Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> МАТЕМАТИЧНА МОДЕЛЬ ТА МЕХАНІЗМ ВПЛИВУ ІМПУЛЬСНИХ ЕЛЕКТРОМАГНІТНИХ ПОЛІВ НА МІКРОСТРУКТУРИ

МАТЕМАТИЧНА МОДЕЛЬ ТА МЕХАНІЗМ ВПЛИВУ ІМПУЛЬСНИХ ЕЛЕКТРОМАГНІТНИХ ПОЛІВ НА МІКРОСТРУКТУРИ

Назва:
МАТЕМАТИЧНА МОДЕЛЬ ТА МЕХАНІЗМ ВПЛИВУ ІМПУЛЬСНИХ ЕЛЕКТРОМАГНІТНИХ ПОЛІВ НА МІКРОСТРУКТУРИ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
15,71 KB
Завантажень:
350
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 
ХАРКІВСЬКИЙ ДЕРЖАВНИЙ
ТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ РАДІОЕЛЕКТРОНІКИ
ТАРАН Євгеній Павлович
УДК 537.86
МАТЕМАТИЧНА МОДЕЛЬ ТА МЕХАНІЗМ ВПЛИВУ
ІМПУЛЬСНИХ ЕЛЕКТРОМАГНІТНИХ ПОЛІВ
НА МІКРОСТРУКТУРИ
Спеціальність 01.04.03 – радіофізика
А В Т О Р Е Ф Е Р А Т
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Харків – 2000
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Таврійському національному університеті ім. В.І.Вернадського
Науковий керівник: кандидат фізико-математичних наук, доцент Старостенко Володимир Вікторович, Таврійський національний університет ім. В.І. Вернадського, завідувач кафедри радіофізики
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор Магда Ігор Іванович, Національний Науковий Центр "Харківський фізико-технічний інститут", Інститут плазмової електроніки і нових методів прискорення, начальник лабораторії; доктор фізико-математичних наук, професор Нерух Олександр Георгійович, Харківський державний технічний університет радіоелектроніки, завідувач кафедри вищої математики
Провідна установа: Київський національний університет ім. Т.Г. Шевченка, кафедра квантової радіофізики
Захист відбудеться " 20 " червня 2001 р. о 1315 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 64.052.03 при Харківському державному технічному університеті радіоелектроніки за адресою: 61166, м. Харків, пр.Леніна, 14, ауд. 13.
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Харківського державного технічного університету радіоелектроніки за адресою: 61166, м. Харків, пр.Леніна, 14.
Автореферат розісланий " 18 " травня 2001 р
Вчений секретар Cпеціалізованої вченої ради ______________Г.І. Чурюмов
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Задача впливу електромагнітних полів на елементи радіоелектронної апаратури (РЕА) набула особливого значення у зв'язку з появою потужних генераторів електромагнітного випромінювання (релятивістських магнетронів, корсінотронів, віркаторів, лазерів на вільних електронах), здатних генерувати імпульсні електромагнітні поля (ІЕМП) потужністю 109ј1012 Вт в імпульсі з тривалістю імпульсу 10-11ј10-8 с. У сучасних пристроях електронної техніки як елементи РЕА використовуються інтегральні мікросхеми (ІМС). ІМС являють собою складну структуру, макрокомпонентами якої є кристал, корпус і виводи. Кристал, у свою чергу, являє собою структуру, що містить елементи, міжелементні з'єднання та контактні площадки, виконані в об'ємі та на поверхні напівпровідника. Мікроструктури, розташовані в кристалі, упорядковані з точки зору функціонального призначення ІМС та розподілені статистично довільно для ІЕМП, що впливає.
Для мікроструктур можна запровадити наступну ієрархію: 1. елементи на основі p-n-переходів, плівкові провідні елементи (металізація, контактні площадки та ін.), ізолюючі плівкові елементи (захисні покриття, ізолюючі шари, підкладки тощо); 2. неоднорідності p-n-переходів, плівкових елементів, обумовлені технологією, розміри яких на порядок менше розмірів самих елементів; 3. неоднорідності, порівняні з розмірами кристалічної решітки, і т.д. При впливі ІЕМП найбільший інтерес викликають дослідження процесів у мікроструктурних елементах (МСЕ) (перший рівень в ієрархії мікроструктур) з урахуванням неоднорідностей мікроструктур (другий рівень в ієрархії мікроструктур).
Вплив ІЕМП на МСЕ нерозривно пов'язаний з впливом ІЕМП на ІМС. МСЕ розташовуються в кристалі ІМС, і процеси, що виникають у мікроструктурах, визначаються характером взаємодії падаючої електромагнітної хвилі з ІМС. Вплив ІЕМП на ІМС необхідно розглядати з радіофізичної точки зору, що дозволяє врахувати вплив поляризаційного фактора (орієнтації ІМС з МСЕ, розташованими в кристалі, щодо падаючої електромагнітної хвилі) на характер розвитку деградаційних процесів у мікроструктурах. Радіофізичний підхід містить у собі розгляд дифракційних явищ, що виникають при впливі ІЕМП на ІМС, і дозволяє виявити зміни в співвідношеннях між падаючою, відбитою, минулою і поглиненою потужностями при розвитку необоротних деградаційних процесів у мікроструктурах.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 



Реферат на тему: МАТЕМАТИЧНА МОДЕЛЬ ТА МЕХАНІЗМ ВПЛИВУ ІМПУЛЬСНИХ ЕЛЕКТРОМАГНІТНИХ ПОЛІВ НА МІКРОСТРУКТУРИ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок