Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ЕЛЕКТРОННІ ЕФЕКТИ В СПЕКТРАХ ЕЛЕКТРОВІДБИВАННЯ ПРИПОВЕРХНЕВИХ ШАРІВ МАТЕРІАЛІВ ІV ТА АІІІ ВV ГРУП

ЕЛЕКТРОННІ ЕФЕКТИ В СПЕКТРАХ ЕЛЕКТРОВІДБИВАННЯ ПРИПОВЕРХНЕВИХ ШАРІВ МАТЕРІАЛІВ ІV ТА АІІІ ВV ГРУП

Назва:
ЕЛЕКТРОННІ ЕФЕКТИ В СПЕКТРАХ ЕЛЕКТРОВІДБИВАННЯ ПРИПОВЕРХНЕВИХ ШАРІВ МАТЕРІАЛІВ ІV ТА АІІІ ВV ГРУП
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
15,31 KB
Завантажень:
64
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАІНИ
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ ім. В. Є. ЛАШКАРЬОВА
ГЕНЦАРЬ ПЕТРО ОЛЕКСІЙОВИЧ
УДК 621.315.532
ЕЛЕКТРОННІ ЕФЕКТИ В СПЕКТРАХ ЕЛЕКТРОВІДБИВАННЯ
ПРИПОВЕРХНЕВИХ ШАРІВ МАТЕРІАЛІВ ІV ТА АІІІ ВV ГРУП
01. 04. 07 – фізика твердого тіла
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Київ – 2004
Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук,
Матвеєва Людмила Олександрівна,
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України,
провідний науковий співробітник
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор,
Дмитрук Микола Леонтійович,
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України,
завідуючий відділом
кандидат фізико-математичних наук,
Хіврич Володимир Ілліч,
Інститут ядерних досліджень НАН України,
старший науковий співробітник
Провідна установа: Інститут фізики НАН України, м. Київ
Захист відбудеться „_20” лютого 2004 р. о 1415 год. на засіданні спеціалізованої вченої ради К.26.199.01 в Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України за адресою: 03028, м. Київ, проспект Науки, 45
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Інституту фізики напівпровідників
ім. В.Є. Лашкарьова НАН України: 03028, м. Київ, проспект Науки, 45.
Автореферат розісланий „14” січня 2004 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради К.26.199.01 Охріменко О. Б.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. У зв'язку з інтенсивним розвитком нанофізики і наноелектроніки сучасний рівень науки і техніки потребує широкого дослідження приповерхневих шарів твердого тіла. В порівнянні з об'ємом в таких шарах можуть відбуватися суттєві зміни електронних процесів внаслідок зміни електронної зонної структури, рухливості носіїв заряду, часу їх енергетичної релаксації, наявності поверхневого потенціалу. В порівнянні з класичною спектроскопією спектроскопія електровідбивання має високу роздільну здатність в дослідженні особливостей електронної зонної структури твердого тіла. Товщина шару, яка формує сигнал електровідбивання, який спостерігається лише в особливих точках зони Бріллюена, визначається глибиною проникнення електричного поля та світла. Використання спектроскопії електровідбивання дозволяє дослідити електронні ефекти в приповерхневих шарах, зробити висновки про їх досконалість і зміни, які відбуваються в приповерхневому шарі під дією різних обробок поверхні. Матеріали IV та АІІІ ВV груп широко використовуються для виготовлення електронних приладів нового покоління, тому дослідження електронних ефектів, які проявляються в спектрах електровідбивання приповерхневих шарів цих матеріалів, є актуальним.
Зв’язок роботи з науковими програмами, планами, темами. Дослідження, результати яких увійшли до дисертаційної роботи, проведені у рамках планових фундаментальних досліджень Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України по бюджетним темам: б/т № 10 “Фізичні процеси, механізми та природа формування електронних та оптичних явищ на поверхні і в приповерхневих шарах напівпровідників та систем на їх основі”, б/т №8 “Механізми впливу технології отримання і зовнішніх факторів на властивості напівпровідникових структур і функціональних елементів сенсорних систем на їх основі” держ. № 0103U000364 Рішення бюро ВФА НАН України від 27.11.2002 року №11.
Мета і задачі досліджень. Метою даної роботи є встановлення природи електронних ефектів, які формують сигнал електровідбивання в приповерхневих шарах матеріалів IV та АІІІ ВV груп. Відповідно до мети роботи програма досліджень включала рішення наступних задач:
1. Дослідити ефекти міжзонного фототунелювання і заповнення зон в спектрах електровідбивання
германію.
2. Виявити особливості електронних явищ в приповерхневих шарах сильно легованих твердих
розчинів германій-кремній.
3. Дослідити спектри електровідбивання арсеніда та фосфіда галію в області краю власного поглинання і встановити зв'язок між осциляціями Келдиша-Франца та електронними параметрами.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 



Реферат на тему: ЕЛЕКТРОННІ ЕФЕКТИ В СПЕКТРАХ ЕЛЕКТРОВІДБИВАННЯ ПРИПОВЕРХНЕВИХ ШАРІВ МАТЕРІАЛІВ ІV ТА АІІІ ВV ГРУП

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок