Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Фототермоакустична та фотоелектрична мікроскопія напівпровідникових структур на основі кремнію

Фототермоакустична та фотоелектрична мікроскопія напівпровідникових структур на основі кремнію

Назва:
Фототермоакустична та фотоелектрична мікроскопія напівпровідникових структур на основі кремнію
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
23,62 KB
Завантажень:
465
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15 
київський національний університет
імені тараса шевченка
Кузьмич Андрій Григорович
УДК 534.142:53.082.52
Фототермоакустична та фотоелектрична мікроскопія напівпровідникових структур
на основі кремнію
01.04.07 - фізика твердого тіла
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Київ  
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Київському національному університеті імені Тараса Шевченка
Науковий керівник
доктор фізико-математичних наук, професор
Кучеров Іван Якович,
професор кафедри загальної фізики,
Київського національного університету імені Тараса Шевченка
Офіційні опоненти:
доктор фізико-математичних наук, професор
Новіков Микола Миколайович,
професор кафедри фізики металів
Київського національного університету імені Тараса Шевченка

доктор технічних наук
Прокопенко Георгій Іванович,
завідувач відділу акустики твердого тіла
Інституту металофізики імені Г.В.Курдюмова НАН України
Провідна установа – Інститут фізики НАН України, м. Київ

Захист відбудеться "  " березня 2002 р. о 1430 на засіданні спеціалізованої вченої ради Д .001.23 Київського національного університету імені Тараса Шевченка за адресою:
03022, м. Київ-22, просп. Академіка Глушкова, 2, корп.1, фізичний факультет, ауд.200.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Київського національного університету
імені Тараса Шевченка, за адресою:
01033, Київ-33, вул. Володимирська, 58.
Автореферат розіслано "22" лютого 2002 р.
Вчений секретар спеціалізованої
вченої ради Д .001.23
доктор фізико-математичних наук,
професор Охріменко Б.А.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. У сучасних мікроелектронних технологіях використовуються багатошарові структури. Присутність дефектів у таких прошарках впливає на якість мікроелектронних приладів. Тому контроль дефектності та однорідності матеріалів на різних етапах виробництва мікроелектронних приладів займає значне місце у виробництві та потребує застосування досконалих неруйнівних методів контролю.
Традиційні методи дослідження (оптична, інфрачервона, рентгенівська та растрова електронна мікроскопія) мають ряд обмежень щодо вивчення внутрішніх областей непрозорих матеріалів із порушенням цілісності (пустоти, тріщини, мікровключення, неоднорідності). Тобто, цими методами неможливо візуалізувати різноманітні підповерхневі дефекти та внутрішні напруги в напівпровідникових структурах, які виникають на різних стадіях їх виготовлення та визначають механічні, електричні та інші властивості мікроелектронних приладів. Саме тому пошук та розробка неруйнівних методів, що можуть дати інформацію про дефектний стан приповерхневого шару напівпровідникових матеріалів та надають можливість одержання зображення розподілу параметрів підповерхневих шарів є актуальна задача.
Останнім часом набув розвитку метод фототермоакустичної (ФТА) мікроскопії, який дозволяє неруйнівним методом досліджувати неоднорідності напівпровідників. Основний принцип, покладений в основу ФТА мікроскопії, - енергія сфокусованого випромінювання з модульованою інтенсивністю, поглинаючись у речовині, перетворюється на тепло. У зразку виникають теплові хвилі, які несуть інформацію про його властивості. Вони можуть бути зареєстровані різними способами: як за вимірами нестаціонарної температури у зразку або прилеглому середовище так і за вимірами пружних зміщень у зразку. Скануючи сфокусований промінь по поверхні зразка, отримують інформацію про його поверхневі та підповерхневі властивості. Багатьма дослідами продемонстровані унікальні можливості методу ФТА мікроскопії щодо діагностування підповерхневого шару непрозорих об’єктів, що особливо важливо для напівпровідникової мікроелектроніки. Це робить метод ФТА мікроскопії досить перспективним для дослідження напівпровідників, а його розвиток – досить актуальна задача.
Згідно існуючих теоретичних моделей, інформація, яку отримують методом ФТА мікроскопії залежність від способу реєстрації теплових хвиль. У способах газомікрофонному, рефракції допоміжного променю у зразку або прилеглому газі інформація, що одержують, визначається в основному, тепловими параметрами у мікрооб’ємі зразка.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15 



Реферат на тему: Фототермоакустична та фотоелектрична мікроскопія напівпровідникових структур на основі кремнію

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок