Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ВИРОЩУВАННЯ ЛЕГОВАНИХ МОНОКРИСТАЛІВ ІnSb І МОДЕЛЮВАННЯ КОНВЕКЦІЇ В РОЗПЛАВІ ПРИ ВПЛИВІ УЛЬТРАЗВУКУ

ВИРОЩУВАННЯ ЛЕГОВАНИХ МОНОКРИСТАЛІВ ІnSb І МОДЕЛЮВАННЯ КОНВЕКЦІЇ В РОЗПЛАВІ ПРИ ВПЛИВІ УЛЬТРАЗВУКУ

Назва:
ВИРОЩУВАННЯ ЛЕГОВАНИХ МОНОКРИСТАЛІВ ІnSb І МОДЕЛЮВАННЯ КОНВЕКЦІЇ В РОЗПЛАВІ ПРИ ВПЛИВІ УЛЬТРАЗВУКУ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
14,89 KB
Завантажень:
483
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
НАУКОВО-ТЕХНОЛОГІЧНИЙ КОНЦЕРН
“ІНСТИТУТ МОНОКРИСТАЛІВ”
ІНСТИТУТ МОНОКРИСТАЛІВ
Комаров Микола Вікторович
УДК 546.289
ВИРОЩУВАННЯ ЛЕГОВАНИХ МОНОКРИСТАЛІВ ІnSb І МОДЕЛЮВАННЯ КОНВЕКЦІЇ В РОЗПЛАВІ ПРИ ВПЛИВІ УЛЬТРАЗВУКУ
Спеціальність 05.02.01 – матеріалознавство
Автореферат дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата технічних наук
Харків – 2002


Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Східноукраїнському національному університеті ім. В.Даля Міністерства освіти і науки України, м. Луганськ
Науковий керівник: доктор технічних наук
Кожемякін Геннадій Миколайович, професор
кафедри обладнання електронної промисловості Східноукраїнського національного університету ім. В.Даля
Офіційні опоненти: Доктор технічних наук, професор
Литвинов Леонід Аркадійович,
завідуючий відділом Науково-дослідного
відділення оптичних і конструкційних кристалів
НТК “Інститут монокристалів” НАН України
Кандидат технічних наук, старший науковий співробітник
Кутній Володимир Євдокимович,
начальник лабораторії нових технологічних розробок
ННЦ “Харківський фізико-технічний інститут”
Провідна установа: Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М.Францевіча НАН України, відділ тугоплавких сполук рідкоземельних металів
Захист відбудеться 03.07.2002 р. о 14 годині на засіданні спеціалізованної вченої ради Д 64.169.01 при Інституті монокристалів Науково-технологічного концерну “Інститу монокристалів” НАН України
Адреса: 61001, м. Харків, пр. Леніна, 60
З дисертацією можна ознайомитися в бібліотеці Інституту монокристалів за адресою: 61001, м. Харків, пр. Леніна, 60, Інститут монокристалів НАН України
Автореферат розісланий 02.06.2002 р.
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради,
кандидат технічних наук Л.В.Атрощенко
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Леговані монокристали напівпровідникової сполуки InSb знаходять застосування як підкладки епітаксіальних структур і матеріал для виготовлення високочутливих приймачів ІЧ-випромінювання в області довжин хвиль від 3 до 5 мкм. Фоторезистори, виготовлені з монокристалів InSb, мають чутливість вище 104 В/Вт і можуть виявляти випромінювання потужністю 10-11 Вт при температурі 77К.
Монокристали InSb, що вирощуються методами спрямованої кристалізації, мають високі електрофізичні й оптичні параметри. Однак досягнення найкращих характеристик приладів на їхній основі обмежено неоднорідністю розподілу легуючих домішок. У цьому зв'язку, найважливішою задачею напівпровідникового матеріалознавства і технології вирощування монокристалів є одержання монокристалів напівпровідників з однорідним розподілом домішок у всьому обсязі. Крім того, низька температура кристалізації й чутливість електрофізичних властивостей до структурної досконалості кристалів дозволяють використовувати монокристали InSb для вивчення фундаментальних закономірностей процесу росту монокристалів напівпровідників.
Мікроскопічна неоднорідність розподілу легуючих компонентів, що виявляється у виді смуг росту з підвищеною їхньою концентрацією, спостерігається в монокристалах багатьох напівпровідників і вперше була вивчена в монокристалах InSb, вирощених методом Чохральського. Концентрація легуючої домішки в шарі може перевищувати її концентрацію між шарами на 50-80%. Відстань між домішковими шарами змінюється від декількох одиниць до сотень мікрометрів. Однак механізм утворення смуг росту шаруватої неоднорідності дотепер остаточно не з'ясований. Серед факторів, що впливають на утворення шаруватості й, можливо, що обумовлюють її, відзначають радіальну несиметричність теплового поля вздовж границі кристал-розплав, обертання кристала в цьому полі при витягуванні методом Чохральського, коливання швидкості росту, викликане пульсацією температури на фронті кристалізації та іншими факторами. Виявити роль кожного з цих факторів, ідентифікувати шаруватість і знайти умови її зниження до можливого мінімуму є складною задачею.
Один зі способів зниження шаруватості складається в зменшенні пульсацій температури в розплаві, обумовлених термогравітаційною конвекцією в ньому.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9 



Реферат на тему: ВИРОЩУВАННЯ ЛЕГОВАНИХ МОНОКРИСТАЛІВ ІnSb І МОДЕЛЮВАННЯ КОНВЕКЦІЇ В РОЗПЛАВІ ПРИ ВПЛИВІ УЛЬТРАЗВУКУ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок