Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ФОРМУВАННЯ ПОТОКІВ ЗАРЯДЖЕНИХ ЧАСТИНОК У КОМБІНОВАНОМУ ІНДУКЦІЙНО-ЄМНІСНОМУ ВЧ РОЗРЯДІ

ФОРМУВАННЯ ПОТОКІВ ЗАРЯДЖЕНИХ ЧАСТИНОК У КОМБІНОВАНОМУ ІНДУКЦІЙНО-ЄМНІСНОМУ ВЧ РОЗРЯДІ

Назва:
ФОРМУВАННЯ ПОТОКІВ ЗАРЯДЖЕНИХ ЧАСТИНОК У КОМБІНОВАНОМУ ІНДУКЦІЙНО-ЄМНІСНОМУ ВЧ РОЗРЯДІ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
14,45 KB
Завантажень:
107
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9 
ХАРКІВСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
ім. В.Н. Каразіна
Положій Костянтин Іванович
УДК 533.9.01
ФОРМУВАННЯ ПОТОКІВ ЗАРЯДЖЕНИХ ЧАСТИНОК У КОМБІНОВАНОМУ ІНДУКЦІЙНО-ЄМНІСНОМУ ВЧ РОЗРЯДІ
(01.04.08. – фізика плазми)
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико  математичних наук
ХАРКІВ — 
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Харківському національному університеті ім. В.Н. Каразіна Міністерства освіти і науки України та в Науковому фізико-технологічному центрі Міністерства освіти і науки та НАН України.
Науковий керівник кандидат фіз.-мат. наук, доцент
Фареник Володимир Іванович,
Харківський національний університет ім. В.Н. Каразіна, завідуючий кафедрою фізичних технологій
Офіційні опоненти:
доктор фізико-математичних наук, професор Падалка Валентин Глібович,
Національний аерокосмічний університет ім. М.Є. Жуковського “ХАІ”, професор кафедри фізики
кандидат фізико-математичних наук, доцент Гордієнко Ігор Ярославович,
Українська інженерно-педагогічна академія, доцент кафедри загальної фізики
 
Провідна установа:
Національний науковий центр “Харківський фізико-технічний інститут” НАН України, Інститут фізики плазми, м.Харків
Захист відбудеться 20.04.2001 р. о годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д .051.12 Харківського національного університету ім. В.Н. Каразіна за адресою: 61108, м. Харків, вул. Курчатова 31, читальний зал бібліотеки № 
З дисертацією можна ознайомитись у Центральній науковій бібліотеці Харківського національного університету ім. В.Н. Каразіна Міністерства освіти і науки України.
Автореферат розісланий 19.03.2001 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Письменецький С.О.Загальна характеристика роботи
Актуальність теми. 
За останнє десятиріччя інтенсивне впровадження вакуумно-плазмових технологій в промисловість ініціювало дослідження і розробку широкого спектра джерел іонів (ДІ) і генераторів низькотемпературної плазми виробничого призначення, а також створення на їх основі різноманітних іонно-плазмових систем (ІПС) для травління та нанесення покриттів, які перекривають по параметрах потоків заряджених частинок весь практично значущий діапазон.
Одним з перспективних напрямків вакуумно-плазмових технологій, які підвищують якість обробки поверхні виробів мікроелектроніки, машинобудування, оптики, медицини є розвиток методів, що використовують комбіновані потоки частинок: низькоенергетичних (e<1000іонів та радикалів хімічно активних речовин і нейтральних атомів.
Так реактивне іонно-променеве травління (РІПТ) дозволяє поєднати переваги плазмово-хімічного травління (ПХТ) (високу швидкість і селективність, мінімальні пошкодження приповерхневих шарів матеріалу і його структури, відносно невеликий енерговклад на одиницю поверхні, і, відповідно, незначний нагрів зразка в процесі обробки) з перевагами іонно-променевого травління (низьким тиском робочого газу, високою анізотропією і можливістю профільованого травління, субмікронною роздільною здатністю обробки).
Сучасний рівень розвитку технологій нанесення функціональних покриттів передбачає формування тонких шарів багатокомпонентних структур з високою швидкістю осадження і високими експлуатаційними характеристиками. Виконання цих вимог забезпечують методи реактивного іонно-плазмового синтезу (РІПС), в яких у процесі зростання плівки величина енергії на один осаджений атом може становити сотні електрон-вольт, що дозволяє синтезувати сполуки з унікальними властивостями, принципово недосяжними іншим методам. Тому методи РІПТ і РІПС є найбільш пріоритетними у розвитку прецизійної обробки складно-композиційних сполук, до яких, наприклад, відносяться матеріали для швидкодіючої мікроелектроніки (GaAs), оптоелектроніки (CdHgTe), імплантології (гідроксилапатит).
Тенденції розвитку методів РІПТ і РІПС визначають наступні основні вимоги до параметрів ІПС незалежно від засобу створення плазми:
·
можливість незалежного керування щільністю струму іонів j та їх енергії e i в широкому діапазоні (  j = .

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9 



Реферат на тему: ФОРМУВАННЯ ПОТОКІВ ЗАРЯДЖЕНИХ ЧАСТИНОК У КОМБІНОВАНОМУ ІНДУКЦІЙНО-ЄМНІСНОМУ ВЧ РОЗРЯДІ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок