Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ЕФЕКТИ КОМПЕНСАЦІЇ У НАПІВПРОВІДНИКАХ ТА СЕНСОРИ РАДІАЦІЇ НА ЦІЙ ОСНОВІ

ЕФЕКТИ КОМПЕНСАЦІЇ У НАПІВПРОВІДНИКАХ ТА СЕНСОРИ РАДІАЦІЇ НА ЦІЙ ОСНОВІ

Назва:
ЕФЕКТИ КОМПЕНСАЦІЇ У НАПІВПРОВІДНИКАХ ТА СЕНСОРИ РАДІАЦІЇ НА ЦІЙ ОСНОВІ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
36,65 KB
Завантажень:
8
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21 
ОДЕСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
ІМ. І. І. МЕЧНИКОВА
ХІВРИЧ ВОЛОДИМИР ІЛЛІЧ
УДК 621.315.592:681.586.8
ЕФЕКТИ КОМПЕНСАЦІЇ У НАПІВПРОВІДНИКАХ
ТА СЕНСОРИ РАДІАЦІЇ НА ЦІЙ ОСНОВІ
01.04.10 – Фізика напівпровідників і діелектриків
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора фізико-математичних наук
Одеса 2006
Дисертацією є рукопис.
Роботу виконано у відділі радіаційної фізики Інституту ядерних досліджень Національної Академії наук України.
Офіційні опоненти:
Ільченко Василь Васильович,
Київський національний університет імені Тараса Шевченка,
професор кафедри фізичної електроніки;
доктор фізико-математичних наук, професор
Гнатенко Юрій Павлович,
доктор фізико-математичних наук, професор
Інститут фізики НАН України,
завідувач відділу
Курмашов Шаміль Джамашович,
доктор фізико-математичних наук, професор
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова,
завідувач лабораторії.
Провідна установа:
Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова НАН України, м. Київ.
Захист відбудеться “ 24 “ лютого 2006 року о 14 00 на засіданні Спеціалізованої вченої ради Д 41.051.01 при Одеському національному університеті імені І. І. Мечникова за адресою: вул. Дворянська 2, м. Одеса 65026.
З дисертацією можна ознайомитися в бібліотеці Одеського національного університету імені І. І. Мечникова за адресою: вул. Преображенська 24, м. Одеса, 65026.
Автореферат розіслано “ 23 “ січня 2006 року.
Вчений секретар
Спеціалізованої вченої ради Д 41.051.01 О. П. Федчук
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Широке застосування ядерної енергії в про-мисловості та різних видів радіації в науці, техніці, у різноманітних технологічних процесах, в медицині, військовій справі вимагає надійного радіаційного контролю.
Найкращими сенсорами для контролю наявності та спектрометрії найпроникливішого гамма-випромінювання, яке, як правило, супроводжує більшість ядерних реакцій, є сенсори на основі монокристалів Ge. Оскільки атомний номер цього елемента 32 (для Si – 14), то це забезпечує добру гальмівну здатність гамма-фотонів, поглинання яких забезпечує утворення значної кількости електронно-діркових пар (середня енергія, що витрачається на їхнє утворення, ~ 2,8 еВ, у Si – 3.5 еВ), і які реєструються сенсором.
Але германієві детектори мають суттєву ваду – вони ефективно працюють за температури 77К (охолодження забезпечує малу концентрацію носіїв у зоні провідности і, відповідно, зменшує струмові шуми). В цьому плані сенсори на основі монокристалів CdTe мають значні переваги: у них більші атомні номери (Cd – 48, Te – 52), велика ширина забороненої зони (1,5 еВ проти 0,65 еВ в Ge). Це дає змогу ефективно міряти потужності гамма-випромінювання та його спектри без охолодження за кімнатної та вищих температурах (до 150 °С).
Однак технологія вирощування монокристалів CdTe до недавнього часу була далека від досконалості – кристали містили значні концентрації домішок та дефектів – і вони значно програвали сенсорам з Ge та Si.
Слід завважити, що на сучасну пору кремній – широко вживаний матеріал для спектрометрії заряджених частинок та дозиметрії нейтронного випромінювання.
Для кристалів CdTe, як і для інших бінарних напівпровідників, характерне явище самокомпенсації, що дуже занижує їхні електрофізичні параметри.
Легування атомами хлору певним чином “очищає” кристали від домішок і власних дефектів, утворюючи при цьому електрично-нейтральні комплекси. Це один з технологічних прийомів одержання досконалих кристалів.
У даній дисертаційній роботі апробовується спосіб “руйнації” наслідків самокомпенсації шляхом введення радіаційних дефектів. Разом з тим дослідження сильно легованих і сильно компенсованих (за рахунок самокомпенсації) монокристалів CdTe представляло також самостійний інтерес і пов’язано це з прямим перетворенням сонячної енергії в електричну за допомогою напівпровідникових елементів.
Справа в тому, що „сонячна” електроенергія, отримувана таким способом надзвичайно дорога і вартість ця обумовлена значною вартістю монокристалічного напівпровідникового матеріалу (в першу чергу кремнію).

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21 



Реферат на тему: ЕФЕКТИ КОМПЕНСАЦІЇ У НАПІВПРОВІДНИКАХ ТА СЕНСОРИ РАДІАЦІЇ НА ЦІЙ ОСНОВІ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок