Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Низькотемпературні характеристики ниткоподібних кристалів Si1-хGeх і їх застосування для створення елементної бази сенсорів температури та деформації

Низькотемпературні характеристики ниткоподібних кристалів Si1-хGeх і їх застосування для створення елементної бази сенсорів температури та деформації

Назва:
Низькотемпературні характеристики ниткоподібних кристалів Si1-хGeх і їх застосування для створення елементної бази сенсорів температури та деформації
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
19,05 KB
Завантажень:
401
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 
НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ “ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА”
ЛяХ-КАГУЙ Наталія Степанівна
УДК 625.315.592
Низькотемпературні характеристики ниткоподібних кристалів
Si1-хGeх і їх застосування для створення елементної бази
сенсорів температури та деформації
05.27.01 – твердотільна електроніка
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата технічних наук
Львів 2004


Дисертацією є рукопис
Робота виконана на кафедрі напівпровідникової електроніки Національного університету ”Львівська політехніка” Міністерства освіти і науки України
Науковий керівник: | доктор технічних наук, професор
Дружинін Анатолій Олександрович,
Національний університет ”Львівська політехніка”,
професор кафедри напівпровідникової електроніки
Офіційні опоненти: |
доктор фізико-механічних наук, професор,
головний науковий співробітник
Баранський Петро Іванович,
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України (м. Київ).
доктор технічних наук, старший науковий співробітник
Ащеулов Анатолій Анатолієвич,
Інститут термоелектрики НАН та МОН України,
завідувач відділу термоелектричних явищ (м.Чернівці).
Провідна установа: |
Науково-виробниче підприємство “Карат”
Міністерства промислової політики України (м.Львів).
Захист відбудеться 21 січня 2005 р. о 14годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 35.052.12 при Національному університеті “Львівська політехніка” за адресою: 79013, м. Львів, вул. Ст. Бандери, 12.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Національного університету “Львівська політехніка” 79013, м. Львів, вул. Професорська,1.
Автореферат розісланий 20 грудня 2004 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Заячук Д.М. Загальна характеристика роботи
Актуальність теми. Прогрес сучасної науки і техніки значною мірою визначається станом розроблення сенсорів, серед яких чільне місце посідають сенсори теплових і механічних величин. У той же час для задоволення постійно зростаючих потреб сучасної техніки потрібні високочутливі швидкодійні мініатюрні сенсори, працездатні в складних умовах експлуатації: в різних температурних інтервалах, зокрема при кріогенних температурах, у сильних магнетних полях, а також в умовах високих навантажень. Проблему створення таких сенсорів можна вирішити тільки за допомогою технологій високого рівня з використанням перспективної елементної бази.
На цей час вже створено низку сенсорів фізичних величин на основі об’ємних кристалів, працездатних, переважно, в інтервалі кліматичних або підвищених температур, у той час як проблема низькотемпературних вимірювань за допомогою малоінерційних приладів залишається невирішеною. Ниткоподібні кристали (НК) завдяки вдалому поєднанню “зручних” геометричних розмірів, морфології й особливостей фізичних властивостей дають змогу певною мірою вирішити цю проблему. Створені на їх основі сенсори є перспективними для застосування в тих галузях людської діяльності, де необхідні малі розміри і маса, висока міцність, чутливість і стабільність параметрів.
Крім того, напівпровідникові мікрокристали твердого розчину Si1-хGeх з різним вмістом германію, вирощені з газової фази у формі ниток, завдяки досконалості кристалічної структури, яка наближається до ідеальної, є унікальним матеріалом як для дослідження фізичних властивостей напівпровідників, так і для створення мініатюрних високочутливих сенсорів. Однак розроблення сенсорів на основі НК твердого розчину Si1-хGeх, працездатних в екстремальних умовах експлуатації (наднизькі температури, високі рівні деформації та сильні магнетні поля), вимагає глибокого вивчення зовнішніх чинників на властивості мікрокристалів. Крім того, зміна властивостей кристалів під впливом температурного, деформаційного та магнетного полів є не лише потужним інструментом дослідження електронної структури кристалів, але й одночасно основою для створення широкого спектра приладів – напівпровідникових сенсорів теплових і механічних величин.
В області кріогенних температур перенесення носіїв заряду в легованих напівпровідниках і, відповідно, деформаційно-стимульовані ефекти набувають специфічного характеру, відмінного від цих властивостей за кімнатної та підвищених температур, що впливатиме на характеристики створених на основі НК низькотемпературних сенсорів.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 



Реферат на тему: Низькотемпературні характеристики ниткоподібних кристалів Si1-хGeх і їх застосування для створення елементної бази сенсорів температури та деформації

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок