Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Електрично і оптично активні центри дефектного походження в легованих Cu i In монокристалах CdS і твердих розчинах на їх основі

Електрично і оптично активні центри дефектного походження в легованих Cu i In монокристалах CdS і твердих розчинах на їх основі

Назва:
Електрично і оптично активні центри дефектного походження в легованих Cu i In монокристалах CdS і твердих розчинах на їх основі
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
16,04 KB
Завантажень:
239
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 
ВОЛИНСЬКИЙ ДЕРЖАВНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
імені ЛЕСІ УКРАЇНКИ
УДК 621.315.592
Оксюта Віктор Адамович
Електрично і оптично активні центри дефектного походження в легованих Cu i In монокристалах CdS і твердих розчинах на їх основі
01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата
фізико -математичних наук
Луцьк – 2003


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана у Волинському державному університеті
імені Лесі Українки Міністерства освіти і науки України.
Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук, професор
Давидюк Георгій Євлампійович, Волинський
державний університет імені Лесі Українки,
завідувач кафедри фізики твердого тіла
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук,
Крайчинський Анатолій Миколайович,
Інститут фізики НАН України,
провідний науковий співробітник відділу
фізики радіаційних процесів
 
доктор фізико-математичних наук, професор
Федосов Анатолій Васильович, Луцький
державний технічний університет, завідувач
кафедри фізики
 
Провідна установа: Чернівецький національний університет імені Юрія
Федьковича Міністерства освіти і науки України
Захист відбудеться 23 травня 2003 року о 14 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради К.32.051.01 при Волинському державному університеті імені Лесі Українки Міністерства освіти і науки України за адресою: 43021, м.Луцьк, вул. Потапова, 9, ауд. №101.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Волинського державного університету імені Лесі Українки за адресою: 43009, м. Луцьк, вул. Виниченка, 30.
Автореферат розісланий 9 квітня 2003 р.
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради БожкоВ.В.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Важливою проблемою сучасного матеріалознавства є створення радіаційно стійкого матеріалу базових елементів твердотільної електроніки. Робочим матеріалом великої частини електронних приладів є напівпровідникові сполуки групи AIIBVI, серед яких одним із широковживаних напівпровідників є CdS. Крім того, сульфід кадмію часто використовують як модельний матеріал для вивчення загальних особливостей механізмів радіаційного дефектоутворення у всій групі сполук AIIBVI. Є достатня кількість літературних даних, присвячених вивченню впливу різних видів радіації на фізичні властивості спеціально нелегованих монокристалів CdS. Разом з тим практично відсутні наукові повідомлення про дослідження радіаційного дефектоутворення в монокристалах CdS, легованих елементами ІІІ групи, незначна кількість робіт присвячена радіаційним дефектам в монокристалах CdS, легованих міддю (CdS:Cu). В представленій роботі проводиться дослідження природи введених електронною радіацією (з Е1,2 МеВ) локальних центрів домішково-дефектного складу в напівпровідниках CdS, легованих атомами In та Cu, які суттєво впливають на оптичні і фотоелектричні параметри напівпровідникових матеріалів.
В останні роки привертають до себе увагу перспективні технології одержання і вивчення потрійних і почетверенних напівпровідникових сполук, які можуть стати дешевим матеріалом сучасної електронної і оптоелектронної техніки з прогнозованими фізичними властивостями. До таких матеріалів належать, зокрема, тверді розчини на основі сульфіду кадмію і його аналоги. В роботі досліджувалися електричні, оптичні, фотоелектричні і термоелектричні властивості нових (вперше одержаних у Волинському державному університеті імені Лесі Українки) твердих розчинів систем CuInS2-CdS і CuGaS2-CdS в залежності від відсоткового вмісту компонентів, а також монокристали Cu2CdGeS4 і Cu2CdSnS4, які є аналогами CdS.
Зв’язок роботи з науковими програмами. Представлені у роботі дослідження виконувались у відповідності з науковими планами роботи кафедри фізики твердого тіла Волинського державного університету імені Лесі Українки, а також спільних з кафедрою неорганічної та фізичної хімії держбюджетних тем:
- “Фізико-хімічні основи матеріалознавства метастабільних фаз, ефективних і радіаційно стійких оптоелектронних, нелінійних та інших напівпровідникових матеріалів на основі багатокомпонентних систем” (01.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 



Реферат на тему: Електрично і оптично активні центри дефектного походження в легованих Cu i In монокристалах CdS і твердих розчинах на їх основі

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок