дисертацією є рукопис.
Роботу виконано в Інституті фізики напівпровідників НАН України.
Науковий керівник: кандидат фізико-математичних наук, старший
науковий співробітник
Воробкало Федір Михайлович,
Інститут фізики напівпровідників НАН України,
старший науковий співробітник.
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор
Баранський Петро Іванович,
Інститут фізики напівпровідників НАН України,
головний науковий співробітник
 
кандидат фізико-математичних наук
Неймаш Володимир Борисович,
Інститут фізики НАН України,
старший науковий співробітник.
Провідна організація: Київський університет імені Тараса Шевченка,
кафедра фізики металів, Міністерство освіти України, м.Київ
Захист відбудеться “ 21_”__квітня___________2000р. о 1415__год. на засі-
данні спеціалізованої вченої ради К 26.199.01 в Інституті фізики напів-
провідників НАН України за адресою: 252650, Київ-28, пр.Науки, 43
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Інституту фізики
напівпровідників НАН України (252650, Київ-28, пр. Науки, 43)
Автореферат розісланий “_21_”__березня__2000р.
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради Охріменко О.Б.
кандидат фізико-математичних наук
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Широкий розвиток досліджень радіаційних дефектів (РД) в напівпровідниках обумовлено великою чутливістю їх властивостей до дії ядерних випромінювань, а також виключно широким використанням напівпровідникових приладів у різних областях науки і техніки. Найбільші успіхи досягнуті в розумінні природи радіаційних дефектів в Si і Ge. Впродовж багатьох років ведуться також інтенсивні дослідження технічного використання різних видів випромінювань для контрольованої і цілеспрямованої зміни властивостей напівпровідникових матеріалів і приладів. Одночасно розвиваються і теоретичні уявлення відносно дії випромінювань на структуру і властивості кристалів.
Одним із найбільш перспективних технологічних напрямків в радіаційній технології напівпровідників є нейтронне трансмутаційне легування (НТЛ), оскільки воно має цілий ряд переваг порівняно з іншими методами легування, головна із яких - велика однорідність розподілу домішок. Висока однорідність і можливість керувати електричними властивостями за рахунок концентрації N і ступеня компенсації K робить НТЛ-Ge незамінним матеріалом для практичного використання в області низьких і, особливо, наднизьких (до 0.03 K) температур: термометри, болометри, детектори ядерного та космічного випромінювань, в тому числі і фононні детектори.
Найбільш перспективним методом одержання НТЛ-Ge з наперед заданими характеристиками є метод, при якому тепловими нейтронами опромінюється Ge зі зміненим ізотопним складом. Цей метод дозволяє керувати типом провідності, концентрацією, ступенем компенсації практично в будь-яких межах і при цьому зберігає високу однорідність. Це відкриває нові можливості у вирішенні цілого ряду задач. Одна із них - питання про електричну активність трансмутаційно введених домішок. При використанні Ge з природним ізотопним складом сумісне введення трьох домішок (акцептора Ga і донорів As і Se) і їх взаємодія з первинними радіаційними дефектами ускладнює задачу. Ситуація спрощується при використанні моноізотопного Ge, так як в цьому випадку вводиться лише одна домішка.
Однією з проблем у дослідженні РД у напівпровідниках є проблема ідентифікації рівнів у забороненій зоні з певними РД. В порівнянні з Si, в якому ідентифіковано цілий ряд РД, особливо важлива ця проблема для Ge внаслідок труднощів прямих структурних досліджень методом електронного парамагнітного резонансу. Тому відносно енергетичного рівня одного із основних в n-Ge радіаційних дефектів - комплексу вакансія-донор (VD) до останнього часу немає єдиної думки, що викликає необхідність подальших досліджень.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 



Реферат на тему: ДОСЛІДЖЕННЯ ВПЛИВУ РАДІАЦІЙНИХ ДЕФЕКТІВ НА ЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ НЕЙТРОННО ТРАНСМУТАЦІЙНО ЛЕГОВАНОГО ГЕРМАНІЮ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок