Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Удосконалення технології отримання металічного арсену зі зниженим вмістом кисню для виробництва монокристалів GaAs

Удосконалення технології отримання металічного арсену зі зниженим вмістом кисню для виробництва монокристалів GaAs

Назва:
Удосконалення технології отримання металічного арсену зі зниженим вмістом кисню для виробництва монокристалів GaAs
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
16,56 KB
Завантажень:
333
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
Кременчуцький університет економіки,
інформаційних технологій і управління
Мазницька Оксана Вікторівна
УДК 661.644.2
Удосконалення технології отримання
металічного арсену зі зниженим
вмістом кисню
для виробництва монокристалів GaAs
05.27.06 – технологія, обладнання та виробництво електронної техніки
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата технічних наук
Кременчук – 2008


Дисертацією є рукопис
Робота виконана у Кременчуцькому університеті економіки, інформаційних технологій і управління МОН України
Науковий керівник: доктор технічних наук, професор
Оксанич Анатолій Петрович,
Кременчуцький університет економіки, інформаційних технологій і управління, завідувач кафедри комп’ютеризованих систем автоматики.
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор
Данильченко Борис Олександрович,
Інститут фізики НАН України,
завідувач відділом;
кандидат технічних наук
Тербан Віктор Андрійович,
Відкрите акціонерне товариство “Чисті метали” Міністерства промислової політики України,
головний інженер.
Захист відбудеться 28.03.2008 р. об 15_ годині на засіданні спеціалізованої вченої ради К45.124.01 при Кременчуцькому університеті економіки, інформаційних технологій і управління за адресою:
39600, м. Кременчук, вул. Пролетарська, 24/37, аудит. 1301.
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Кременчуцького університету економіки, інформаційних технологій і управління за адресою:
39600, м. Кременчук, вул. Пролетарська, 24/37
Автореферат розісланий 27.02.2008 р.
Учений секретар
спеціалізованої вченої ради ______________С.Е. Притчин


загальна характеристика роботи
Актуальність теми. Підвищення якості напівпровідників, що використовуються для виготовлення тунельних діодів, транзисторів, які працюють при високих температурах, лазерів, перетворювачів сонячної енергії та інших важливих приладів, одержаних на основі напівпровідникових сполук, що мають велику ширину забороненої зони і високу рухливість носіїв заряду, є важливою проблемою сучасної електроніки. Однією з таких напівпровідникових сполук є GaAs, властивості якого визначили перспективність його застосування.
Широкому практичному застосуванню GaAs заважає складність отримання його в стані високої чистоти і зі стабільними властивостями. Причинами цього є недостатня чистота і несталість якості вихідних матеріалів – арсену, що одержується з AsCl3, і галію.
У технології отримання надчистого GaAs першочергове значення має роздільне очищення його складових елементів. Більшою мірою це стосується арсену, оскільки основними домішками в ньому є сульфур і селен, що мають несприятливі константи сегрегації в GaAs. Кисень у тих або інших кількостях присутній у кристалах, потрапляючи в них з різних джерел (оксиди галію, арсен, кварц тощо) і є також важливою домішкою у GaAs, що впливає на рухливість носіїв заряду.
Арсен значно важче піддається очищенню, ніж галій. У промисловості вдається одержати галій високої чистоти (99,99999 % мас.) але арсен з сумарним вмістом домішок менше 10-4 % (без урахування кисню), можна одержати тільки в лабораторних умовах і в невеликих кількостях.
Аналізуючи технології одержання арсену для синтезу GaAs, можна зробити висновок, що всі вони не виключають можливості забруднення його киснем.
У найбільш перспективній у даний час хлоридній технології одержання арсену як початкова сировина використовується As2О3. Тому проміжний продукт для синтезу металічного арсену високої чистоти AsCl3 завжди містить у своїй масі частково гідролізовані сполуки As(ОН)Cl2 і As(ОН)2Cl (оксихлориди), а також арсенітну кислоту (Н3AsО3), з якими кисень потрапляє в кінцевий продукт.
Таким чином, проблема отримання металічного арсену зі зниженим вмістом кисню є дуже актуальною як з наукової, так і з практичної точок зору. Звідси очевидна необхідність удосконалення технології його отримання з метою подальшого пониження вмісту кисню.
Зв’язок роботи з науковими програмами, планами, темами. Робота виконана на кафедрі комп’ютеризованих систем автоматики Кременчуцького університету економіки, інформаційних технологій і управління (Куеіту) з використанням виробничих потужностей і вимірювальних засобів ВАТ “Чисті метали” (м.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: Удосконалення технології отримання металічного арсену зі зниженим вмістом кисню для виробництва монокристалів GaAs

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок