Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Механізми тензорезистивних ефектів в сильно деформованих кристалах кремнію та германію n-типу

Механізми тензорезистивних ефектів в сильно деформованих кристалах кремнію та германію n-типу

Назва:
Механізми тензорезистивних ефектів в сильно деформованих кристалах кремнію та германію n-типу
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
18,55 KB
Завантажень:
466
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 
Міністерство освіти і науки України
Чернівецький національний університет
імені ЮРІЯ Федьковича
БУДЗУЛЯК Сергій Іванович
УДК 621.315.592
Механізми тензорезистивних ефектів
в сильно деформованих кристалах
кремнію та германію n-типу
01.04.10 – фізика напівпровідників та діелектриків
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Чернівці -2006
Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників
імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Науковий керівник: Кандидат фізико-математичних наук,
старший науковий співробітник
Єрмаков Валерій Миколайович,
старший науковий співробітник Інституту
фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова
НАН України, м. Київ
Офіційні опоненти: Доктор фізико-математичних наук, професор
Савчук Андрій Йосипович, Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича Міністерства освіти і науки України, завідувач кафедри фізики напівпровідників і наноструктур, м. Чернівці.
Доктор фізико-математичних наук, професор
Єлізаров Олександр Іванович, Кременчуцький державний політехнічний університет Міністерства освіти і науки України, завідувач кафедри фізики, м. Кременчук
Провідна установа: Львівський національний університет імені І. Франка, м. Львів.
Захист відбудеться " 17 " березня 2006 р. о 17 годині
на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 76.051.01 при Чернівецькому національному університеті імені Юрія Федьковича за адресою: 58012,
м. Чернівці, вул. Коцюбинського, 2.
З дисертацією можна ознайомитись у науковій бібліотеці Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича
(вул. Лесі Українки, 23)
Автореферат розісланий "_16 " лютого 2006 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Курганецький М.В.


Загальна характеристика роботи
Актуальність теми. Визначення механізмів тензорезистивних ефектів у напівпровідниках при екстремальних умовах експерименту (сильні напрямлені тиски, сильні магнітні та електричні поля, низькі температури тощо), спрямоване на з’ясування причин і наслідків, що зумовлюють їх природу і особливості виміряних експериментальних закономірностей, які не тільки кількісно, але й, частіше за все, якісно відрізняються від установлених раніше механізмів і закономірностей, визначених у науковій літературі, як класичні.
Встановлення реальних механізмів ефектів у сильно деформованих кристалах дає можливість не тільки пояснити відповідні закономірності фізичних явищ, які вивчаються, але й передбачити можливість реалізації нових ефектів, що не пов’язані з класичними механізмами тензорезистивних явищ, характерних для області слабких напрямлених тисків.
Так незначна лінійна зміна величини ефективної маси електрона (? 1%) в чистих кристалах кремнію, деформованих у напрямку [111] (в області тисків 0 0.25 ГПа), виміряна методом циклотронного резонансу, виключала можливість реалізації в умовах експериментально визначеної реальної міцності монокристалічного кремнію, деформаційно-індукованого переходу метал-діелектрик. При більш високих тисках (3 –  ГПа) був реалізований перехід метал-ізолятор (МІ) у вироджених кристалах кремнію з концентраціями мілких домішок (P, Sb, As), які суттєво перевищували відповідні значення їх критичних концентрацій переходу МІ. У цьому випадку необхідно було визначити закономірності зростання ефективної маси електрона в області сильних напрямлених тисків, і підтвердити або спростувати запропонований механізм пояснення експериментально реалізованого деформаційно-індукованого переходу метал-діелектрик у вироджених кристалах кремнію, зумовленого, як вважалося, збільшенням величини поперечної компоненти ефективної маси електрона.
Встановлення механізму тензорезистивних ефектів у невироджених кристалах n-Ge, легованих мілкими донорами, який зумовлений L1-Д1-інверсією типу абсолютного мінімуму зони провідності в області сильних одновісних тисків X || [001] (X > 2.1 ГПа), дозволило експериментально реалізувати у вироджених кристалах n-Ge(Sb) деформаційно-індукований перехід метал-діелектрик.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 



Реферат на тему: Механізми тензорезистивних ефектів в сильно деформованих кристалах кремнію та германію n-типу

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок