Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ВПЛИВ ДЕФЕКТНОЇ ПІДСИСТЕМИ НА ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КРЕМНІЮ

ВПЛИВ ДЕФЕКТНОЇ ПІДСИСТЕМИ НА ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КРЕМНІЮ

Назва:
ВПЛИВ ДЕФЕКТНОЇ ПІДСИСТЕМИ НА ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КРЕМНІЮ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
16,00 KB
Завантажень:
244
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 
В останні роки значний інтерес викликає вивчення відкритих нелінійн
их дисипативних середовищ, які знаходяться у далеких від термодинаміно
ї рівноваги станах і обмінюються з навколішнім середовищем енергією, ма
сою або інформацією


Чернівецький державний університет
імені Юрія Федьковича
УДК 621.315.592
ВОЗНИЙ
МАКСИМ ВАЛЕРІЙОВИЧ
ВПЛИВ ДЕФЕКТНОЇ ПІДСИСТЕМИ
НА ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КРЕМНІЮ
(01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків)
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Чернівці – 2000
Дисертацією є рукопис
Робота виконана на кафедрі фізичної електроніки Чернівецького державного університету імені Юрія Федьковича
Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук, професор Горлей Петро Миколайович, Чернівецький державний університет імені Юрія Федьковича, завідувач кафедри фізичної електроніки
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор Томчук Петро Михайлович, Інститут фізики НАНУ, м. Київ, завідувач відділом теоретичної фізики
доктор фізико-математичних наук, старший науковий співробітник Дугаєв Віталій Костянтинович, Чернівецьке відділення ІПМ НАНУ, провідний науковий співробітник
Провідна організація: Інститут фізики напівпровідників НАНУ
(м.Київ)
Захист відбудеться 25 жовтня 2000р. о 17 год. на засіданні спеціалізованої вченої ради Д76.051.01 в Чернівецькому державному університеті імені Юрія Федьковича за адресою: 58012, м. Чернівці, вул. Коцюбинського, 2
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Чернівецького державного університету імені Юрія Федьковича (вул. Л. Українки, 23).
Автореферат розісланий “25” вересня 2000р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради М.В. Курганецький
1
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. В останні роки значний інтерес викликає вивчення процесів, які відбуваються в фотоперетворювачах сонячної енергії [1,2]. Вже біля третини століття фотоелектричне перетворення є основним засобом виробництва енергії в космосі, і останнім часом знаходить все ширше застосування на Землі.
Традиційним матеріалом сонячної енергетики є кремній [1,2]. Його широке використання для виготовлення різних напівпровідникових приладів обумовлено розробкою повного технологічного комплексу для промислового виготовлення монокристалів з контрольованими властивостями.
Використання надчистого кремнію із досконалою кристалічною структурою для наземних цілей не виправдано із-за його високої вартості. Тому останнім часом спостерігається тенденція переходу на застосування технічного кремнію, який містить біля 1% домішок, в якості базового матеріалу сонячної енергетики, а також все ширше використання полікристалічного і аморфного матеріалу та його тонких плівок. Особлива увага при цьому з боку сонячної енергетики зосереджена на використанні тонких плівок кремнію [2]. Технологія виготовлення таких матеріалів значно відрізняється від добре розробленої технології вирощування об’ємних монокристалів. Тому в теперішній час основна увага приділяється вивченню технологічних методів, таких, як гамма-опромінення, пасивація обірваних зв’язків, іонна імплантація, які дозволяють керувати ступенем дефектності кремнію і, таким чином, цілеспрямовано впливати на його фотоелектричні властивості.
Не дивлячись на значну кількість робіт, присвячених дослідженню фотоелектричних властивостей кремнію, слід констатувати, що до сих пір не встановлено загальної кореляції між станом дефектної підсистеми та величиною параметрів, що характеризують ефективність його фотоелектричного перетворення. Тому першочерговою є задача створення теорії, яка визначала би роль процесів дефектоутворення в набутті матеріалом покращених фотоелектричних властивостей.
2
До початку наших досліджень використовувалися або значно спрощені моделі дефектоутворення [1], або досить реальні моделі, але з суттєвими обмеженнями на швидкості квазіхімічних реакцій між дефектами [3]. Слід зауважити, що при знаходженні розв’язків систем складних нелінійних диференціальних рівнянь авторами літературних джерел практично не застосовувалися теорія груп Лі [4] та метод сингулярних многовидів [5], особливістю яких є спроможність дати загальну інформацію щодо просторово-часової динаміки дефектної підсистеми.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 



Реферат на тему: ВПЛИВ ДЕФЕКТНОЇ ПІДСИСТЕМИ НА ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КРЕМНІЮ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок