Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> РОЛЬ НЕРIВНОВАЖНИХ НОСIЇВ ЗАРЯДУ В ЛIНIЙНИХ ЯВИЩАХ ПЕРЕНОСУ В ОБМЕЖЕНИХ НАПIВПРОВIДНИКАХ

РОЛЬ НЕРIВНОВАЖНИХ НОСIЇВ ЗАРЯДУ В ЛIНIЙНИХ ЯВИЩАХ ПЕРЕНОСУ В ОБМЕЖЕНИХ НАПIВПРОВIДНИКАХ

Назва:
РОЛЬ НЕРIВНОВАЖНИХ НОСIЇВ ЗАРЯДУ В ЛIНIЙНИХ ЯВИЩАХ ПЕРЕНОСУ В ОБМЕЖЕНИХ НАПIВПРОВIДНИКАХ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
16,35 KB
Завантажень:
116
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
Національна Академія Наук України
Науково-технологічний концерн “Інститут монокристалів”
IНСТИТУТ МОНОКРИСТАЛIВ
Мерiуц Андрiй Володимирович
УДК 537.311.322: 537.312
РОЛЬ НЕРIВНОВАЖНИХ НОСIЇВ ЗАРЯДУ В ЛIНIЙНИХ
ЯВИЩАХ ПЕРЕНОСУ В ОБМЕЖЕНИХ НАПIВПРОВIДНИКАХ
01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Харків - 2002
Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Національному технічному університеті “Харківський політехнічний інститут” Міністерства освіти і науки України, м. Харків
Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук, професор
Бойко Борис Тимофійович,
Національний технічний університет “ХПІ”, зав. кафедри фізичного матеріалознавства для електроніки і геліоенергетики.
Офiцiйнi опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор
Агєєв Леонід Опанасович,
Харківський національний університет ім. В.Н. Каразіна, професор кафедри фізичної оптики.
доктор фізико-математичних наук, професор
Кошкін Володимир Мойсейович,
Національний технічний університет “ХПІ”, зав. кафедри фізичної хімії.
Провідна установа: Чернівецький національний університет
ім. Ю. Федьковича, кафедра термоелектрики.
Захист відбудеться 20.11.2002 р. о 14 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 64.169.01 при Інституті монокристалів НТК “Інститут монокристалів” НАН України (61001, м. Харків, проспект Леніна, 60).
З дисертацією можна ознайомитися в науковій бiблiотецi Інституту монокристалів НТК “Інститут монокристалів” НАН України. (61001, м. Харків, проспект Леніна, 60).
Автореферат розісланий 07.10.2002 р.
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради
кандидат технічних наук Л.В. Атрощенко
1
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Явища переносу заряду і енергії, як відомо, лежать в основі багатьох технічних застосувань напівпровідників. На основі цих явищ працює переважна більшість елементів напівпровідникової техніки. Дослідження кінетичних явищ або можливості їх застосування для створення нових напівпровідникових елементів завжди починається з оцінки величини відповідних кінетичних коефіцієнтів і ефектів у лінійному наближенні. Теорія лінійних явищ переносу була побудована вже досить давно. Однак детальний аналіз існуючої лінійної теорії демонструє, що вона має обмежену область застосування, оскільки в цій теорії вважається, що поява нерівноважних носіїв заряду та потоків під впливом зовнішніх сил відбувається тільки за рахунок перерозподілу носіїв заряду по станах у просторі квазіімпульсів. При цьому не враховується можливість появи нерівноважних носіїв за рахунок їхнього перерозподілу в координатному просторі при виникненні потоків заряду та енергії в напівпровіднику. Така зміна локальної концентрації носіїв у кожній точці повинна приводити до рекомбінаційних процесів. Крім цього існує можливість зміни повного числа носіїв заряду, зв'язана з наявністю контактів. Навіть якщо контакти омічні і режим інжекції відсутній, зміна числа носіїв заряду може відбуватися за рахунок того, що швидкість рекомбінації на контактах є скінченною величиною. Між тим, підхід, що був використаний для опису лінійних явищ переносу, узагалі не дозволяє врахувати рекомбінаційні процеси і обмеженість реальних напівпровідникових зразків та структур. Причина цього в тому, що при повному знехтуванні можливості перерозподілу носіїв у координатному просторі не виникає потреби а ні в рівняннях, а ні в граничних умовах, за допомогою яких можна було б врахувати такий перерозподіл. Результати, отримані за допомогою такого підходу, наприклад, формули для опору, термоерс, та ін. біполярного напівпровідника, та напівпровідника p-типу, як буде показано далі, можуть виявитися некоректними, або матимуть обмежену область застосування, яку принаймні треба окреслити.
У той же час, для опису нелінійних явищ переносу застосовується більш загальний підхід, ніж у лінійній теорії, який ґрунтується на використанні рівнянь неперервності, що дозволяє врахувати зазначені фактори.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: РОЛЬ НЕРIВНОВАЖНИХ НОСIЇВ ЗАРЯДУ В ЛIНIЙНИХ ЯВИЩАХ ПЕРЕНОСУ В ОБМЕЖЕНИХ НАПIВПРОВIДНИКАХ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок