Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> "РОЗРОБКА І ДОСЛІДЖЕННЯ ТЕХНОЛОГІЧНОГО ПРОЦЕСУ ЛАЗЕРНОГО РОЗПОДІЛУ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ПЛАСТИН НА ЕЛЕМЕНТИ"

"РОЗРОБКА І ДОСЛІДЖЕННЯ ТЕХНОЛОГІЧНОГО ПРОЦЕСУ ЛАЗЕРНОГО РОЗПОДІЛУ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ПЛАСТИН НА ЕЛЕМЕНТИ"

Назва:
"РОЗРОБКА І ДОСЛІДЖЕННЯ ТЕХНОЛОГІЧНОГО ПРОЦЕСУ ЛАЗЕРНОГО РОЗПОДІЛУ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ПЛАСТИН НА ЕЛЕМЕНТИ"
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
16,73 KB
Завантажень:
329
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
НАЦІОНАЛЬНИЙ ТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ УКРАЇНИ
"КИЇВСЬКИЙ ПОЛІТЕХНІЧНИЙ ІНСТИТУТ"
ХАЛЕД ІБРАГІМ МОХАММАД АЛЬ ШЕБУЛЬ
(Іорданія)
УДК 621.9.048
"РОЗРОБКА І ДОСЛІДЖЕННЯ ТЕХНОЛОГІЧНОГО ПРОЦЕСУ ЛАЗЕРНОГО РОЗПОДІЛУ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ПЛАСТИН НА ЕЛЕМЕНТИ"
Спеціальність 05.03.07 - Процеси фізико-технічної обробки
Автореферат дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата технічних наук
Київ 2000


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Національному технічному університеті України «Київський політехнічний інститут» на кафедрі лазерної технології, конструювання машин та матеріалознавства.
Науковий керівник: | Доктор технічних наук, професор Коваленко В.С.,
НТУУ «КПІ», зав. кафедрою ЛТКМ.
Науковий консультант: | Кандидат технічних наук, ст.н.с. Анякін М.І.,
НТУУ «КПІ», зав. лабораторією ЛТ і Т.
Офіційні опоненти: | Доктор технічних наук, професор Білоус М.В.,
НТУУ «КПІ», зав. кафедрою загальної фізики.
Кандидат технічних наук Орешнік В.І.,
ВАТ «Більшовик», зав. лабораторією ЛТ і Т.
Провідна установа: | Інститут надтвердих матеріалів НАНУ ім. В.М.Бакуля, лабораторія №19.
Захист дисертації відбудеться «20» березня 2000р. о 15 год. на засіданні спеціалізованої вченої ради Д26.002.15 при Національному технічному університеті України «Київський політехнічний інститут» за адресою: 252056, Київ-56, пр.Перемоги 37, корп.19, ауд.417.
З дисертацією можна ознайомитися в бібліотеці Національного технічного університету України «Київський політехнічний інститут» за адресою: 252056, Київ-56, пр.Перемоги 37.
Автореферат розісланий «20» лютого 2000р.
Вчений секретар спеціалізованої
вченої Ради
д.т.н., проф. |
Л.Ф.Головко


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Однією з фінішних операцій виготовлення різноманітних електронних компонентів є розподіл напівпровідникових (керамічних) пластин на окремі модулі. При цьому, від якості даної операції (ширини різу, розмірів зони дефектного впливу (ЗТВ) та ін.) істотно залежать розміри готових виробів, процентний вихід придатних. Застосування на даних операціях, у якості інструмента сфокусованого пучку лазерного випромінювання дозволило зменшити розміри одержуваних елементів до 0.2мм, збільшити до 2-х раз (у порівнянні з механічною обробкою) глибину скрайбу з "гострою" кромкою і мінімальними напругами, забезпечити більш 10-ти кратне збільшення продуктивності процесу.
Завдяки тому, що лазерній розмірній обробці піддаються пластини з нанесеними структурами, то збільшення відсотку виходу годних елементів, після їхнього поділу, значно впливає на собівартість готових виробів.
Проте, при лазерній розмірній обробці напівпровідникових елементів є ряд недоліків, усунення яких приведе до росту продуктивності і якості лазерного поділу пластин на компоненти.
Так, при поділі полікристалічного кремнію, що характеризується значними коливаннями товщини (0.2,...,0.6мм), виникає велика кількість браку при його скрайбуванні і наступному розрозподілі. Це пов'язано зі значними змінами (уздовж лінії поділу) відношення глибини скрайбу до товщини заготівки, що веде до нерівномірності зусиль при її розламуванні.
Безпосереднє розрізування пластин на елементи (у цьому випадку), шляхом зменшення швидкості операції, веде до погіршення її якості (через зростання розмірів ЗТВ), або до зниження продуктивності, тому що для зменшення ЗТВ обробка ведеться в декілька проходів.
Особливі ускладнення виникають при обробці багатошарових напівпровідникових елементів (мікроконденсаторів, напівпровідникових лазерів і ін.), що містять металеві покриття товщиною 0.01,..,0.1 мм. Наступний (після скрайбування) поділ пластин на модулі веде до появи великої кількості браку через відрив нижнього (стосовно срайбу) металевого шару.
Незважаючи на значний прогрес в області моделювання процесів відпалу, аморфизації, легування й ін. напівпровідників, не достатньо досліджені їхні оптичні характеристики (особливо залежності коефіцієнтів відбивання і поглинання від температури), які значно впливають на результати розрахунків.
В Україні, країнах СНД лазерний розподіл напівпровідникових пластин на елементи здійснюється на автоматизованому технологічному устаткуванні (серії "Темп", ЛТУ й ін.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: "РОЗРОБКА І ДОСЛІДЖЕННЯ ТЕХНОЛОГІЧНОГО ПРОЦЕСУ ЛАЗЕРНОГО РОЗПОДІЛУ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ПЛАСТИН НА ЕЛЕМЕНТИ"

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок